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首页 > 品牌列表 > FETek(东沅) >
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东沅科技成立于2013年5月,位于中国台湾新竹,是一家专注于IC设计的公司。主要生产高压/中低压的MOSFET。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 114A
  • 导通电阻(RDS(on)): 3.2mΩ@10V,15A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 59A
  • 导通电阻(RDS(on)): 9.8mΩ@4.5V,15A
现货最快4H发
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 35A
  • 导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V,18A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 14A
  • 导通电阻(RDS(on)): 8.7mΩ@10V,12A
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  • 类型: 1个N沟道+1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 导通电阻(RDS(on)): 65mΩ@4.5V,4A
  • 耗散功率(Pd): 31.3W
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 连续漏极电流(Id): 900mA
  • 导通电阻(RDS(on)): 650mΩ@4.5V,0.4A
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  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 52A
  • 导通电阻(RDS(on)): 6.3mΩ@10V,20A
  • 耗散功率(Pd): 27W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 40A
  • 导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V,20A
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  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 7.5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 40mΩ@4.5V,3A
  • 耗散功率(Pd): 3.1W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 30A
  • 导通电阻(RDS(on)): 6.3mΩ@10V,20A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 40A
  • 导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V,20A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 58A
  • 导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@4.5V,15A
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  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 42A
  • 导通电阻(RDS(on)): 11.5mΩ@10V,20A
  • 耗散功率(Pd): 34.7W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 60A
  • 导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V,12A
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  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 11A
  • 导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@4.5V,8A
  • 耗散功率(Pd): 5.2W
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 52A
  • 导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@4.5V,12A
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  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 7.5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 40mΩ@10V,7.5A
  • 耗散功率(Pd): 3.1W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 80V
  • 连续漏极电流(Id): 60A
  • 导通电阻(RDS(on)): 8.7mΩ@10V,15A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 连续漏极电流(Id): 37A
  • 导通电阻(RDS(on)): 47mΩ@10V,20A
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  • 类型: 2个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 17A
  • 导通电阻(RDS(on)): 42mΩ@4.5V,7A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 70A
  • 导通电阻(RDS(on)): 7.2mΩ@4.5V,15A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 70A
  • 导通电阻(RDS(on)): 7.2mΩ@4.5V,15A
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  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 28A
  • 导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V,28A
  • 耗散功率(Pd): 20W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 46A
  • 导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@4.5V,10A
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  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 80A
  • 导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V,30A
  • 耗散功率(Pd): 53W
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 81A
  • 导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V,15A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 3.3A
  • 导通电阻(RDS(on)): 135mΩ@2.5V,2A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 37A
  • 导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@10V,15A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 60A
  • 导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V,12A
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 8.7A
  • 导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@10V,8A
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