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JSMirco-SEMI是由国家特聘专家以及留学欧美的海归博士团队创立的高科技公司,总部在西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园。JSMSEMI是一家专业生产霍尔磁性传感器SOC芯片、驱动IC、电源管理芯片(AC-DC/DC-DC)、MOSFETS场效应、二三极管、晶体管、单双三四象可控硅等的公司。JSMSEMI杰盛微拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,研制开发了各类磁开关系列芯片,磁速度、方向传感器芯片,线性传感器芯片,以及磁编码器芯片、包括25V~700V栅极驱动IC芯片、3300V/5000V隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块。为汽车电子、 光伏及储能、 数据中心和工业控制等市场领域的终端客户高可靠性功率模拟IC芯片。
综合排序 价格 库存 销量
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2793
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 二极管配置: 独立式
  • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
  • 直流反向耐压(Vr): 100V
  • 整流电流: 300mA
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 350mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 115mA
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 800mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 300mA
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    • 二极管配置: 1对串联式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 整流电流: 215mA
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 350mA
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    • 正向压降(Vf): 350mV@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 60uA@30V
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    • 输入电压: 37V
    • 输出电压: 2.5V~36V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 第六阶梯9.5
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      ¥0.028227
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    • 广东仓: 145K+
      江苏仓: 431K+
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
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    • 第六阶梯9.5
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      • ¥0.029741
      • ¥0.028029
      • 原价
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      • ¥0.050416
      • ¥0.038516
      • ¥0.034654
      • ¥0.031306
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    • 500+: 

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    • 3000+: 

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    • 6000+: 

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    • 24000+: 

      ¥0.029741
    • 45000+: 

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    • 广东仓: 229K+
      江苏仓: 149K+
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    • MFRC522
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: QFN-32-EP(5x5)
    • 描述: 5V应用请使用【C2900653 MFRC523】MFRC522标准 3V MIFARE 读卡器芯片 2Kv ESD 具有很高的技术集成度,有很强的系统应用扩展性
    • 协议: ISO 14443A,ISO 14443B
    • 接口类型: I2C,SPI,UART
    • 传输速率: 9.6Kbps
    • 频率: 13.56MHz
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    • 30+: 

      ¥7.41
    • 100+: 

      ¥6.8
    • 500+: 

      ¥4.96
    • 1500+: 

      ¥4.83
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    • 广东仓: 5120
      江苏仓: 6716
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    • MMBT5551
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 适用于高压、中等电流环境下的线性放大与开关电路设计,是电子设备和工业控制的理想半导体器件。
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 160V
    • 功率(Pd): 250mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 80@10mA,5V
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    • 订单数量按照以下:
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    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
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      • 6000+: 
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      • 45000+: 
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      • ¥0.047892
      • ¥0.038205
      • ¥0.032196
      • ¥0.028967
      • ¥0.02617
      • ¥0.024662
      • 原价
      • ¥0.050413
      • ¥0.040216
      • ¥0.033891
      • ¥0.030492
      • ¥0.027547
      • ¥0.02596
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      ¥0.047892
    • 500+: 

      ¥0.038205
    • 3000+: 

      ¥0.032196
    • 6000+: 

      ¥0.028967
    • 24000+: 

      ¥0.02617
    • 45000+: 

      ¥0.024662
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    • 广东仓: 112K
      江苏仓: 605K+
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    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.3A
    • 功率(Pd): 350mW
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
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    • S8050
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
    • 特征频率(fT): 150MHz
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    • LM358
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 双路低功耗的差分式运算放大器,具有单、双电源供电的特点,具有较高的开环增益
    • 放大器数: 双路
    • 增益带宽积(GBP): 1MHz
    • 输入失调电压(Vos): 5mV
    • 共模抑制比(CMRR): 90dB
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    • 二极管配置: 1对共阴极
    • 正向压降(Vf): 1V@100mA
    • 直流反向耐压(Vr): 30V
    • 整流电流: 200mA
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    • SS14
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SMA(DO-214AC)
    • 描述: 该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚结构提供了很好的热性能和低电阻。此整流器特别适用于续流、辅助整流和反极性保护应用。
    • 正向压降(Vf): 550mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 1A
    • 反向电流(Ir): 500uA@40V
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 600mA
    • 功率(Pd): 300mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 100@150mA,10V
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 625mW
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    • SS34
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SMA(DO-214AC)
    • 描述: 适用于电源转换、高频开关电路以及需要快速恢复时间的整流应用。
    • 正向压降(Vf): 550mV@3A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 3A
    • 反向电流(Ir): 500uA@40V
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    • MMBTA42
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 专为高压、低至中等电流应用设计,是进行开关电路及精密放大器设计的理想半导体组件
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 200V
    • 功率(Pd): 350mW
    • 直流电流增益(hFE@Ic,Vce): 25@10A,1V
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    • 74HC595D
    • 品牌: JSMSEMI(杰盛微)
    • 封装: SOP-16
    • 描述: 可实现灵活的串行至串行或串行至并行数据转换功能,满足不同系统配置需求,能有效管理和传输大量信息流,以卓越性能提升系统整体效率。
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