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首页 > 品牌列表 > KY(韩景元) >
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深圳市韩景元电子有限公司原位于韩国,2004年在中国山东省威海市全资兴建了现代化生产基地。公司专业从事功率半导体开关元件及防护器件的研发与生产,主要产品包括可控硅、瞬态电压抑制二极管、肖特基二极管和高压触发二极管。
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  • 可控硅类型: 1个双向可控硅
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    • 门极触发电压(Vgt): 800mV
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
    • 保持电流(Ih): 80mA
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.3V
    • 保持电流(Ih): 25mA
    • 断态峰值电压(Vdrm): 800V
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    • 类型: 2个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 3A
    • 导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@2.5V,2A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 8A
    • 导通电阻(RDS(on)): 20mΩ@4.5V,10A
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 浪涌电流: 27A
    • 门极平均耗散功率(PG(AV)): 1W
    • 通态电流(It): 4A
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
    • 保持电流(Ih): 80mA
    • 断态峰值电压(Vdrm): 800V
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
    • 断态峰值电压(Vdrm): 600V
    • 通态峰值电压(Vtm): 1.7V
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
    • 保持电流(Ih): 80mA
    • 断态峰值电压(Vdrm): 800V
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    • 门极触发电压(Vgt): 800mV
    • 保持电流(Ih): 4mA
    • 断态峰值电压(Vdrm): 600V
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 导通电阻(RDS(on)): 34mΩ@4.5V,6.9A
    • 耗散功率(Pd): 3W
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
    • 保持电流(Ih): 80mA
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    • 品牌: KY(韩景元)
    • 封装: TO-220A
    • 描述: 12A Insulated 3 Quadrants TRIACs IT(RMS): 12A VGT: ≤1.3V VDRM VRRM:800V TJ:-40~125℃
    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.3V
    • 保持电流(Ih): 50mA
    • 断态峰值电压(Vdrm): 800V
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 保持电流(Ih): 5mA
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
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    • 可控硅类型: 1个单向可控硅
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    • 可控硅类型: 1个单向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1V
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    • 通态峰值电压(Vtm): 1.7V
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    • 第二阶梯9.3
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    • 第五阶梯9.3
    • 第六阶梯9.3
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
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    • 连续漏极电流(Id): 3.6A
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    • 广东仓: 2870
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    • 可控硅类型: 1个双向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
    • 保持电流(Ih): 50mA
    • 断态峰值电压(Vdrm): 800V
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    • 可控硅类型: 1个单向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 800mV
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 24mΩ@4.5V
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    • 品牌: KY(韩景元)
    • 封装: ITO-247
    • 描述: 晶闸管(可控硅)/模块 80A Standard SCRs IT(RMS):80A VGT: 1.5V VDRM VRRM:1200V TJ:-40-125℃
    • 可控硅类型: 1个单向可控硅
    • 门极触发电压(Vgt): 1.5V
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