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ORIENTAL SEMI(东微)

ORIENTAL SEMI(东微)

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东微半导体成立于2008年,是一家技术驱动型的半导体技术公司,专注于半导体器件技术创新,拥有多项核心专利。其主要产品线包括高性能功率半导体器件和新能源汽车直流大功率充电桩核心芯片。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
  • 封装
    • TO-252
    • TO-220F
    • DFN-8(5x6)
    • TO-220
    • PDFN(5x6)
    • TO-247
    • TO-263
    • TO-262
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • TO-251
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数58
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

增强型N沟道功率MOSFET
SFS08R03GNF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5118908
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
130A
导通电阻(RDS(on))
3.3mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4738
  • 3.21
  • 2.52
  • 2.23
  • 1.86
  • 1.56
  • 1.46
现货最快4小时发货
广东仓
4625

5000/圆盘

总额0

近期成交21单

增强型N沟道功率MOSFET
SFS15R10GNF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175401
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2037
  • 4.66
  • 4.12
  • 3.85
  • 3.58
  • 3.25
  • 3.16
现货最快4小时发货
广东仓
1984

5000/圆盘

总额0

近期成交14单

增强型N沟道功率MOSFET
OSG65R360DEF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175399
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
360mΩ@10V,3A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2930
  • 3.44
  • 2.77
  • 2.43
  • 2.1
  • 1.9
  • 1.8
现货最快4小时发货
广东仓
2930

2500/圆盘

总额0

近期成交21单

增强型N沟道功率MOSFET
SFS08R07GF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175407
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
64A
导通电阻(RDS(on))
7mΩ@10V,12A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.09
  • 1.85
  • 1.74
  • 1.61
  • 1.49
  • 1.45
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4154

5000/圆盘

总额0

近期成交3单

增强模式N通道功率MOSFET 耐压:60V 电流:160A
SFS06R03DF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2762912
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
3.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)
168W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1784
  • 2.83
  • 2.22
  • 1.96
  • 1.64
  • 1.5
  • 1.41
现货最快4小时发货
广东仓
1783
江苏仓
24

2500/圆盘

总额0

近期成交3单

增强型N沟道功率MOSFET
OSG65R380DEF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C708899
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on))
380mΩ@10V,5.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1405
  • 3.77
  • 3
  • 2.62
  • 2.24
  • 2.01
  • 1.89
现货最快4小时发货
广东仓
1378

2500/圆盘

总额0

近期成交8单

增强型N沟道功率MOSFET
SFS08R08DF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175408
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
64A
导通电阻(RDS(on))
8mΩ@10V,12A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.99
  • 2.69
  • 2.53
  • 2.38
  • 2.18
  • 2.14
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1419

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

增强型N沟道功率MOSFET
OSG60R099KSZF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175404
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
36A
导通电阻(RDS(on))
99mΩ@10V,18A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存132
  • 15.37
  • 12.96
  • 11.45
  • 9.48
现货最快4小时发货
广东仓
130

800/圆盘

总额0

近期成交19单

SFS04R038GF
SFS04R038GF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49005838
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.753
  • 1.3886
  • 1.2324
  • 1.0375
  • 0.9508
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2575

5000/圆盘

总额0

增强型N沟道功率MOSFET
OSG65R900DTF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C708900
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4.5A
导通电阻(RDS(on))
900mΩ@10V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
6.9折起
  • 2.118645
  • 1.489624
  • 1.154715
  • 0.972141
  • 0.890859
  • 0.842076
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
835

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

增强型N沟道功率MOSFET 耐压:60V 电流:70A
SFS06R06DF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2762914
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V
耗散功率(Pd)
87W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存610
6.6折起
  • 2.0898
  • 1.4668
  • 1.1286
  • 0.9504
  • 0.8712
  • 0.825
现货最快4小时发货
广东仓
610

2500/圆盘

总额0

近期成交7单

增强模式N通道功率MOSFET,电流:8A,耐压:600V
OSG60R580FTF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2762903
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
580mΩ@10V
耗散功率(Pd)
26W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 3.48
  • 2.73
  • 2.41
  • 2.01
  • 1.84
  • 1.73
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1000

50/

总额0

近期成交1单

OSG65R260FSF
OSG65R260FSF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49005831
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 6.21
  • 5.04
  • 4.45
  • 3.87
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
415

50/

总额0

近期成交3单

耐压:650V 电流:20A
OSG60R180FF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2762901
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
180mΩ@10V
阈值电压(Vgs(th))
4V@250uA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存50
  • 7.49
  • 6.23
  • 5.33
现货最快4小时发货
广东仓
50
江苏仓
1

50/

总额0

近期成交2单

OSG60R074KSZF
OSG60R074KSZF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6117612
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 14.21
  • 12.1
  • 10.78
  • 9.43
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
140

3000/圆盘

总额0

SFS08R03PNF
SFS08R03PNF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49005827
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 3.52
  • 2.85
  • 2.52
  • 2.19
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
476

50/

总额0

近期成交2单

SFS06R025GF
SFS06R025GF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49005839
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.08
  • 2.04
  • 2.01
  • 1.98
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
395

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

增强模式N通道功率MOSFET 耐压:650V 电流:11A
OSG65R380FEF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2762902
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
11A
导通电阻(RDS(on))
380mΩ@10V
耗散功率(Pd)
31W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存41
  • 3.99
  • 3.19
  • 2.79
现货最快4小时发货
广东仓
41

50/

总额0

近期成交1单

增强型N沟道功率MOSFET
OSG65R290FEF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C708897
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
15A
耗散功率(Pd)
32W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存40
  • 5.6
  • 4.53
  • 3.88
现货最快4小时发货
广东仓
40

50/

总额0

近期成交4单

SFS06R06UGF
SFS06R06UGF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49005834
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.32
  • 1.29
  • 1.27
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
100

5000/圆盘

总额0

OSG65R580FF
OSG65R580FF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49005840
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.03
  • 1.98
  • 1.95
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
69

50/

总额0

增强模式N沟道功率MOSFET 1个N沟道 耐压:800V 电流:17A
OSG80R250FF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2856222
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
17A
导通电阻(RDS(on))
250mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存62
  • 14.4
  • 12.19
  • 10.8
现货最快4小时发货
广东仓
45

50/

总额0

近期成交1单

增强模式N沟道功率MOSFET 耐压:700V 电流:8A
OSG70R600FF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2762906
漏源电压(Vdss)
700V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
600mΩ@10V
耗散功率(Pd)
28W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存19
  • 4.01
  • 3.25
  • 2.77
现货最快4小时发货
广东仓
19

50/

总额0

近期成交4单

增强模式N通道功率MOSFET,电流:100A,耐压:80V
SFG100N08PF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2762910
漏源电压(Vdss)
80V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
6.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)
148W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.37
  • 2.32
  • 2.28
  • 2.24
需订货
广东仓
0

1000/圆盘

总额0

MOS管
OSG65R900DEF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175406
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
900mΩ@10V,2.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.53
  • 1.99
  • 1.76
  • 1.47
  • 1.27
  • 1.19
需订货
广东仓
0

2500/圆盘

总额0

MOS管
SFS06R03GF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175398
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
3mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.505637
订货7-9个工作日
库存
5000
增量
5000
最小包装
5000个

总额0

增强型N沟道功率MOSFET
SFS06R045UNF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN3.3x3.3-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175402
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
4.5mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.98
  • 2.36
  • 2.1
  • 1.77
  • 1.55
  • 1.46
需订货
广东仓
0

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

MOS管
SFG10S10GF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
PDFN(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5175400
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@10V,30A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 3.35
  • 2.63
  • 2.32
  • 1.94
  • 1.68
  • 1.58
需订货
广东仓
0

5000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:800V 电流:4A
OSG80R1K4DF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2856221
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
1.1Ω@10V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1
  • 3.73
  • 3.02
  • 2.66
  • 2.31
  • 2.1
  • 1.99
需订货
广东仓
0

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

增强型N沟道功率MOSFET 耐压:60V 电流:160A
SFS06R03PF
品牌
ORIENTAL SEMI(东微)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2762913
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
4.5mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
168W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 3.77
  • 3.04
  • 2.67
  • 2.31
  • 2.09
  • 1.98
需订货
广东仓
0

50/

总额0

近期成交1单