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东沅科技成立于2013年5月,中国台湾新竹。本公司为一 IC 设计公司,拥有杰出研发团队的东沅,设计提供给计算机、网通、消费性产品、手机、电池与其他电源相关的Power Mosfet。主要产品为高压/中低压的Power Mosfet,本公司产品坚持高质量、高效率、良好服务、真诚,致力于成为中国台湾第一的电源管理IC设计公司。 东沅的Power Mosfet,效能好、可靠度佳、价格有优势,所以在极短时间内,东沅已经拥有相当数量的客户。 东沅科技于2015年1月22日通过了ISO9001认证,致力于提供给客户高质量、高满意度、高竞争力的产品。未来,东沅将秉持着成为中国台湾第一大Power Mosfet供货商的信心,继续努力。
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33
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 114A
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.2mΩ@10V,15A
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    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 65mΩ@4.5V,4A
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 58A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.5mΩ@4.5V,15A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.3mΩ@10V,20A
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    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 60A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.5mΩ@10V,12A
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    • 连续漏极电流(Id): 42A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 11.5mΩ@10V,20A
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 900mA
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 650mΩ@4.5V,0.4A
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    • 功率(Pd): 3.1W
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 59A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 9.8mΩ@4.5V,15A
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    • 连续漏极电流(Id): 7.5A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 40mΩ@10V,7.5A
    • 功率(Pd): 3.1W
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 52A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 13mΩ@4.5V,12A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 80V
    • 连续漏极电流(Id): 60A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.7mΩ@10V,15A
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    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ@4.5V,8A
    • 功率(Pd): 5.2W
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 70A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 7.2mΩ@4.5V,15A
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    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 17A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 42mΩ@4.5V,7A
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    • 连续漏极电流(Id): 28A
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    • 功率(Pd): 20W
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