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PCB/SMT 工业品面板定制

鑫飞宏

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鑫飞宏电子有限公司成立于2007年，专注于锂电保护IC和MOS管的研发、生产和销售。主要产品线包括锂电保护IC、MOS管和复合型芯片。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 电池管理
- 线性稳压器(LDO)
- 快充协议芯片
- USB转换芯片
多选
封装
- SOT-23-6
- SOT-23(TO-236)
- DFN-8(5x6)
- DFN-8(3.3x3.3)
- TO-252
- TO-263
- SOP-8
- TO-220
- DFN-6(2x3)
- SOT-23-5
- DFN-8(3x3)
- TSSOP-8
- TOLL-4L
- CPC-8
- DFN-6(2x2)
- DFN-4(1x1)
- TOLL-8L
- TSSOP-16
- CPC-5
- DFN-6(1.6x1.6)
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数248

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个N沟道+1个P沟道耐压:30V 电流:7A

品牌: 鑫飞宏

封装: SO-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2929035

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 7A

导通电阻(RDS(on)): 80mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9.5折

5+￥0.377055
50+￥0.33535
150+￥0.314545
500+￥0.298965
2500+￥0.25099
4000+￥0.244815

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

江苏仓: 6660

4000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

N沟道与P沟道互补功率MOSFET

品牌: 鑫飞宏

封装: TO-252-4L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5159048

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 47mΩ@4.5V,21A

耗散功率(Pd): 23W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7957

8.8折

1+￥0.704264
10+￥0.621104
30+￥0.585464
100+￥0.541024
500+￥0.521224
1000+￥0.509344

现货最快4小时发货

广东仓: 7957

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

1个P沟道耐压:40V 电流:80A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5453907

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 4.3mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4743

9.5折

1+￥1.9235
10+￥1.5244
30+￥1.3533
100+￥1.08281
500+￥0.99256
1000+￥0.90079

现货最快4小时发货

广东仓: 4709

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

N沟道增强型功率MOSFET 1个N沟道耐压:30V 电流:40A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN3.3x3.3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2929017

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5206

5+￥0.462
50+￥0.407
150+￥0.3795
500+￥0.3589
2500+￥0.3108
5000+￥0.3025

现货最快4小时发货

广东仓: 5205

江苏仓: 5860

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交28单

P沟道MOSFET

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN3.3x3.3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5159040

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 32A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@4.5V,10A

耗散功率(Pd): 29W

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

1+￥0.45068
10+￥0.39938
30+￥0.37373
100+￥0.35454
500+￥0.33915
1000+￥0.331455

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 12K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

N沟道增强型场效应管耐压:20V 电流:2.5A

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22448119

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 2.5A

导通电阻(RDS(on)): 82mΩ@2.5V

耗散功率(Pd): 900mW

收藏
对比

SMT扩展库

9.2折

50+￥0.062928
500+￥0.054648
3000+￥0.050048
6000+￥0.047288
24000+￥0.044896
51000+￥0.043608

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 29K+

3000个/袋

个

总额￥0

近期成交1单

2串可充电锂电池保护IC

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23-6

类目: 电池管理

编号: C2929064

芯片类型: 保护芯片

工作电压: 2.8V~8V

充电饱和电压: 4.28V

放电截止电压: 2.9V

描述4.28V±25mV,2.9V±80mV

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9.5折

5+￥0.443745
50+￥0.397765
150+￥0.374775
500+￥0.357485
3000+￥0.277115
6000+￥0.27018

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

江苏仓: 3695

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

P沟道耐压:30V 电流:38A

品牌: 鑫飞宏

封装: DFN-8-EP(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2929033

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 38A

导通电阻(RDS(on)): 14mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 31W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3751

1+￥0.503
10+￥0.441
30+￥0.41
100+￥0.3867
500+￥0.3681
1000+￥0.3588

现货最快4小时发货

广东仓: 3751

江苏仓: 3984

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

N沟道耐压:40V 电流:90A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22396945

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 3.9mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 36W

描述Type/N，VDS (MIN)V/40，ID 25℃(A)/90，Vgs (±V)/20，ESD Diode//，4.5V（Typ)/3.4，2.5V（Typ)//

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.149405
50+￥1.00377
150+￥0.941355
500+￥0.863455
2500+￥0.82878
5000+￥0.807975

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 9990

5000个/袋

个

总额￥0

近期成交1单

LDO

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23-5

类目: 线性稳压器(LDO)

编号: C22448117

输出类型: 固定

工作电压: 6V

输出电压: 2.8V

输出电流: 500mA

收藏
对比

SMT扩展库

9折

20+￥0.10431
200+￥0.09162
600+￥0.08451
3000+￥0.08028
9000+￥0.07659
21000+￥0.07461

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 27K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

P沟道耐压:17V 电流:45A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN3.3x3.3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22396937

漏源电压(Vdss): 17V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 11.4mΩ@2.5V

耗散功率(Pd): 41W

描述Type/P，VDS (MIN)V/-17，ID 25℃(A)/-45，Vgs (±V)/12，ESD Diode//，4.5V（Typ)/6.5，2.5V（Typ)/9.5

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥0.42066
50+￥0.36936
150+￥0.34371
500+￥0.32452
2500+￥0.30913
5000+￥0.301435

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 9730

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个N沟道耐压:30V 电流:30A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN3.3x3.3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2929014

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8107

8.8折

1+￥0.443608
10+￥0.390808
30+￥0.364408
100+￥0.344608
500+￥0.328768
1000+￥0.320848

现货最快4小时发货

广东仓: 8102

江苏仓: 1146

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

N沟道增强型功率MOSFET

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN-8L(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5159042

漏源电压(Vdss): 45V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 13mΩ@4.5V,10A

耗散功率(Pd): 20.8W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥0.5738
10+￥0.5038
30+￥0.4688
100+￥0.4426
500+￥0.4216
1000+￥0.4111

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 22K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

1个P沟道耐压:40V 电流:30A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN-8L(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19273264

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 12mΩ@10V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4960

5+￥1.0391
50+￥0.8224
150+￥0.7295
500+￥0.6136
2500+￥0.5018
5000+￥0.4709

现货最快4小时发货

广东仓: 4780

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交19单

1个P沟道耐压:60V 电流:80A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5453923

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 8.5mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3322

1+￥3.72
10+￥2.98
30+￥2.61
100+￥2.25
500+￥1.92
1000+￥1.81

现货最快4小时发货

广东仓: 3207

江苏仓: 1

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交14单

1节锂离子/锂聚合物电池保护IC

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23-6

类目: 电池管理

编号: C2929060

芯片类型: 电池保护芯片

工作电压: 1.5V~8V

充电饱和电压: 4.35V

放电截止电压: 2.8V

描述4.35V±25mV,2.3V±50mV,25V耐压

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+

9.5折

10+￥0.2185
100+￥0.1919
300+￥0.1786
3000+￥0.16492

现货最快4小时发货

广东仓: 20K+

江苏仓: 2630

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

耐压:30V 电流:5A

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23-6

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22396976

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 28mΩ@4.5V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述VDS:30V,ID(atVGS=10v)5.0a,RDS(ON) (at VGS=10V)<24mΩ,RDS(ON) (at VGS=4.5V)<28mΩ

收藏
对比

SMT扩展库

10+￥0.328
100+￥0.288
300+￥0.268
3000+￥0.253
6000+￥0.241
9000+￥0.235

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 14K+

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:30V 电流:75A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2929020

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 75A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+

5+￥0.5409
50+￥0.4767
150+￥0.4446
500+￥0.4205
2500+￥0.3868
5000+￥0.3772

现货最快4小时发货

广东仓: 13K+

江苏仓: 540

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

2个N沟道耐压:30V 电流:28A

品牌: 鑫飞宏

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19273276

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 28A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@4.5V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4458

9.5折

5+￥0.79173
50+￥0.63213
150+￥0.55233
500+￥0.49248
2500+￥0.414675
5000+￥0.390735

现货最快4小时发货

广东仓: 4310

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

N沟道增强型功率MOSFET

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5159035

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 75A

导通电阻(RDS(on)): 2.2mΩ@10V,30A

耗散功率(Pd): 2.5W

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.2236
50+￥1.073975
150+￥1.00985
500+￥0.92986
2500+￥0.851485
5000+￥0.83011

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4940

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

N沟道增强型功率MOSFET

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5159044

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 1.4mΩ@10V,30A

耗散功率(Pd): 37W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4954

9.5折

1+￥2.7455
10+￥2.432
30+￥2.28
100+￥2.128
500+￥2.033
1000+￥1.9855

现货最快4小时发货

广东仓: 4954

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道耐压:30V 电流:4.7A

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2940037

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 4.7A

导通电阻(RDS(on)): 52mΩ@2.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5584

8.8折

50+￥0.1235
500+￥0.0968
3000+￥0.0826
6000+￥0.064856
24000+￥0.05808
51000+￥0.054472

现货最快4小时发货

广东仓: 5550

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

N沟道耐压:20V 电流:8.2A

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23-3L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22396977

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 8.2A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@2.5V

耗散功率(Pd): 1.25W

描述VDS(MIN)20V,ID25℃(8.2A),Vgs (±V)12,Vth(0.4~1V)

收藏
对比

SMT扩展库

9.4折

20+￥0.206706
200+￥0.161022
600+￥0.135642
3000+￥0.120414
9000+￥0.107254
21000+￥0.10011

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 8640

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

1节锂离子/锂聚合物电池保护IC

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23-6

类目: 电池管理

编号: C2929062

芯片类型: 电池保护芯片

工作电压: 1.5V~8V

充电饱和电压: 4.425V

放电截止电压: 3V

描述4.425V±25mV,3.0V±50mV,25V耐压

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+

9.5折

10+￥0.240825
100+￥0.212325
300+￥0.198075
3000+￥0.18031
6000+￥0.17176
9000+￥0.167485

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

江苏仓: 1340

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

超高精度单串锂电池保护IC

品牌: 鑫飞宏

封装: SOT-23-6

类目: 电池管理

编号: C2929053

工作电压: 1.5V~6V

充电饱和电压: 4.425V

放电截止电压: 3V

电池类型: 锂离子/聚合物

描述4.425V±20mV,3.0V±50mV,28V耐压

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+

9.5折

5+￥0.26353
50+￥0.23313
150+￥0.21793
500+￥0.20653
3000+￥0.183255
6000+￥0.178695

现货最快4小时发货

广东仓: 17K+

江苏仓: 2640

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:20V 电流:12A

品牌: 鑫飞宏

封装: TDFN-8-EP(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2929002

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 9.8mΩ@2.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4925

9.5折

5+￥0.6973
50+￥0.611515
150+￥0.57475
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广东仓: 4925

5000个/圆盘

个

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近期成交1单

1个N沟道耐压:20V 电流:20A

品牌: 鑫飞宏

封装: DFN3x3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C2929003

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 5.4mΩ@4.5V

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SMT补贴嘉立创库存5000

5+￥1.2288
50+￥0.9683
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2500+￥0.6396
5000+￥0.6024

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广东仓: 5000

5000个/圆盘

个

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近期成交1单

N沟道沟槽型功率MOSFET

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5159036

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 1mΩ@10V,120A

耗散功率(Pd): 34W

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5+￥1.2633
50+￥1.0831
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广东仓: 0

江苏仓: 4020

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

1个N沟道耐压:60V 电流:140A

品牌: 鑫飞宏

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5453909

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 140A

导通电阻(RDS(on)): 2.1mΩ@10V

描述单N沟道，漏源电压(Vdss): 60V，连续漏极电流(ld): 140A， RDS(on)：2.8mΩ

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SMT补贴嘉立创库存4807

1+￥2.4
10+￥2.11
30+￥1.97
100+￥1.82
500+￥1.74
1000+￥1.7

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广东仓: 4807

5000个/圆盘

个

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近期成交7单

N-MOS管

品牌: 鑫飞宏

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22396947

描述Type/N，VDS (MIN)V/40，ID 25℃(A)/250，Vgs (±V)/20，ESD Diode//，4.5V（Typ)/1.9，2.5V（Typ)//

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9.5折

1+￥3.3535
10+￥2.9735
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1000+￥2.432

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广东仓: 0

江苏仓: 1995

2000个/圆盘

个

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