
晶扬电子
进入品牌官网深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,秉持“信誉为本,质量第一,客户至上”的经营理念,2022年荣获深圳市专精特新“小巨人”称号。公司专注于IC设计、生产、销售及系统集成,主要产品包括ESD、TVS、MOS管、二三极管、电源管理芯片、LDO系列和LED等系列产品。
深圳市晶扬电子有限公司成立于2006年,秉持“信誉为本,质量第一,客户至上”的经营理念,2022年荣获深圳市专精特新“小巨人”称号。公司专注于IC设计、生产、销售及系统集成,主要产品包括ESD、TVS、MOS管、二三极管、电源管理芯片、LDO系列和LED等系列产品。
描述TT0501SBX是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。TT0501SBX典型电容仅为0.35pF,旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、极快速充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等。TT0501SBX采用超小型DFN1006 - 2L封装。每个TT0501SBX器件可保护一条高速数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等综合特性,使TT0501SB非常适合高速数据端口和高频线路(如USB 2.0和天线线路)应用,例如手机和高清视觉设备。
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描述TT0501MBX是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。TT0501MBX的典型电容仅为12pF,旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40A,5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。TT0501MBX采用超小型uDFN - 2L封装。每个TT0501MBX器件可保护一条数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。
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描述MOSFET,小信号,SOT-23
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描述TT0321SBX是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计。其典型电容仅为0.45pF,旨在保护对寄生效应敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。TT0321SBX采用符合RoHS标准且无卤的1.0mm x 0.6mm x 0.55mm DFN1006-2L封装。
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描述TS0301TEX是一款超低电容ESD和浪涌保护器,旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。TS0301TEX旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40A、5/50 ns)、IEC 61000 - 4 - 5(浪涌)(20 A、8/20 μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。TS0301TEX采用SOD - 323封装。超低电容和高ESD鲁棒性的综合特性使TS0301TEX非常适合不适合使用阵列的应用场景。TS0301TEX的低钳位电压确保了受保护IC承受的应力最小。
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描述此器件采用 SOT-23封装,适用于低功率表面贴装应用。
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描述P沟道,-30V,-4A,50mΩ@-10V
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描述Type(NPN)/VCBO60(V)/VCEO40(V)/VEBO 6(V)/IC0.2(A)/hFE30~300/fT300(MHz)
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描述启动电压min3.6V 电容0.6pF
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描述MOS管/PC/一体机@@P沟道增强型功率MOSFET
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描述启动电压min.16.7V 电容0.35pF
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描述TT0421SAX是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计。其典型电容仅为0.15pF,旨在保护对寄生参数敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。TT0421SAX采用符合RoHS标准且无卤的0.6mm x 0.3mm x 0.3mm DFN0603-2L封装。
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描述VRWM20(V)/VBR(Min)@IT22.2(V)/VBR(Max)@IT25.5(V)/IT1(mA)/IR5(uA)/VC(Max)32.4(V)/Ipp(Max)46.3(A)
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描述SM712通过在单个封装中集成两个12V和两个7V的瞬态电压抑制(TVS)二极管,取代了四个分立元件。这种集成设计有助于减少与走线电感相关的电压过冲。SM712的低钳位电压可将受保护收发器所承受的应力降至最低。SM712瞬态电压抑制(TVS)二极管专为多点数据传输标准RS - 485应用中的不对称(12V至 - 7V)保护而设计。SM712专门用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受由静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
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描述TT3304SPX是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),专为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护而设计。TT3304SPX典型电容仅为0.18pF,旨在保护对寄生敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。TT3304SPX采用超小型DFN2510-10L封装。每个TT3304SPX器件可保护四条高速数据线。超低电容、超小尺寸和高ESD耐受性的综合特性,使TT3304SPX非常适合高速数据端口和高频线路(如HDMI和DVI)应用。TT3304SPX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。
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描述高速开关二极管,封装: SOT-23
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描述TS0301PEX是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS)阵列,旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。TS0301PEX典型电容仅为4.5pF,旨在保护对寄生参数敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD,4级 ±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT,40A、5/50 ns)、IEC 61000 - 4 - 5(浪涌,35A、8/20 μs)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。TS0301PEX采用SOD323封装。每个TS0301PEX器件可保护一对高速线路。“直通式”设计可将走线电感降至最低,并减少与ESD事件相关的电压过冲。低电容和高ESD耐受性的综合特性使TS0301PEX非常适合手机和MP3播放器等便携式应用。TS0301PEX的低钳位电压可确保受保护IC承受的应力最小。
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描述MOS管/PC/一体机@@P沟道增强型功率MOSFET
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描述TTA0541SA X是一款超低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。其典型电容仅为0.27pF,旨在保护对寄生敏感的系统免受过电压和过电流瞬态事件的影响。TTA0541SA X采用符合RoHS标准且无卤的0.6mm x 0.3mm x 0.3mm DFN 0603 - 2L封装。
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描述反向工作电压max.1.5(V)/启动电压min.1.8(V)/钳位电压6@8kV(V)/漏电电流max.0.1(uA)/电容0.13(pF)
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描述USB2.0 至 USB3.0 ,HDMI2.0@@TVS管 /防静电芯片IC/USB3.0/TYPE-C/HDMI/快充
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