HRmicro(华瑞微)
进入品牌官网南京华瑞微集成电路有限公司成立于2018年5月，位于南京市浦口高新区科创广场，是一家专注于功率器件产品研发、生产和销售的高新技术企业。主要生产高压VDMOS、低压Trench MOS、超结MOS和SGT MOS，并正在研发第三代半导体（SiC、GaN）功率器件。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 封装
- TO-220F
- TO-252
- TO-263
- SOP-8
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销量
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自营结果数36
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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价格梯度(含税)
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操作
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 41W
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近期成交5单
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 25A
- 导通电阻(RDS(on))
- 350mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 379W
- 收藏
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- ￥2.96
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800个/圆盘
个
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近期成交4单
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 11A
- 导通电阻(RDS(on))
- 400mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 31W
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SMT扩展库
- ￥5.39
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50个/管
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- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 330mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 75W
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- 对比
SMT扩展库
- ￥3.06
- ￥2.42
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- ￥1.81
- ￥1.66
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50个/管
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- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 270mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 128W
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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5Ω@10V
- 阈值电压(Vgs(th))
- 4V@250uA
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2500个/圆盘
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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.7Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 34.4W
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- 对比
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2500个/圆盘
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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.4Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 41W
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- 对比
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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 55W
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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.7Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 34.4W
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- 对比
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- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
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- 48W
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- ￥0.6389
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- 2500
2500个/圆盘
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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.6Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 36W
- 收藏
- 对比
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- ￥0.8021
- ￥0.6389
- ￥0.5573
- ￥0.4961
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2500个/圆盘
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近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 41W
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- 对比
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50个/管
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近期成交2单
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 120W
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- 对比
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- ￥2.1578
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800个/圆盘
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近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 420mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 113W
- 收藏
- 对比
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- ￥3.94
- ￥3.2
- ￥2.83
- ￥2.46
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- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.4Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 13.7W
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- 对比
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- ￥0.5426
- ￥0.4322
- ￥0.377
- ￥0.3356
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- 2480
2500个/圆盘
个
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近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 48W
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- 对比
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- ￥1.8669
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- ￥1.3125
- ￥1.105
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50个/管
个
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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 800mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 55W
- 收藏
- 对比
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- ￥1.9881
- ￥1.5749
- ￥1.3977
- ￥1.1767
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- 1000
50个/管
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- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 48W
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- 对比
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- ￥2.0124
- ￥1.5941
- ￥1.4148
- ￥1.1911
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- 1000
50个/管
个
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- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 13A
- 导通电阻(RDS(on))
- 480mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 49W
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SMT扩展库
- ￥2.0366
- ￥1.6133
- ￥1.4318
- ￥1.2054
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- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 48W
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- 对比
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- ￥2.1094
- ￥1.6709
- ￥1.483
- ￥1.2485
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- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 700V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 900mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 58W
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- 对比
SMT扩展库
- ￥2.3033
- ￥1.8245
- ￥1.6193
- ￥1.3633
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- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 640mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 139W
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- 对比
SMT扩展库
- ￥2.3761
- ￥1.8821
- ￥1.6705
- ￥1.4063
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- 1000
1000个/盒
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.7Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 26.7W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.9941
- ￥0.7875
- ￥0.6989
- ￥0.5884
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- 广东仓
- 0
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- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 450V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 950mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 5W
描述450V N-Channel Planar MOSFET基于先进的平面条纹DMOS技术。该先进的MOSFET系列优化了导通电阻，还提供了卓越的开关性能和更高的雪崩能量强度。此器件系列适用于高效开关模式电源。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.1396
- ￥0.9027
- ￥0.8012
- ￥0.6745
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- 广东仓
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- 江苏仓
- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 450V
- 连续漏极电流(Id)
- 11A
- 导通电阻(RDS(on))
- 460mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 65.5W
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- 对比
SMT扩展库
- ￥1.285
- ￥1.0179
- ￥0.9034
- ￥0.7606
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- 广东仓
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- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 41W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.285
- ￥1.0179
- ￥0.9034
- ￥0.7606
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- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 19W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.3093
- ￥1.0371
- ￥0.9205
- ￥0.7749
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 450V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 620mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 59.81W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.4547
- ￥1.1523
- ￥1.0227
- ￥0.861
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1000
50个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 450V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 500mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 59.81W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.576
- ￥1.2484
- ￥1.108
- ￥0.9328
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1000
50个/管
个
总额￥0