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深圳市拓锋半导体科技有限公司创办于1997年,已发展20余年。 公司集研发、生产、销售与一体,主营MOSFET场效应管、通用IC。 公司于2017年合资建设了浙江和睿半导体科技有限公司,注册资金达7000万元,占地面积3万6千平方米,专业技术人员100余人,封装产品线有TO、SOT、SOP、DIP、DFN系列,全部产品封装完全在ISO9001质量管理体系认证监控下自动化生产。 拓锋发展理念和宗旨:信誉至上,品质卓越,价格合理,合作共赢。
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 60A
  • 导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@4.5V,20A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 4A
  • 导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@10V,4A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 2.8A
  • 导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@4.5V,2.8A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 3A
  • 导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@4.5V,2.8A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 3A
  • 导通电阻(RDS(on)): 40mΩ@4.5V,3A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 4.1A
  • 导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@4.5V,3A
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  • 类型: 2个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 6.5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@2.5V,5.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 18A
  • 导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@4.5V
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  • 类型: 1个N沟道+1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 6A
  • 导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@4.5V,6A
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  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 60A
  • 导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ@10V,20A
  • 耗散功率(Pd): 55W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 3.6A
  • 导通电阻(RDS(on)): 50mΩ@10V,3.6A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 4.2A
  • 导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@2.5V,2.5A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 16V
  • 连续漏极电流(Id): 4A
  • 导通电阻(RDS(on)): 80mΩ@2.5V,3A
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  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 4.1A
  • 导通电阻(RDS(on)): 50mΩ@4.5V,4.1A
  • 耗散功率(Pd): 1.25W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 5.8A
  • 导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V,5.8A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 5.8A
  • 导通电阻(RDS(on)): 23mΩ@10V,5.8A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 15V
  • 连续漏极电流(Id): 4.3A
  • 导通电阻(RDS(on)): 35mΩ@4.5V,4.3A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 6A
  • 导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V,6A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 5.8A
  • 导通电阻(RDS(on)): 52mΩ@2.5V,4A
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  • 连续漏极电流(Id): 3A
  • 导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@10V,3A
  • 耗散功率(Pd): 1.2W
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 5.4A
  • 导通电阻(RDS(on)): 24mΩ@10V,5.4A
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  • 类型: 2个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 6A
  • 导通电阻(RDS(on)): 26mΩ@2.5V,4A
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  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 24A
  • 导通电阻(RDS(on)): 16mΩ@10V,8A
  • 耗散功率(Pd): 20W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 50A
  • 导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V,30A
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  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 30A
  • 导通电阻(RDS(on)): 9.3mΩ@4.5V,15A
  • 耗散功率(Pd): 30W
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  • 连续漏极电流(Id): 6.4A
  • 导通电阻(RDS(on)): 50mΩ@2.5V,4.5A
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