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Boarden(宝宫)

Boarden(宝宫)

宝宫电子是一家集研发、生产、销售过电流过电压器件为主的电路保护公司,公司秉承技术服务的路线,经营的重点是前端的电路保护方案和后端一站式服务上,包括为客户定制提供方案,定制产品,技术测试和技术咨询,希望达到的目标是“电路保护问题,宝宫帮您解决”。目前已经跟国内相关大学、研究所以及相关的EMI和EMC方案和检测机构建立了紧密的合作关系,也与行业知名的大公司建立了战略合作关系,公司在华东和华南建立了完备的测试实验室。 宝宫电子的产品主要有气体放电管(GDT)、瞬态抑制二极管(TVS)、固体放电管(Thyristor)、静电保护器(ESD)自恢复保险丝(PPTC)和压敏电阻(MOV)等,随市场发展的需要,适合市场和新技术发展的新产品不断推出,比如用于汽车抛负载保护的高能贴片压敏系列(CMS 系列)、适合汽车电子多种保护合一的高端BOVI系列、用于安防和工控行业超低电容信号保护系列(BSE系列)和精细保护系列产品(BTLV系列)等. 公司总部在上海,在镇江、安徽和山东设有工厂,在上海、深圳、中国台湾、香港、武汉和青岛设有分公司,产品立足国内,也远销美国、欧洲、韩国、泰国、印度、越南和中国台湾等处。主要的应用领域包括SPD防雷、通讯、安防、汽车电子、电表、工业控制、消费类电子、白色家电、新能源等领域,主要的客户有德力西、正泰、中兴、海康、大华,三星、3M、菲尼克斯、海美迪、浪潮、清华同方等。

  • 类目
    • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
  • 封装
    • SMC(DO-214AB)
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自营结果数23
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

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  • 库存交期

  • 操作

双向TVS 36V截止 峰值浪涌电流:25.9A
SMCJ36CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967186
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
36V
钳位电压
58.1V
峰值脉冲电流(Ipp)
25.9A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 70V截止 峰值浪涌电流:13.3A
SMCJ70CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967162
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
70V
钳位电压
113V
峰值脉冲电流(Ipp)
13.3A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 75V截止 峰值浪涌电流:12.4A
SMCJ75CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967161
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
75V
钳位电压
121V
峰值脉冲电流(Ipp)
12.4A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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TVS 36V截止 峰值浪涌电流:51.6A
SMDJ36CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967104
反向截止电压(Vrwm)
36V
钳位电压
58.1V
峰值脉冲电流(Ipp)
51.6A
击穿电压
40V
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双向TVS 160V截止 峰值浪涌电流:5.8A
SMCJ160CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967209
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
160V
钳位电压
259V
峰值脉冲电流(Ipp)
5.8A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 150V截止 峰值浪涌电流:6.2A
SMCJ150CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967213
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
150V
钳位电压
243V
峰值脉冲电流(Ipp)
6.2A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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TVS 58V截止 峰值浪涌电流:32.1A
SMDJ58CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967102
反向截止电压(Vrwm)
58V
钳位电压
93.6V
峰值脉冲电流(Ipp)
32.1A
击穿电压
64.4V
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双向TVS 51V截止 峰值浪涌电流:18.2A
SMCJ51CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967175
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
51V
钳位电压
82.4V
峰值脉冲电流(Ipp)
18.2A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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单向TVS 18V截止 峰值浪涌电流:51.4A
SMCJ18A
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967204
极性
单向
反向截止电压(Vrwm)
18V
钳位电压
29.2V
峰值脉冲电流(Ipp)
51.4A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 18V截止 峰值浪涌电流:51.4A
SMCJ18CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967203
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
18V
钳位电压
29.2V
峰值脉冲电流(Ipp)
51.4A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 12V截止 峰值浪涌电流:75.4A
SMCJ12CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967220
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
12V
钳位电压
19.9V
峰值脉冲电流(Ipp)
75.4A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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单向TVS 33V截止 峰值浪涌电流:28.2A
SMCJ33A
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967189
极性
单向
反向截止电压(Vrwm)
33V
钳位电压
53.3V
峰值脉冲电流(Ipp)
28.2A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 60V截止 峰值浪涌电流:15.5A
SMCJ60CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967165
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
60V
钳位电压
96.8V
峰值脉冲电流(Ipp)
15.5A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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单向TVS 28V截止 峰值浪涌电流:33.1A
SMCJ28A
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967193
极性
单向
反向截止电压(Vrwm)
28V
钳位电压
45.4V
峰值脉冲电流(Ipp)
33.1A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 58V截止 峰值浪涌电流:16.1A
SMCJ58CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967171
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
58V
钳位电压
93.6V
峰值脉冲电流(Ipp)
16.1A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流:31A
SMCJ30CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967190
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
30V
钳位电压
48.4V
峰值脉冲电流(Ipp)
31A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 85V截止 峰值浪涌电流:11A
SMCJ85CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967159
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
85V
钳位电压
137V
峰值脉冲电流(Ipp)
11A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 28V截止 峰值浪涌电流:33.1A
SMCJ28CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967192
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
28V
钳位电压
45.4V
峰值脉冲电流(Ipp)
33.1A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 64V截止 峰值浪涌电流:14.6A
SMCJ64CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967164
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
64V
钳位电压
103V
峰值脉冲电流(Ipp)
14.6A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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单向TVS 14V截止 峰值浪涌电流:64.7A
SMCJ14A
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967216
极性
单向
反向截止电压(Vrwm)
14V
钳位电压
23.2V
峰值脉冲电流(Ipp)
64.7A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 54V截止 峰值浪涌电流:17.3A
SMCJ54CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967173
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
54V
钳位电压
87.1V
峰值脉冲电流(Ipp)
17.3A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬态保护。当发生过电压事件时,硅基 TVS 通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和 SMD 封装的单极性和双极性 TVS 器件,最大工作电压为 5V 至 440V,最大功耗为 400W 至 5000W。

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双向TVS 22V截止 峰值浪涌电流:42.3A
SMCJ22CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967199
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
22V
钳位电压
35.5V
峰值脉冲电流(Ipp)
42.3A

描述瞬态电压抑制器(TVS)是一种半导体器件,旨在为电子设备提供过电压瞬变保护。当出现过电压事件时,硅基TVS通过雪崩模式从高阻抗状态转变为低阻抗状态,并利用大面积结区在短时间内吸收大瞬态电流,从而保护对电压敏感的电子设备免受损坏。提供轴向和贴片封装的单极性和双极性TVS器件,最大工作电压为5V至550V,最大功耗为200W至5000W。

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双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流:103.3A
5.0SMDJ30CA
品牌
Boarden(宝宫)
封装
SMC(DO-214AB)
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C967380
极性
双向
反向截止电压(Vrwm)
30V
钳位电压
48.4V
峰值脉冲电流(Ipp)
103.3A
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