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首页 > 品牌列表 > ORIENTAL SEMI(东微) >
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东微半导体成立于2008年,是一家技术驱动型的半导体技术公司,专注于半导体器件技术创新,拥有多项核心专利。其主要产品线包括高性能功率半导体器件和新能源汽车直流大功率充电桩核心芯片。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
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  • 连续漏极电流(Id): 130A
  • 导通电阻(RDS(on)): 3.3mΩ@10V,50A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 12A
    • 导通电阻(RDS(on)): 360mΩ@10V,3A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 80V
    • 连续漏极电流(Id): 64A
    • 导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@10V,12A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 150V
    • 连续漏极电流(Id): 80A
    • 导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V,20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)): 380mΩ@10V,5.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 80V
    • 连续漏极电流(Id): 64A
    • 导通电阻(RDS(on)): 8mΩ@10V,12A
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    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 36A
    • 导通电阻(RDS(on)): 99mΩ@10V,18A
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    • 连续漏极电流(Id): 70A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 4.5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V,2A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 550V
    • 连续漏极电流(Id): 23A
    • 导通电阻(RDS(on)): 140mΩ@10V,11.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 800V
    • 连续漏极电流(Id): 17A
    • 导通电阻(RDS(on)): 250mΩ@10V,8.5A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)): 380mΩ@10V,5.5A
    • 耗散功率(Pd): 31W
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    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 160A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3.5mΩ@10V,20A
    • 耗散功率(Pd): 168W
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    • 第五阶梯6.8
    • 第六阶梯6.8
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    • 漏源电压(Vdss): 700V
    • 连续漏极电流(Id): 8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 600mΩ@10V,4A
    • 耗散功率(Pd): 28W
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    • 漏源电压(Vdss): 700V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 750mΩ@10V,4A
    • 耗散功率(Pd): 63W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 15A
    • 耗散功率(Pd): 32W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 60A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V,20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 108mΩ@10V,15A
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    • 圆盘
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    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@10V,10A
    • 阈值电压(Vgs(th)): 2V
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