华润华晶
进入品牌官网无锡华润华晶微电子有限公司，作为华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业及中国半导体协会分立器件分会副理事长单位，主要生产分立器件及集成电路。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 音频功率放大器
- 三极管(BJT)
- IGBT管/模块
- 晶体管输出光耦
- 漏电保护芯片
- 运算放大器
- 特殊功能放大器
- RF调制器和解调器
- 肖特基二极管
- DC-DC电源芯片
- LED驱动
多选 - 封装
- TO-220F
- TO-251
- TO-252
- TO-220
- SOP-8
- TO-3P
- TO-92
- DIP-4
- TO-126
- TO-220-5
- ZIP-15
- SMD-4P
- TO-247
- TO-262
- ZIP-25
- DIP-12
- DIP-18
- DIP-7
- DIP-8
- SIP-14
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数132
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V,2A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2214
- ￥2.83
- ￥2.19
- ￥1.92
- ￥1.58
- ￥1.43
- ￥1.34
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 2214
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交11单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 800mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 15Ω@10V,0.4A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1961
5.8折起
- ￥0.81315
- ￥0.561544
- ￥0.425082
- ￥0.35786
- ￥0.327932
- ￥0.31001
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1960
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10.5mΩ@10V,12A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1224
3折起
- ￥0.69415
- ￥0.48812
- ￥0.34449
- ￥0.31752
- ￥0.30552
- ￥0.29832
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1224
- 江苏仓
- 263
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交5单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5Ω@10V,2A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存800
5.8折起
- ￥1.550718
- ￥1.070932
- ￥0.810666
- ￥0.682486
- ￥0.625414
- ￥0.591194
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 800
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 55A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10mΩ@10V,20A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2
5.8折起
- ￥1.720914
- ￥1.188436
- ￥0.899638
- ￥0.757422
- ￥0.694086
- ￥0.656096
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 75
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 9A
- 导通电阻(RDS(on))
- 280mΩ@10V,5.4A
描述N沟道 200V 9A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1266
- ￥1.8772
- ￥1.474
- ￥1.3012
- ￥1.0856
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1265
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 5A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V,2A
描述N沟道 650V 5A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存34
6.2折起
- ￥1.965622
- ￥1.367136
- ￥1.044886
- ￥0.879656
- ￥0.806124
- ￥0.76198
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 34
- 江苏仓
- 855
50个/管
个
总额￥0
近期成交5单
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 4A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 75W
描述3DD13005 GRD 是硅NPN型功率开关晶体管，该产品采用平面工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术，集成了有源抗饱和网络，提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
1折起
- ￥0.71283
- ￥0.37642
- ￥0.16705
- ￥0.14063
- ￥0.12887
- ￥0.12182
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 49
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 750mΩ@10V
描述N沟道,600V,12A,570mΩ@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存787
- ￥2.73
- ￥2.42
- ￥2.27
- ￥2.12
- ￥2.03
- ￥1.98
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 787
- 江苏仓
- 65
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 490mΩ@10V,2.9A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1
- ￥1.9053
- ￥1.5021
- ￥1.3293
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1
- 江苏仓
- 1
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交1单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 700V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.05Ω@10V,5A
描述N沟道,700V,10A,880mΩ@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存668
- ￥3.77
- ￥3.04
- ￥2.67
- ￥2.31
- ￥2.09
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 668
50个/管
个
总额￥0
近期成交13单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 800mA
- 导通电阻(RDS(on))
- 15Ω@10V,0.4A
描述N沟道,600V,800mA,11Ω@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.6254
- ￥0.4958
- ￥0.431
- ￥0.3824
- ￥0.3435
- ￥0.324
需订货
- 广东仓
- 0
2000个/盒
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8mΩ@5V,40A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.9881
- ￥1.5749
- ￥1.3977
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 3
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.5Ω@10V,2A
描述N沟道 650V 4A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存12
- ￥1.6487
- ￥1.306
- ￥1.1591
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 12
75个/管
个
总额￥0
近期成交7单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.4Ω@10V,3.5A
描述N沟道 650V 7A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存5
- ￥2.52
- ￥1.96
- ￥1.73
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5
50个/管
个
总额￥0
近期成交2单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 600V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2Ω@10V,4A
描述N沟道 600V 8A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.58
- ￥2.89
- ￥2.55
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 3
50个/管
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1Ω@10V,5A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存3
- ￥4.45
- ￥3.59
- ￥3.15
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3
50个/管
个
总额￥0
近期成交5单
- 晶体管类型
- NPN+PNP
- 集电极电流(Ic)
- 1.5A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 800mW
描述3DD13003 F1D是硅NPN型功率开关晶体管，该产品采用平面工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术，集成了有源抗饱和网络，提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存5
- ￥0.4169
- ￥0.3305
- ￥0.2873
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5
1000个/袋
个
总额￥0
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 1.3A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 800mW
描述3DD13003 E1D 是硅NPN型功率开关晶体管，该产品采用平面工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术，集成了有源抗饱和网络，提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1
- ￥0.5096
- ￥0.404
- ￥0.3512
- ￥0.3116
- ￥0.2799
- ￥0.264
需订货
- 广东仓
- 0
1000个/袋
个
总额￥0
- 晶体管类型
- NPN
- 集电极电流(Ic)
- 1.3A
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 400V
- 耗散功率(Pd)
- 40W
描述3DD13003 E6D 是硅NPN型功率开关晶体管，该产品采用平面工艺，分压环终端结构和少子寿命控制技术，集成了有源抗饱和网络，提高了产品的击穿电压、开关速度和可靠性。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2
- ￥0.5096
- ￥0.404
- ￥0.3512
- ￥0.3116
- ￥0.2799
- ￥0.264
需订货
- 广东仓
- 0
400个/袋
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 700V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3Ω@10V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1
- ￥2.57
- ￥2.03
- ￥1.8
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1
- 江苏仓
- 25
50个/管
个
总额￥0
近期成交4单
- 漏源电压(Vdss)
- 650V
- 连续漏极电流(Id)
- 7A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.4Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 35W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.33
- ￥2.63
- ￥2.33
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2
50个/管
个
总额￥0
近期成交1单
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 100W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.45
- ￥2.71
- ￥2.4
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1
75个/管
个
总额￥0
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V
- 耗散功率(Pd)
- 180W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.78
- ￥3.07
- ￥2.71
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2
50个/管
个
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 800V
- 连续漏极电流(Id)
- 4A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.2Ω@10V,2A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1
- ￥3.95
- ￥3.2
- ￥2.82
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1
50个/管
个
总额￥0