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首页 > 品牌列表 > 鑫飞宏 >
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鑫飞宏电子有限公司成立于2007年,专注于锂电保护IC和MOS管的研发、生产和销售。主要产品线包括锂电保护IC、MOS管和复合型芯片。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 25A
  • 导通电阻(RDS(on)): 47mΩ@4.5V,21A
  • 耗散功率(Pd): 23W
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 38A
    • 耗散功率(Pd): 31W
    • 输入电容(Ciss@Vds): 1.97nF@15V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 40A
    • 耗散功率(Pd): 35W
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 32A
    • 导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@4.5V,10A
    • 耗散功率(Pd): 29W
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 80A
    • 导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 75A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.3mΩ@10V,30A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@10V
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    • 漏源电压(Vdss): 45V
    • 连续漏极电流(Id): 35A
    • 导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@4.5V,10A
    • 耗散功率(Pd): 20.8W
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    • 10+: 

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    • 100+: 

      ¥0.407192
    • 500+: 

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    • 1000+: 

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    • 类型: 2个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@4.5V,5A
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    • FH8902K
    • 品牌: 鑫飞宏
    • 封装: SOT-23-6
    • 描述: VDS:30V,ID(atVGS=10v)5.0a,RDS(ON) (at VGS=10V)<24mΩ,RDS(ON) (at VGS=4.5V)<28mΩ
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      ¥0.256036
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      ¥0.22954
    • 9000+: 

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      江苏仓: 14K+
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    • 类型: 1个N沟道+1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 62mΩ@4.5V,2A
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 第五阶梯9.5
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    • 150+: 

      ¥0.314545
    • 500+: 

      ¥0.298965
    • 2500+: 

      ¥0.25099
    • 4000+: 

      ¥0.244815
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    • 广东仓: 11K+
      江苏仓: 6775
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)): 23mΩ
    • 耗散功率(Pd): 1.5W
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    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
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      • ¥0.390735
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    • 1000+: 

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    • FH8200B
    • 品牌: 鑫飞宏
    • 封装: TSSOP-8
    • 描述: Type/N+N,VDS (MIN)V/20,ID 25℃(A)/12,Vgs (±V)/12,ESD Diode//,4.5V(Typ)/8,2.5V(Typ)/10
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    • FH45P16G6
    • 品牌: 鑫飞宏
    • 封装: PDFN-8L(3.3x3.3)
    • 描述: Type/P,VDS (MIN)V/-17,ID 25℃(A)/-45,Vgs (±V)/12,ESD Diode//,4.5V(Typ)/6.5,2.5V(Typ)/9.5
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    • 连续漏极电流(Id): 120A
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    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 130A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 78A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V,20A
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    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 59mΩ@4.5V,2.5A
    • 耗散功率(Pd): 900mW
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    • 工作电压: 2.8V~8V
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    • FH2120-NB
    • 品牌: 鑫飞宏
    • 封装: SOT-23-6
    • 描述: 过充电保护电压3.500V~4.400V,过充电解除电压3.200V~4.300V,过放电保护电压2.000V~2.900V,过放电解除电压2.500V~3.000V
    • 工作电压: -300mV~9V
    • 充电饱和电压: 4.28V
    • 放电截止电压: 2.8V
    • 电池类型: 锂离子/聚合物
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 50A
    • 导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@2.5V,15A
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    • FH1904G
    • 品牌: 鑫飞宏
    • 封装: PDFN-8L(5x6)
    • 描述: Type/N,VDS (MIN)V/40,ID 25℃(A)/90,Vgs (±V)/20,ESD Diode//,4.5V(Typ)/3.4,2.5V(Typ)//
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    • FH3406GS
    • 品牌: 鑫飞宏
    • 封装: PDFN5x6-8L
    • 描述: 单N沟道, 漏源电压(Vdss): 60V, 连续漏极电流(ld): 140A, RDS(on):2.8mΩ
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 140A
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    • FH1103-G12
    • 品牌: 鑫飞宏
    • 封装: DFN-6L(2x2)
    • 描述: 过充电检测电压3.5 V~4.5 V,过充电迟滞电压0.2 V,过放电检测电压2.0 V~3.2 V,过放电迟滞电压0.6 V
    • 工作电压: 1V~6V
    • 充电饱和电压: 4.275V
    • 放电截止电压: 2.8V
    • 电池类型: 锂离子/聚合物
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 80A
    • 导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V,30A
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    • FH8822G6
    • 品牌: 鑫飞宏
    • 封装: PDFN-8L(3.3x3.3)
    • 描述: Type/N+N,VDS (MIN)V/20,ID 25℃(A)/10,Vgs (±V)/12,ESD Diode//,4.5V(Typ)/21,2.5V(Typ)/26
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