TF(拓锋)
进入品牌官网深圳市拓锋半导体科技有限公司创办于1997年，已发展20余年。 公司集研发、生产、销售与一体，主营MOSFET场效应管、通用IC。 公司于2017年合资建设了浙江和睿半导体科技有限公司，注册资金达7000万元，占地面积3万6千平方米，专业技术人员100余人，封装产品线有TO、SOT、SOP、DIP、DFN系列，全部产品封装完全在ISO9001质量管理体系认证监控下自动化生产。 拓锋发展理念和宗旨：信誉至上，品质卓越，价格合理，合作共赢。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 线性稳压器(LDO)
- 达林顿管
- 肖特基二极管
- 电池管理
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- DFN-8(3.3x3.3)
- SOP-8
- TO-252
- DFN-8(3x3)
- DFN-8(5x6)
- TO-220
- SOT-23-6
- DO-27
- SOT-223
- SOT-89
- TO-263
- TSSOP-8
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数64
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 42mΩ@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.4W
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 2.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@4.5V；130mΩ@2.5V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@4.5V；100mΩ@2.5V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@4.5V；40mΩ@2.5V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 50mΩ@10V；65mΩ@4.5V
描述P沟道 -30V -4.1A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 18mΩ@4.5V；25mΩ@2.5V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；16mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V；30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.9A；6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 19mΩ@10V；42mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 55W
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@10V
描述P沟道 -30V -4A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 16V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@2.5V,3A
描述P沟道 -16V -4A
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 55mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 1.2W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 50mΩ@4.5V；70mΩ@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.25W
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 15V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 35mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@10V
描述N沟道 30V 5.8A
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 80mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 1.2W
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 24mΩ@10V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 2个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 26mΩ@2.5V,4A
描述N沟道 20V 6A
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 24A
- 导通电阻(RDS(on))
- 20mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 20W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 30W
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道+1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 15mΩ@4.5V；30mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 55A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 25W
- 收藏
- 对比