
KIOXIA(铠侠)
进入品牌官网KIOXIA(铠侠)源自东芝存储器株式会社,于2019年正式更名成立,继承了东芝在闪存领域的长期积累。主要生产固态硬盘、NAND闪存和控制器等存储解决方案。
KIOXIA(铠侠)源自东芝存储器株式会社,于2019年正式更名成立,继承了东芝在闪存领域的长期积累。主要生产固态硬盘、NAND闪存和控制器等存储解决方案。
描述eMMC 4GB
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152个/托盘
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近期成交23单
描述TC58BVG1S3HTAI0 是一款单3.3V 2Gbit (2,214,592,512 bits) NAND 电可擦除可编程只读存储器 (NAND E2PROM),组织为 (2048+64) 字节 × 64 页 × 2048 块。设备具有 2112 字节的静态寄存器,允许在寄存器和存储单元阵列之间传输数据。擦除操作以单个块单元 (128K字节 + 4K字节: 2112字节 × 64 页) 实现。
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96个/托盘
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近期成交4单
描述TC58BVG1S3HTA00是一款2 GB位的NAND E2PROM,组织为(2048+64)字节×64页×2048块。该设备利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,适用于需要高密度非易失性存储的数据系统。
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描述TC58BVG1S3HBAI4是一款2Gbit的NAND Flash存储器,支持ECC校验,组织为2048个块,每个块包含64个页面,每个页面2112字节。支持3.3V供电,适用于高密度非易失性数据存储。
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210个/托盘
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1000个/圆盘
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近期成交8单
描述TC58NVG1S3HTAI0 是一款3.3V 2Gbit (2,281,701,376 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM),组织结构为 (2048 + 128) 字节 × 64 页 × 2048 块。设备具有两个2176字节的静态寄存器,允许程序和读取数据在单元之间传输。
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96个/托盘
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近期成交2单
描述TH58NVG4S0HTA20是一款16 Gbit CMOS NAND E2PROM,支持I2C接口,具有8位数据宽度,每个页面大小为4352字节,每个块大小为(256K + 16K)字节。该设备支持自动页面编程和块擦除功能。
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描述TC58NYG0S3HBAI6是一款1.8V供电的1Gbit (1,140,850,688 bits) NAND闪存存储器,适用于高密度非易失性数据存储应用,如固态文件存储、语音录音、图像文件存储等。
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338个/托盘
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760个/托盘
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描述TC58NVG0S3HTAI0是一款单3.3V 1Gbit (1,140,850,688 bits)的NAND电可擦除存储器。它具有2176字节的静态寄存器,允许在单元之间传输数据。该设备利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行。
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96个/托盘
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描述TC58NVG2S0HTA00是一款4GB NAND Flash存储器,采用CMOS工艺,具有4096字节的数据页面和256字节的冗余区域,支持自动编程和擦除操作。
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描述TC58CVG1S3HRAIJ是一款支持嵌入式应用的SPI接口NAND闪存,具有2112字节的数据缓冲区,支持2Gb存储容量,工作电压为3.3V。
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2400个/托盘
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描述TC58CVG1S3HRAIJ(BAJ)是一款支持嵌入式应用的SPI接口NAND闪存,具有2112字节的数据缓冲区,支持2Gb存储容量,工作电压为3.3V。
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