XDM(芯达茂)
进入品牌官网厦门芯达茂微电子有限公司位于厦门国家火炬高新园区，专注于半导体电源器件、集成电路、模块及电机驱动控制器的设计。主要生产包括MOS管、IGBT、闸极驱动IC、MOSFET/IGBT功率模块与驱动器等产品。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- IGBT管/模块
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
多选 - 封装
- TO-247
- -
- DFN-8(5x6)
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数5
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 138A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.6mΩ@10V,20A
- 耗散功率(Pd)
- 125W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.21
- ￥3.15
- ￥3.11
- ￥3.07
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1
5000个/圆盘
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 28A
- 导通电阻(RDS(on))
- 240mΩ@10V,28A
- 耗散功率(Pd)
- 85W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥8.13
- ￥6.49
- ￥5.58
- ￥4.56
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 10
30个/管
个
总额￥0
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 40A
- 耗散功率(Pd)
- 277W
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 2V@40A,15V
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 耗散功率(Pd)
- 330W
- 收藏
- 对比
- IGBT类型
- IGBT模块
- 集射极击穿电压(Vces)
- 1.2kV
- 集电极电流(Ic)
- 35A
- 耗散功率(Pd)
- 172W
- 收藏
- 对比