SALLTECH(萨瑞)
进入品牌官网萨瑞微电子技术有限公司位于江西南昌，是一家专注于半导体芯片设计、集成电路设计及半导体分立器件研发、制造与销售的国家级高新技术企业。公司主要生产瞬态抑制二极管、静电防护器件、半导体放电管、整流二极管和桥式整流器等功率型半导体器件。
- 类目
- 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
- 场效应管(MOSFET)
- 三极管(BJT)
多选 - 封装
- SOT-23(TO-236)
- SOD-323(SC-90)
- DFN-3(2x2)
- DFN1006-2(SOD-882)
- SOP-8
- SOT-363
- SOT-523(SC-75)
- DFN0603-2
- DFN1610-2
- SOT-323(SC-70)
- SOT-723
- DFN-10(1x2.5)
- DFN-6
- DFN1006
- DFN1006-3(SOT-883)
- SMA(DO-214AC)
- SMF(DO-219AB)
- SOD-523(SC-79)
- SOT-23-6
- SOT-563
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数116
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 极性
- 双向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 40V
- 钳位电压
- 64.5V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 6.2A@10/1000us
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
1折起
- ￥0.11679
- ￥0.06202
- ￥0.02705
- ￥0.02408
- ￥0.0217
- ￥0.02051
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 260
4000个/圆盘
个
总额￥0
- 集电极电流(Ic)
- 100mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 45V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 直流电流增益(hFE)
- 220
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存156
- ￥0.1027
- ￥0.0805
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现货最快4小时发货
- 广东仓
- 150
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 50V
- 连续漏极电流(Id)
- 220mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 6Ω@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.3654
- ￥0.2908
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- ￥0.2162
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3000个/圆盘
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 13Ω@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
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- 对比
- 收藏
- 对比
- 极性
- 双向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5V
- 钳位电压
- 13.5V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 3.5A
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
- 晶体管类型
- PNP
- 集电极电流(Ic)
- 200mA
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 750mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@1.8V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 660mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 950mΩ@1.8V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
- 收藏
- 对比
- 收藏
- 对比
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- 对比
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- 对比
- 极性
- 双向
- 反向截止电压(Vrwm)
- 5V
- 钳位电压
- 10V；15V
- 峰值脉冲电流(Ipp)
- 4A@8/20us
描述SEL0521P0是一款5V双向瞬态电压抑制（TVS）二极管，采用先进的单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压低，是保护电压敏感数据和电源线的理想解决方案。该器件尺寸小，ESD浪涌保护能力强，是保护手机、数码相机、音频播放器等众多便携式设备的理想选择。
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- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 12V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 150mΩ@1.5V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
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- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 750mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@1.8V
- 耗散功率(Pd)
- 150mW
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- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@4V
- 耗散功率(Pd)
- 200mW
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 16mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.4W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 6.9A
- 导通电阻(RDS(on))
- 50mΩ@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.25W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5.1A
- 导通电阻(RDS(on))
- 105mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.4W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.25W
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- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 90mΩ@4.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.25W
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