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ETERNAL(宜源科技)

ETERNAL(宜源科技)

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深圳市宜源科技有限公司,简称(宜源科技/ETERNAL),是一家专注于实现创新 、稳定 、高效率, 低成本解决方案的集生产和销售的半导体设计公司 。经过长期的努力 ,已经成为具备设计低压,中压,高压系列 POWERMOSFET分立器件,以及特殊半导体制程设计能力的先进IC设计公司。产品广泛应用于电脑,消费电子,LCD /LED显示器, 通讯电源,工业电源,以及太阳能,风能,锂电等新能源产业。本公司秉承“品质第一 ,用户至上”的理念,期许成为半导体元器件的优质供应商 。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
  • 封装
    • SOP-8
    • SOT-23(TO-236)
    • DFN-6(2x3)
    • DFN-8(5x6)
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • TSSOP-8
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自营结果数17
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  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:20V 电流:5.4A
EN2300
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967032
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
5.4A
导通电阻(RDS(on))
23mΩ@4.5V,2.8A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:20V 电流:4A
EV3415
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967042
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4A
阈值电压(Vgs(th))
600mV
  • 收藏
  • 对比
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
ET8205A
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
TSSOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967047
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
19mΩ@4.5V,6A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.3A
EV3407
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967041
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.3A
导通电阻(RDS(on))
50mΩ@10V,4.3A
  • 收藏
  • 对比
2个N沟道 耐压:20V 电流:6A
ES9926
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967052
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
22mΩ@4.5V,2.8A
  • 收藏
  • 对比
2个N沟道 耐压:30V 电流:6.9A
ES4812
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967053
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
6.9A
阈值电压(Vgs(th))
1.6V
  • 收藏
  • 对比
2个P沟道 耐压:20V 电流:4.8A
GM4953
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967056
数量
2个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4.8A
导通电阻(RDS(on))
75mΩ@4.5V,4.8A
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:30V 电流:10A
ET4410
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967049
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V,10A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
ES9435
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967054
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5.3A
导通电阻(RDS(on))
50mΩ@10V,5.3A
  • 收藏
  • 对比
2个P沟道 耐压:30V 电流:5.3A
ES4953
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SO-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967055
数量
2个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5.3A
导通电阻(RDS(on))
49mΩ@10V,4.8A
  • 收藏
  • 对比
2个N沟道 耐压:20V 电流:10A
ET8818
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
DFN-6-EP(2x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967057
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
10A
耗散功率(Pd)
1.5W
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:9.1A
ET4435
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967051
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
9.1A
导通电阻(RDS(on))
16mΩ@10V,9.1A
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:14A
EY4409
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967050
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
14A
导通电阻(RDS(on))
10mΩ@10V,14A
  • 收藏
  • 对比
双N沟道 增强型 MOSFET
ET8204
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
DFN2x3-6L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5444255
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
10A
耗散功率(Pd)
1.5W
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V
ET6303
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C967059
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
  • 收藏
  • 对比
N沟道高密度沟槽MOSFET
ET6480
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
PDFN5x6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5444268
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
2.5mΩ@10V,40A
  • 收藏
  • 对比
SGT N沟道增强型MOSFET
ET6680T
品牌
ETERNAL(宜源科技)
封装
PDFN5x6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5444270
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
80A
耗散功率(Pd)
78W
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  • 对比