
VPSC(源特科技)
进入品牌官网该品牌专注于中小功率ACDC和DCDC电源管理芯片及功率模组领域,主要生产电源管理芯片和功率模组。公司产品性能和品质对标世界一流模拟芯片厂商,并在多项关键技术指标上达到行业领先水平。
该品牌专注于中小功率ACDC和DCDC电源管理芯片及功率模组领域,主要生产电源管理芯片和功率模组。公司产品性能和品质对标世界一流模拟芯片厂商,并在多项关键技术指标上达到行业领先水平。
描述VPS8504B是一款专门为小体积、低待机功耗微功率隔离电源而设计的推挽式变压器驱动器,其外围只需匹配简单的输入输出滤波电容、隔离变压器和整流电路,即可实现3.3V或5V输入、3.3V-24V输出、输出功率1-3W的隔离电源。
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描述LM5020,NCP12700,MP3910
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描述专业电源管理(PMIC)@@全桥拓扑结构 可选择开环 LLC 驱动模式、高集成度,外围简单、输入冲击电压高达 38V、频率同步功能、
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描述VPC218X是一款适用于多种拓扑结构(Flyback、Buck、Boost)的高集成度电流模式PWM控制器。其超宽输入电压范围为4V至100V,适用于多种应用场景,包括工业电源转换、BMS辅助电源、POE电源和隔离通信电源。内置多种保护功能,确保开关电源的高可靠性。
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描述专业电源管理(PMIC)@@适用于 PSR 和 SSR 反激\Boost\Buck、PSR 反馈最小采样时间低至 0.4uS、CCM 和 DCM 模式兼容、集成 132V/0.6Ω LDMOS、集成无损电流采样、可编程峰值电流、可编程功率管驱动速度、可编程输入欠压和过压保护、短路保护和过温保护、轻负载逐级模拟降频优化效率曲线、内置前馈补偿功能、内置软启动和斜坡补偿、CCM/DCM 模式下内置环路 PSR 控制、直接光耦合器接口、内置环路补偿和输出二极管压降温度补偿、ESOP8 强散热型封装
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描述VPC2845是高性能的电流模式通用PWM控制器,采用先进的BCD半导体工艺设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。适用于任何极性的开关稳压器、变压器耦合DC-DC转换器和BMS辅助电源。
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描述VPCx8C4x 是高性能的电流模式通用PMW 控制器,采用先进的BCD 半导体工艺进行设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。内部实现的电路包括欠压锁定(UVLO)、启动电流低至几十微安的启动电路、提供电流限制控制的脉宽调制(PWM) 快速比较器、快速比较的振荡器、误差放大器、由NMOS 管和PMOS 管组成的推挽输出等。还设计了钳位电路,正常情况下器件工作于19V 以下,功耗小而适应于更宽的温度范围;在辅助供电过高时,可阻止VDD 电压升高,避免超出功率管栅极的额定电压。VPCx8C4x 提供多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选项以及开启和关闭阈值和滞后范围的选择。具有较高开启或关闭迟滞的器件是离线电源的理想选择,而具有较窄迟滞范围的器件则适用于DC-DC 应用。VPC28C4x 的工作温度范围为 -40°C至105°C ,VPC38C4x 的工作温度范围为 -25°C至85°C。
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描述VPCx8C4x 是高性能的电流模式通用PMW 控制器,采用先进的BCD 半导体工艺进行设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。内部实现的电路包括欠压锁定(UVLO)、启动电流低至几十微安的启动电路、提供电流限制控制的脉宽调制(PWM) 快速比较器、快速比较的振荡器、误差放大器、由NMOS 管和PMOS 管组成的推挽输出等。还设计了钳位电路,正常情况下器件工作于19V 以下,功耗小而适应于更宽的温度范围;在辅助供电过高时,可阻止VDD 电压升高,避免超出功率管栅极的额定电压。VPCx8C4x 提供多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选项以及开启和关闭阈值和滞后范围的选择。具有较高开启或关闭迟滞的器件是离线电源的理想选择,而具有较窄迟滞范围的器件则适用于DC-DC 应用。VPC28C4x 的工作温度范围为 -40°C至105°C ,VPC38C4x 的工作温度范围为 -25°C至85°C。
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描述VPCx8C4x 是高性能的电流模式通用PMW 控制器,采用先进的BCD 半导体工艺进行设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。内部实现的电路包括欠压锁定(UVLO)、启动电流低至几十微安的启动电路、提供电流限制控制的脉宽调制(PWM) 快速比较器、快速比较的振荡器、误差放大器、由NMOS 管和PMOS 管组成的推挽输出等。还设计了钳位电路,正常情况下器件工作于19V 以下,功耗小而适应于更宽的温度范围;在辅助供电过高时,可阻止VDD 电压升高,避免超出功率管栅极的额定电压。VPCx8C4x 提供多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选项以及开启和关闭阈值和滞后范围的选择。具有较高开启或关闭迟滞的器件是离线电源的理想选择,而具有较窄迟滞范围的器件则适用于DC-DC 应用。VPC28C4x 的工作温度范围为 -40°C至105°C ,VPC38C4x 的工作温度范围为 -25°C至85°C。
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描述VPCx8C4x 是高性能的电流模式通用PMW 控制器,采用先进的BCD 半导体工艺进行设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。内部实现的电路包括欠压锁定(UVLO)、启动电流低至几十微安的启动电路、提供电流限制控制的脉宽调制(PWM) 快速比较器、快速比较的振荡器、误差放大器、由NMOS 管和PMOS 管组成的推挽输出等。还设计了钳位电路,正常情况下器件工作于19V 以下,功耗小而适应于更宽的温度范围;在辅助供电过高时,可阻止VDD 电压升高,避免超出功率管栅极的额定电压。VPCx8C4x 提供多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选项以及开启和关闭阈值和滞后范围的选择。具有较高开启或关闭迟滞的器件是离线电源的理想选择,而具有较窄迟滞范围的器件则适用于DC-DC 应用。VPC28C4x 的工作温度范围为 -40°C至105°C ,VPC38C4x 的工作温度范围为 -25°C至85°C。
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描述VPCx8C4x 是高性能的电流模式通用PMW 控制器,采用先进的BCD 半导体工艺进行设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。内部实现的电路包括欠压锁定(UVLO)、启动电流低至几十微安的启动电路、提供电流限制控制的脉宽调制(PWM) 快速比较器、快速比较的振荡器、误差放大器、由NMOS 管和PMOS 管组成的推挽输出等。还设计了钳位电路,正常情况下器件工作于19V 以下,功耗小而适应于更宽的温度范围;在辅助供电过高时,可阻止VDD 电压升高,避免超出功率管栅极的额定电压。VPCx8C4x 提供多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选项以及开启和关闭阈值和滞后范围的选择。具有较高开启或关闭迟滞的器件是离线电源的理想选择,而具有较窄迟滞范围的器件则适用于DC-DC 应用。VPC28C4x 的工作温度范围为 -40°C至105°C ,VPC38C4x 的工作温度范围为 -25°C至85°C。
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描述VPCx8C4x 是高性能的电流模式通用PMW 控制器,采用先进的BCD 半导体工艺进行设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。内部实现的电路包括欠压锁定(UVLO)、启动电流低至几十微安的启动电路、提供电流限制控制的脉宽调制(PWM) 快速比较器、快速比较的振荡器、误差放大器、由NMOS 管和PMOS 管组成的推挽输出等。还设计了钳位电路,正常情况下器件工作于19V 以下,功耗小而适应于更宽的温度范围;在辅助供电过高时,可阻止VDD 电压升高,避免超出功率管栅极的额定电压。VPCx8C4x 提供多种封装选项、温度范围选项、最大占空比选项以及开启和关闭阈值和滞后范围的选择。具有较高开启或关闭迟滞的器件是离线电源的理想选择,而具有较窄迟滞范围的器件则适用于DC-DC 应用。VPC28C4x 的工作温度范围为 -40°C至105°C ,VPC38C4x 的工作温度范围为 -25°C至85°C。
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近期成交6单
描述VPC2844是高性能的电流模式通用PWM控制器,适用于各种开关稳压器应用。它采用先进的BCD半导体工艺设计,具有低功耗、快速电流采样以及较高的可编程最大工作频率等优良特性。
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描述线性稳压器(LDO)@@100V 超高压输入电压、10V~100V 宽输入电压范围、双阶输出电压、第二阶输出电压 VO2 可使能关闭、第一阶 VO1 单路输出时静态功耗低至 10uA、无需采样电阻,外围极简、可选择输出电压 VO1=12V 或 5.0V、最大输出电流 50mA、与陶瓷电容搭配使用时可保持、内置限流和热关断保护、ESOP8 强散热封装、-40℃~125℃工作温度
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描述专业电源管理(PMIC)@@推挽拓扑结构、高集成度,外围简单、内置 24V /0.3Ω LDMOS、 0.8A 电流钳位限制、2.8-6V 输入电压范围、输入冲击电压 10V、可持续短路保护、过温保护,自恢复)
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