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上海超致

上海超致

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超致半导体是一家专注于高端高压功率半导体(Super-Junction MOSFET、IGBT)的集成电路产品设计公司(产品设计、测试、销售)。 公司成立于2013年初,注册资本:1000万人民币。由香港安联集团投资组建,公司凝聚了来自中日韩三国的资深功率半导体专家,目前员工总数15人,公司总部座落在有“中国硅谷”之称的上海张江高科技园,产品生产及封装测试均委托国内外知名半导体公司,如天水华天微电子、南通富士通。 目前公司已经成功地开发出媲美英飞凌第6代CoolMOS的超结MOS,产品种类覆盖从2A到47A,耐压500V/600V/650V/700V/800V的全系列。目前公司产品已经稳定应用到电源适配器、LED驱动、通信电源、音响电源、焊机电源、电动车充电器、电动车充电桩、风能太阳能逆变器、UPS电源、专用工业定制电源等各个AC/DC领域。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
  • 封装
    • TO-220F
    • TO-220
    • TO-247
    • TO-263
    • SOP-8
    • TO-252
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  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

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  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:650V 电流:7.8A
SSF65R650S2
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696284
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7.8A
导通电阻(RDS(on))
550mΩ@10V,3.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存84
4.1折起
  • 2.7938
  • 1.8921
  • 1.3448
  • 1.1685
  • 1.066
  • 1.0127
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广东仓
84

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近期成交2单

1个N沟道 耐压:800V 电流:18.4A
SSB80R240S
品牌
上海超致
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696594
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
18.4A
导通电阻(RDS(on))
220mΩ@10V,9A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 14.67
  • 12.42
  • 11
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广东仓
2

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近期成交1单

1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
SSF50R240S
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696581
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
210mΩ@10V,9A
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存21
4.1折起
  • 4.5323
  • 3.1569
  • 2.255
  • 1.9393
  • 1.7999
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广东仓
21

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近期成交2单

1个N沟道 耐压:100V
SGO100N08L
品牌
上海超致
封装
SO-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C718961
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
14A
导通电阻(RDS(on))
6.8mΩ@10V,14A
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 1.38
  • 1.35
  • 1.32
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广东仓
2

2500/圆盘

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高压超结mos800V/1.3R
SSF80R1K3S
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696587
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
4.4A
导通电阻(RDS(on))
1.1Ω@10V
耗散功率(Pd)
26W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存18
  • 2.6
  • 2.55
  • 2.51
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广东仓
18

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总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:650V 电流:8.2A
SSB65R360S2
品牌
上海超致
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C718960
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
8.2A
导通电阻(RDS(on))
330mΩ@10V,6.5A
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4
  • 3.09
  • 3.02
  • 2.97
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广东仓
4
江苏仓
1

1000/

总额0

高压超结mos800V/0.9R
SSF80R850S
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696588
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
6.6A
导通电阻(RDS(on))
800mΩ@10V
耗散功率(Pd)
28W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 3.09
  • 3.02
  • 2.97
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广东仓
2

1000/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:100V 电流:120A
SSP1991
品牌
上海超致
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C718952
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
3.8mΩ@10V,50A
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1
  • 3.45
  • 3.36
  • 3.3
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广东仓
1

1000/

总额0

1个N沟道 耐压:700V 电流:7.8A
SSF70R650S2
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C718943
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
700V
连续漏极电流(Id)
7.8A
导通电阻(RDS(on))
550mΩ@10V,3.5A
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1
  • 3.64
  • 2.9
  • 2.54
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广东仓
1

1000/

总额0

近期成交1单

高压超结mos800V/0.41R
SSF80R380S
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696590
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
13.6A
导通电阻(RDS(on))
360mΩ@10V
耗散功率(Pd)
32W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9
  • 4.94
  • 4.81
  • 4.73
现货最快4小时发货
广东仓
9

1000/

总额0

500V N沟道MOSFET
SSW50R140S
品牌
上海超致
封装
TO-247-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C718948
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
24A
导通电阻(RDS(on))
120mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))
2.5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4
  • 6.43
  • 6.27
  • 6.16
现货最快4小时发货
广东仓
4

330/

总额0

SSP65R190S2
SSP65R190S2
品牌
上海超致
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C718954
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 4.99
  • 4.87
  • 4.79
  • 4.71
需订货
广东仓
0

1000/

总额0

近期成交1单

SSP80R850S
SSP80R850S
品牌
上海超致
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C718957
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:600V 电流:16A
SSF60R260S2
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696281
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
16A
导通电阻(RDS(on))
220mΩ@10V,8A
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
SSF60R190S2
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696276
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
160mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:800V 电流:10.5A
SSF80R500S
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696589
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
10.5A
导通电阻(RDS(on))
480mΩ@10V,5.5A
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  • 对比
1个N沟道 耐压:650V 电流:10.5A
SST65R420S2
品牌
上海超致
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696597
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
10.5A
耗散功率(Pd)
96W
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  • 对比
高压超结mos650V/0.26R
SSF65R260S2
品牌
上海超致
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696280
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
16A
导通电阻(RDS(on))
220mΩ@10V
耗散功率(Pd)
120W
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:500V 电流:33A
SSW50R100SFD
品牌
上海超致
封装
TO-247-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C696584
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
33A
导通电阻(RDS(on))
90mΩ@10V,17A
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