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广东佑风微电子有限公司是一家专注于半导体芯片研发设计、封装测试、 销售服务于一体的高新科技企业。公司成立于2013年,工厂设立于江苏常州。 公司深耕半导体领域多年,始终坚持以产品品质,技术创新为核心,为客户提 供高可靠性、高稳定性的二极管、MOSFET、整流桥、三极管、可控硅、碳化 硅管、光电器件、模拟IC等系列产品及技术解决方案,以满足客户产品设计选 型、产品特殊定制服务需求。公司产品广泛应用于消费类电子、通讯、照明、 电源、安防、工控、汽车电子、医疗设备、新能源等诸多领域。 佑风微以客户为中心 以诚信为准则 以效益为导向,致力于成为全球半导体器 件研发制造商和一体化综合方案提供商。公司将不断创新,发挥自身优势,向 产业链上下游延伸发展,努力实现跨越式发展,以“佑风微”品牌助力中国半导 体产业升级,为铸就民族品牌不懈奋斗!
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 二极管配置: 独立式
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  • 直流反向耐压(Vr): 40V
  • 反向电流(Ir): 5uA
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    • 二极管配置: 独立式
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 平均整流电流(Io): 150mA
    • 反向电流(Ir): 1uA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.3V
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • 正向压降(Vf): 715mV@1mA;1.25V@150mA;1V@50mA;885mV@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 300V
    • 平均整流电流(Io): 300mA
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    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 1.5A
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 正向压降(Vf): 1.1V@1A
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 370mV
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 反向电流(Ir): 5uA
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    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
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    • 稳压值(标称值): 27V
    • 反向电流(Ir): 100nA@18.9V
    • 稳压值(范围): 25.1V~28.9V
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.3V
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 平均整流电流(Io): 1A
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    • SMF20CA
    • 品牌: YFW(佑风微)
    • 封装: SOD-123FL
    • 描述: VRMW(V) 20 BreakdownVoltage(MAX) 24.5 Test Current(mA) 1 IR@VRWM(uA) 1 Vc@IPP(V) 32.4 IPP(A) 6.2
    • 反向截止电压(Vrwm): 20V
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    • 正向压降(Vf): 850mV@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
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    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 550mV
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
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    • SMF48A
    • 品牌: YFW(佑风微)
    • 封装: SOD-123FL
    • 描述: VRMW(V) 48 BreakdownVoltage(MAX) 58.9 Test Current(mA) 1 IR@VRWM(uA) 1 Vc@IPP(V) 77.4 IPP(A) 2.6
    • 反向截止电压(Vrwm): 48V
    • 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us: 2.6A
    • 击穿电压: 58.9V
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