我的订单购物车(0)联系客服帮助中心供应商合作嘉立创产业服务群
领券中心备货找料立推专区爆款推荐TI订货PLUS会员BOM配单PCB/SMT工业品面板定制
JD(晶导)

JD(晶导)

深圳市晶导电子有限公司是专业的半导体分立器件封装企业, 公司成立于1994年,注册资金为人民币4000万元,是集研发、生产、销售、技术服务为一体的高新技术企业,是我国较早从事规模化生产高反压、中大功率的二、三极管的企业之一

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
  • 封装
    • TO-220F
    • TO-252
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数9
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

N沟道,电流:2.0A,耐压:650V
CM2N65C
品牌
JD(晶导)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2838999
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
4.3Ω@10V
耗散功率(Pd)
28W

描述连接漏极电流(Id)(25℃时):2A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

  • 收藏
  • 对比
650V N沟道 MOSFET,电流:4A,耐压:650V
CM4N65C
品牌
JD(晶导)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2839000
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)
35W

描述连接漏极电流(Id)(25℃时):4A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:4A,耐压:650V
CM4N65F
品牌
JD(晶导)
封装
TO-220FH
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2839002
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.5Ω@10V
耗散功率(Pd)
28W

描述连接漏极电流(Id)(25℃时):4A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:7A,耐压:650V
CM5N65F
品牌
JD(晶导)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2839004
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
1.3Ω@10V
耗散功率(Pd)
38W

描述连接漏极电流(Id)(25℃时):5A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:5A,耐压:500V
CM5N50F
品牌
JD(晶导)
封装
TO-220FH
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2839003
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
1.5Ω@10V
  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:7A,耐压:650V
CM7N65C
品牌
JD(晶导)
封装
TO-252S
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2839001
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
1.4Ω@10V
耗散功率(Pd)
65W

描述连接漏极电流(Id)(25℃时):7A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

  • 收藏
  • 对比
650V N沟道MOSFET,电流:7A,耐压:650V
CM7N65F
品牌
JD(晶导)
封装
TO-220FH
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2839006
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
1.4Ω@10V
耗散功率(Pd)
38W

描述连接漏极电流(Id)(25℃时):7A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

  • 收藏
  • 对比
650V N沟道MOSFET,电流:10A,耐压:650V
CM10N65F
品牌
JD(晶导)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2839008
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
700mΩ@10V
耗散功率(Pd)
55W

描述连接漏极电流(Id)(25℃时):10A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:12A,耐压:650V
CM12N65F
品牌
JD(晶导)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2839009
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
700mΩ@10V
耗散功率(Pd)
60W

描述连接漏极电流(Id)(25℃时):12A,漏源电压(Vdss):650V,N沟道,应用于高频开关电源、电子镇流器

  • 收藏
  • 对比