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首页 > 品牌列表 > 华润华晶 >
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无锡华润华晶微电子有限公司,作为华润微电子旗下负责功率半导体器件业务的国家重点高新技术企业及中国半导体协会分立器件分会副理事长单位,主要生产分立器件及集成电路。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 200V
    • 连续漏极电流(Id): 9A
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    • 漏源电压(Vdss): 60V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
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    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 500mΩ@10V,5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 800mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 15Ω@10V,400mA
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V,2A
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    • 第四阶梯7.7
    • 第五阶梯7.7
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 700V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.05Ω@10V,5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 100A
    • 导通电阻(RDS(on)): 5.3mΩ@10V,50A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.8Ω@10V,2A
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    • 漏源电压(Vdss): 200V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 800mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 15Ω@10V,400mA
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    • 漏源电压(Vdss): 600V
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    • 集电极电流(Ic): 4A
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    • 直流电流增益(hFE): 15@1A,5V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 13A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.2Ω@10V,3.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.2Ω@10V,4A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 700V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.55Ω@10V,2A
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    • 漏源电压(Vdss): 800V
    • 连续漏极电流(Id): 6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.8Ω@10V,3A
    • 耗散功率(Pd): 180W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 800V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.2Ω@10V,2A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 400V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 360mΩ@10V,5A
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    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.2Ω@10V,2A
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