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首页 > 品牌列表 > GL(光磊) >
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无锡光磊电子科技是一家专业功率半导体产品及方案设计公司,其产品主要应用于功率管理领域。当前光磊的目标市场为消费电子、家用电器、信息技术和大功率能源电子。 公司团队的核心竞争力为功率管理产品的设计、开发和营销,如功率MOSFET, IGBT,肖特基二极管,快恢复整流二极管和集成电路,从事功率半导体研发、运营、销售都有17年以上的经验。 光磊拥有的功率半导体技术能提供整体的系统解决方案,有效地降低功率损耗,提高电路效率和节约电能。在功率半导体开发中,光磊已经拥有的几个关键的技术:包括Bipolar,高压大功率VDMOS(增强型和耗尽型 MOSFET)和 大功率IGB。
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  • 连续漏极电流(Id): 150A
  • 导通电阻(RDS(on)): 1.9mΩ@10V,15A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 50A
  • 导通电阻(RDS(on)): 13.5mΩ@10V,20A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 40V
  • 连续漏极电流(Id): 5A
  • 导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V,2.5A
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 60V
  • 连续漏极电流(Id): 9A
  • 导通电阻(RDS(on)): 11mΩ@10V,9A
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  • 漏源电压(Vdss): 400V
  • 连续漏极电流(Id): 25A
  • 导通电阻(RDS(on)): 155mΩ@10V,12.5A
  • 耗散功率(Pd): 250W
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  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 9.1A
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  • 导通电阻(RDS(on)): 33mΩ@10V,5A
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  • 连续漏极电流(Id): 50A
  • 导通电阻(RDS(on)): 22mΩ@10V,25A
  • 耗散功率(Pd): 104W
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  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 30V
  • 连续漏极电流(Id): 4.1A
  • 导通电阻(RDS(on)): 55mΩ@10V,4.2A
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  • 漏源电压(Vdss): 300V
  • 连续漏极电流(Id): 40A
  • 导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@10V,20A
  • 耗散功率(Pd): 340W
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  • 连续漏极电流(Id): 8A
  • 导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@10V,8A
  • 耗散功率(Pd): 2W
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  • 类型: 1个N沟道
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  • 导通电阻(RDS(on)): 110mΩ@10V,10A
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  • 连续漏极电流(Id): 4A
  • 导通电阻(RDS(on)): 1.9Ω@10V,2A
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  • 漏源电压(Vdss): 100V
  • 连续漏极电流(Id): 40A
  • 导通电阻(RDS(on)): 17mΩ@10V,28A
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  • 连续漏极电流(Id): 40A
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  • 导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@10V,40A
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  • 连续漏极电流(Id): 80A
  • 导通电阻(RDS(on)): 7.2mΩ@10V,40A
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