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首页 > 品牌列表 > RECTRON(丽正) >
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RECTRON有限公司是由一批经验丰富的半导体工程师建立在涂成,中国台北1975年1月。地方融资,RECTRON很快成为质量分立半导体认可的供应商。 1981年,RECTRON增加销售收入,扩展排在1994年初的时候RECTRON委托中国工厂,以提高我们的竞争优势,并增加分立器件产品的制造能力。 所有RECTRON工厂都是独资和利用定制的,垂直整合制造和装配过程。我们的中国工厂已取得TS16949质量的认可标准,具有ISO 14000及OHSAS 18000环境,健康和安全认证。 RECTRON取得了无与伦比的质量和生产效率。采用半导体生产IPQC,SPC,和TQM方法提高质量水平。 RECTRON获得批准普通股的首次公开发行在1985年1月,并已在美国洛杉矶开了家全资子公司;伦敦,英国和香港。 拥有超过40年的整流器制造经验,RECTRON被广泛地在每一个地理位置的主要OEM的事实上的标准接受。 RECTRON学分的近700名经验丰富,敬业名员工在确保RECTRON仍然是质量整流器制造的全球领导者最宝贵的财富。
综合排序 价格 库存 销量
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281
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 二极管配置: 独立式
  • 稳压值(标称值): 5.1V
  • 反向电流(Ir): 10uA@3V
  • 稳压值(范围): 4.85V~5.36V
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    • 二极管配置: 独立式
    • 稳压值(标称值): 6.2V
    • 反向电流(Ir): 3uA@4V
    • 稳压值(范围): 5.89V~6.51V
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    • 正向压降(Vf): 14V@350mA
    • 直流反向耐压(Vr): 8.7kV
    • 整流电流: 380mA
    • 反向电流(Ir): 5uA@8700V
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      ¥9.7
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    • 正向压降(Vf): 1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 1kV
    • 整流电流: 1.5A
    • 反向电流(Ir): 1uA@1kV
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    • 正向压降(Vf): 1V@1A
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 1.5A
    • 反向电流(Ir): 1uA@100V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 800V
    • 导通电阻(RDS(on)): 320mΩ
    • 耗散功率(Pd): 260W
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 12V
    • 连续漏极电流(Id): 6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@4.5V,6A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 4.1A
    • 导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@2.5V,4.1A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@4.5V,1.5A
    • 圆盘
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 120mΩ@4.5V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 50V
    • 连续漏极电流(Id): 220mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V,0.22A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 3.9A
    • 导通电阻(RDS(on)): 52mΩ@4.5V,1.5A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 3A
    • 导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@4.5V,3A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 130mΩ@2.5V,1A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 59mΩ@2.5V
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 130mΩ@2.5V,1A
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    • 类型: 1个N沟道+1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 750mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.2Ω@2.5V,0.2A
    • 圆盘
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 700mA
    • 导通电阻(RDS(on)): 600mΩ@2.5V
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