
KIOXIA(铠侠)
进入品牌官网KIOXIA(铠侠)源自东芝存储器株式会社,于2019年正式更名成立,继承了东芝在闪存领域的长期积累。主要生产固态硬盘、NAND闪存和控制器等存储解决方案。
KIOXIA(铠侠)源自东芝存储器株式会社,于2019年正式更名成立,继承了东芝在闪存领域的长期积累。主要生产固态硬盘、NAND闪存和控制器等存储解决方案。
描述e-MMC产品将闪存和e-MMC控制器集成在单个BGA封装中,以执行纠错、损耗均衡、逻辑到物理地址转换和坏块管理等功能。这些解决方案支持符合JEDEC 5.0/5版本标准的高速内存接口。
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近期成交30单
描述THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品,采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片,组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议,使用便捷
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近期成交44单
描述TC58BVG1S3HTAI0 是一款单3.3V 2Gbit (2,214,592,512 bits) NAND 电可擦除可编程只读存储器 (NAND E2PROM),组织为 (2048+64) 字节 × 64 页 × 2048 块。设备具有 2112 字节的静态寄存器,允许在寄存器和存储单元阵列之间传输数据。擦除操作以单个块单元 (128K字节 + 4K字节: 2112字节 × 64 页) 实现。
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描述THGBMNG5D1LBAIL 是一款容量为 4GB 的 e - MMC 模块产品,采用 153 球 BGA 封装。该产品采用先进的东芝 NAND 闪存器件和控制器芯片,组装为多芯片模块。THGBMNG5D1LBAIL 遵循行业标准的 MMC 协议,使用方便
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近期成交21单
描述TC58BVG1S3HTA00是一款2 GB位的NAND E2PROM,组织为(2048+64)字节×64页×2048块。该设备利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行,适用于需要高密度非易失性存储的数据系统。
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近期成交3单
描述TC58BVG0S3HTA00 是一款单 3.3V、1 Gbit(1,107,296,256 位)的 NAND 电可擦除可编程只读存储器(NAND E²PROM),其组织形式为(2048 + 64)字节×64 页×1024 块。该器件有一个 2112 字节的静态寄存器,允许以 2112 字节为增量在寄存器和存储单元阵列之间传输编程和读取数据。擦除操作以单块为单位执行(128 K 字节 + 4 K 字节:2112 字节×64 页)
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描述TC58NYG2S0HBAI4是一款1.8V 4 Gbit NAND E2PROM,组织结构为(4096 + 256)字节 x 64 页 x 2048 块。每个页面大小为4352字节,每个块大小为(256K + 16K)字节。
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描述TH58NVG4S0HTA20是一款16 Gbit CMOS NAND E2PROM,支持I2C接口,具有8位数据宽度,每个页面大小为4352字节,每个块大小为(256K + 16K)字节。该设备支持自动页面编程和块擦除功能。
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近期成交2单
描述THGBMJG7C1LBAIL是一款容量为16GB的e - MMC模块产品,采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片,组装成多芯片模块。THGBMJG7C1LBAIL具备行业标准的MMC协议,使用便捷
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描述THGBMJG6C1LBAIL是一款容量为8GB的e - MMC模块产品,采用153球BGA封装。该产品采用先进的NAND闪存器件和控制器芯片,组装成多芯片模块。THGBMJG6C1LBAIL遵循行业标准的MMC协议,使用便捷
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描述TC58NVG1S3HTAI0 是一款3.3V 2Gbit (2,281,701,376 bits) 的NAND Electrically Erasable and Programmable Read-Only Memory (NAND E2PROM),组织结构为 (2048 + 128) 字节 × 64 页 × 2048 块。设备具有两个2176字节的静态寄存器,允许程序和读取数据在单元之间传输。
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描述TC58BVG1S3HBAI4是一款2Gbit的NAND Flash存储器,支持ECC校验,组织为2048个块,每个块包含64个页面,每个页面2112字节。支持3.3V供电,适用于高密度非易失性数据存储。
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描述TC58NYG0S3HBAI6是一款1.8V供电的1Gbit (1,140,850,688 bits) NAND闪存存储器,适用于高密度非易失性数据存储应用,如固态文件存储、语音录音、图像文件存储等。
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338个/托盘
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描述THGAMRG8T13BAIL是一款容量为32GB的e - MMC模块产品,采用153球BGA封装。该产品采用先进的东芝NAND闪存器件和控制器芯片,组装成多芯片模块。THGAMRG8T13BAIL具备行业标准的MMC协议,使用便捷
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描述TC58NVG2S0HTA00是一款4GB NAND Flash存储器,采用CMOS工艺,具有4096字节的数据页面和256字节的冗余区域,支持自动编程和擦除操作。
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描述TC58CVG1S3HRAIJ是一款支持嵌入式应用的SPI接口NAND闪存,具有2112字节的数据缓冲区,支持2Gb存储容量,工作电压为3.3V。
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描述TC58CVG1S3HRAIJ(BAJ)是一款支持嵌入式应用的SPI接口NAND闪存,具有2112字节的数据缓冲区,支持2Gb存储容量,工作电压为3.3V。
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描述TC58NVG0S3HTAI0是一款单3.3V 1Gbit (1,140,850,688 bits)的NAND电可擦除存储器。它具有2176字节的静态寄存器,允许在单元之间传输数据。该设备利用I/O引脚进行地址和数据的输入/输出以及命令输入。擦除和编程操作自动执行。
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描述我们的UFS(通用闪存存储)和e - MMC托管闪存解决方案将闪存和铠侠(KIOXIA)控制器集成在单个封装中。作为e - MMC的理想替代品,UFS兼具高性能、高能效和高可靠性,可满足包括智能手机、平板电脑、增强现实/虚拟现实(AR/VR)、汽车等在内的移动应用需求。
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