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"厦门芯达茂微电子有限公司坐落于厦门国家火炬高新园区,是一家从事半导体电源器件、集成电路、模块及电机驱动控制器的专业设计企业。 我们采用国内外先进的半导体制造、封装与组装代工技术,专注于开发直流无刷马达所需的关键零组件,包括各类的MOS管, IGBT, 闸极驱动IC, MOSFET/IGBT功率模块与驱动器, 功率范围从10W到100KW, 包含从家用到工业用的各类马达之应用, 如各种风扇、冰箱、空调到工具机、增氧机、水泵、慢速车等。 芯达茂微电子主要股东包括国企与国家基金,资金上无后顾之忧。经营与研发团队成员来自中国台湾与大陆的精英。不只在功率器件、集成电路与系统等技术领域学有专精,在生产、销售方面也有多年之经验。总计超过200年以上的产品开发与管理经验。配合集团自有之机电产业园需求,更可发挥产完整产业链之综效。 秉持诚信、品质与服务的三大公司信念,结合人力、技术、资金与产业链优势,芯达茂矢志提供市场最具竞争力的解决方案,也必是您最佳的合作伙伴。
综合排序 价格 库存 销量
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39
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 集射极击穿电压(Vces): 600V
  • 集电极电流(Ic): 6A
  • 功率(Pd): 89W
  • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.75V@6A,15V
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    • 连续漏极电流(Id): 28A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,14A
    • 功率(Pd): 85W
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    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.3Ω@10V,2A
    • 功率(Pd): 75W
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    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.1Ω@10V,3.5A
    • 功率(Pd): 35.2W
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,5.5A
    • 功率(Pd): 40W
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    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 600mΩ@10V,3.5A
    • 功率(Pd): 36W
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    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.1Ω@10V,3.5A
    • 功率(Pd): 35.2W
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    • 连续漏极电流(Id): 12A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 620mΩ@10V,5A
    • 功率(Pd): 42W
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    • 集电极电流(Ic): 50A
    • 功率(Pd): 385W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.55V@50A,15V
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    • 集电极电流(Ic): 15A
    • 功率(Pd): 245W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 2V@15A,15V
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    • IGBT类型: IGBT模块
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 40A
    • 功率(Pd): 193W
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    • IGBT类型: IGBT模块
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 25A
    • 功率(Pd): 153W
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    • IGBT类型: IGBT模块
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 75A
    • 功率(Pd): 357W
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      ¥240.9
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    • IGBT类型: IGBT模块
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 15A
    • 功率(Pd): 130W
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    • IGBT类型: IGBT模块
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 50A
    • 功率(Pd): 108W
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    • Id-漏极电流(25℃): 36A
    • Pd-功耗: 208W
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    • IGBT类型: IGBT模块
    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 35A
    • 功率(Pd): 172W
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    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 40A
    • 功率(Pd): 277W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 2V@40A,15V
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    • Id-漏极电流(25℃): 60A
    • Pd-功耗: 330W
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    • 集电极电流(Ic): 75A
    • 功率(Pd): 385W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.8V@75A,15V
    • 近期成交2单
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    • 集射极击穿电压(Vces): 600V
    • 集电极电流(Ic): 15A
    • 功率(Pd): 125W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.8V@15A,15V
    • 近期成交3单
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    • 集射极击穿电压(Vces): 600V
    • 集电极电流(Ic): 6A
    • 功率(Pd): 89W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.75V@6A,15V
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    • 近期成交9单
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    • 集射极击穿电压(Vces): 1.2kV
    • 集电极电流(Ic): 25A
    • 功率(Pd): 365W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 2V@20A,15V
    • 近期成交1单
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    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 36A
    • Pd-功耗: 208W
    • 已加购
    • 集射极击穿电压(Vces): 600V
    • 集电极电流(Ic): 6A
    • 功率(Pd): 89W
    • 集射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Vge): 1.75V@6A,15V
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    • Vds-漏源击穿电压: 1200V
    • Id-漏极电流(25℃): 60A
    • Pd-功耗: 330W
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    • 连续漏极电流(Id): 10A
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