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Doeshare(德芯)

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深圳市德芯半导体技术有限公司为世界著名的半导体设计团队等多方合作成立,专注于晶闸管半导体( Thyristor)为核心的设计开发、从而打造成从半导体制程到销售及服务为一体的专业半导体公司。晶闸管半导体为交流电控制应用的唯一半导体组件,随着新能源车、物联网、电信、工业控制及智能家庭的应用逐年显着性增长, 对晶闸管的动态参数特性及可靠性技术要求越见严苛,本公司为打造世界级的晶闸管半导体产品,降低及改变对外资产品依赖的现状为已任，创建华人自有品牌(Doeshare),将专注逐步开发于晶闸管组件、IGBT模块、MOSFET产品以及规划开发SSR模块等系列产品, 期以CMMS(Component Module Move Service )模式, 充满信心短时间内达成世界领先之林。

类目
- 肖特基二极管
- 场效应管(MOSFET)
- 三极管(BJT)
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 快恢复/高效率二极管
- 开关二极管
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 通用二极管
- 数字晶体管
多选
封装
- SOT-23(TO-236)
- SMA(DO-214AC)
- SMB(DO-214AA)
- SOD-523(SC-79)
- SMC(DO-214AB)
- SOD-323(SC-90)
- SOT-323(SC-70)
- SOT-723
- DFN0603-2
- TO-220F
- DFN1006-2(SOD-882)
- DFN1006-3(SOT-883)
- MiniMELF(SOD-80)
- SOD-123
- SOT-523(SC-75)
- TO-263
- TO-92
多选

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数据手册

自营结果数55

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

耐压:1kV 电流:1A 反向恢复时间：500ns

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SMA

类目: 快恢复/高效率二极管

编号: C2931775

正向压降(Vf): 1.3V@1A

直流反向耐压(Vr): 1kV

整流电流: 1A

反向电流(Ir): 5uA@1kV

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存73

50+￥0.0659
500+￥0.052
2000+￥0.041
4000+￥0.0364
24000+￥0.0324
50000+￥0.0303

现货最快4小时发货

广东仓: 50

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

ESD 5V截止峰值脉冲电流：5A@8/20us

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-882

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2931879

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 12V

峰值脉冲电流(Ipp): 5A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp): 60W@8/20us

描述采用SOD-882塑料封装的硅二极管。

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SMT扩展库

50+￥0.068
500+￥0.0533
1500+￥0.0451
10000+￥0.0361
20000+￥0.0318
50000+￥0.0295

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 50

10000个/圆盘

个

总额￥0

耐压:600V 电流:3A 反向恢复时间：35ns

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SMB

类目: 快恢复/高效率二极管

编号: C2931796

正向压降(Vf): 1.7V@3A

直流反向耐压(Vr): 600V

整流电流: 3A

反向电流(Ir): 5uA@600V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1

10+￥0.3046
100+￥0.2441
300+￥0.2139
3000+￥0.1752
6000+￥0.1571
9000+￥0.148

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 30

3000个/圆盘

个

总额￥0

ESD 5V截止峰值脉冲电流：5.5A@8/20us

品牌: Doeshare(德芯)

封装: DFN0603-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2931631

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 12.5V

峰值脉冲电流(Ipp): 5.5A@8/20us

击穿电压: 5.6V

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对比

双向TVS 5V截止

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-323

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2931619

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 9.8V

峰值脉冲功率(Ppp): 350W@8/20us

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1个N沟道耐压:60V 电流:340mA

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2931745

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 340mA

导通电阻(RDS(on)): 5.3Ω@4.5V

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对比

1个N沟道耐压:30V 电流:300mA

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-323

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2931699

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 300mA

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@4.5V

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对比

1个P沟道耐压:20V 电流:0.6A

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-883-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2931708

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 600mA

导通电阻(RDS(on)): 800mΩ@2.5V

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对比

耐压:20V 电流:4.5A

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2931749

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 4.5A

导通电阻(RDS(on)): 45mΩ@2.5V

耗散功率(Pd): 1.2W

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对比

1个P沟道耐压:20V 电流:5A

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2931753

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@1.8V

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对比

P沟道增强型场效应管 1个P沟道耐压:30V 电流:4A

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2931752

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4A

导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@2.5V

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对比

电压:30V 电流:200mA

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-523

类目: 肖特基二极管

编号: C2931621

二极管配置: 独立式

正向压降(Vf): 600mV@200mA

直流反向耐压(Vr): 30V

整流电流: 200mA

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对比

电压:30V 电流:200mA

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 肖特基二极管

编号: C2931736

正向压降(Vf): 1V@100mA

直流反向耐压(Vr): 30V

整流电流: 200mA

反向电流(Ir): 2uA@25V

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对比

1N4148WT

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-523

类目: 开关二极管

编号: C2931620

二极管配置: 独立式

直流反向耐压(Vr): 75V

整流电流: 150mA

耗散功率(Pd): 200mW

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对比

ESD 5V截止峰值浪涌电流：4A@8/20us

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2931624

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 12V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp): 48W@8/20us

描述采用SOD-523塑料封装的硅二极管。

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对比

电压:40V 电流:1A

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-323

类目: 肖特基二极管

编号: C2931615

二极管配置: 1个独立式

正向压降(Vf): 900mV@3A

直流反向耐压(Vr): 40V

整流电流: 1A

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对比

ESD 5V截止峰值脉冲电流：4A@8/20us

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2931627

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 12V

峰值脉冲电流(Ipp): 4A@8/20us

峰值脉冲功率(Ppp): 48W@8/20us

描述采用SOD-523塑料封装的硅二极管。

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对比

双向ESD 5V截止峰值脉冲电流：5A@8/20us

品牌: Doeshare(德芯)

封装: DFN0603-2

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2931632

极性: 双向

反向截止电压(Vrwm): 5V

钳位电压: 20V

峰值脉冲电流(Ipp): 5A@8/20us

描述采用DFN0603封装的超低电容ESD保护二极管。

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对比

1N4148WS

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-323

类目: 开关二极管

编号: C2931613

二极管配置: 独立式

正向压降(Vf): 1V@10mA

直流反向耐压(Vr): 75V

整流电流: 150mA

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PNP 电流:100mA

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2931732

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 65V

耗散功率(Pd): 200mW

描述PNP -65V -100mA 220-475 SOT-23

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对比

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SMA

类目: 通用二极管

编号: C2931773

正向压降(Vf): 1.1V@1A

直流反向耐压(Vr): 1kV

整流电流: 1A

反向电流(Ir): 5uA@1kV

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LL4148 100V TRR=4nS LL-34

品牌: Doeshare(德芯)

封装: LL-34

类目: 开关二极管

编号: C2931709

正向压降(Vf): 620mV@10mA

反向电流(Ir): 25nA

反向恢复时间(Trr): 4ns

描述LL4148 75V TRR=4nS LL-34

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对比

NPN 电流:100mA 电压:45V

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2931723

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 100mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 200mW

描述NPN 45V 100mA 200-450 SOT-23

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对比

NPN 电流:200mA 电压:40V

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-323

类目: 三极管(BJT)

编号: C2931642

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 150mW

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对比

PNP 电流:500mA 电压:45V

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2931727

晶体管类型: PNP

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 45V

耗散功率(Pd): 300mW

描述PNP -45V -500mA 160-400 SOT-23

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单向ESD 7V截止峰值浪涌电流：8.8A@8/20us

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-523

类目: 静电和浪涌保护(TVS/ESD)

编号: C2931625

极性: 单向

反向截止电压(Vrwm): 7V

钳位电压: 22.7V

峰值脉冲电流(Ipp): 8.8A@8/20us

描述采用SOD-523塑料封装的硅二极管。

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对比

NPN 电流:500mA 电压:25V

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C2931719

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 500mA

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述NPN 25V 500mA 120-400 SOT-23

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对比

hFE:100-300 NPN 电流:200mA 电压:40V

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-723

类目: 三极管(BJT)

编号: C2931700

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 200mA

集射极击穿电压(Vceo): 40V

耗散功率(Pd): 100mW

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对比

电压:20V 电流:2A

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOD-123FL

类目: 肖特基二极管

编号: C7430681

正向压降(Vf): 550mV@2.0A

直流反向耐压(Vr): 20V

整流电流: 2A

工作结温范围: -55℃~+125℃

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对比

带单片偏置电阻网络的NPN硅表面贴装晶体管

品牌: Doeshare(德芯)

封装: SOT-523

类目: 数字晶体管

编号: C2931637

集射极击穿电压(Vceo): 50V

集电极电流(Ic): 100mA

耗散功率(Pd): 150mW

电阻比率: 0.1

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对比