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GL(光磊)

GL(光磊)

无锡光磊电子科技是一家专业功率半导体产品及方案设计公司,其产品主要应用于功率管理领域。当前光磊的目标市场为消费电子、家用电器、信息技术和大功率能源电子。 公司团队的核心竞争力为功率管理产品的设计、开发和营销,如功率MOSFET, IGBT,肖特基二极管,快恢复整流二极管和集成电路,从事功率半导体研发、运营、销售都有17年以上的经验。 光磊拥有的功率半导体技术能提供整体的系统解决方案,有效地降低功率损耗,提高电路效率和节约电能。在功率半导体开发中,光磊已经拥有的几个关键的技术:包括Bipolar,高压大功率VDMOS(增强型和耗尽型 MOSFET)和 大功率IGB。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
  • 封装
    • TO-252
    • SOP-8
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-220
    • QFN(3x3)
    • QFN(5x6)
    • TO-220F
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自营结果数20
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
GL50N06AD3
品牌
GL(光磊)
封装
QFN(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5179488
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
13.5mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

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5000/圆盘

总额0

近期成交2单

1个P沟道 耐压:30V 电流:12A
GL12P03-8
品牌
GL(光磊)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2886405
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
14mΩ@10V
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  • 对比

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4000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
GL80N06A4
品牌
GL(光磊)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2886420
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
8.5mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

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2500/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:30V 电流:150A
GL150N03AD
品牌
GL(光磊)
封装
QFN(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2886428
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
150A
导通电阻(RDS(on))
3.5mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:40V 电流:5A
GL5N04
品牌
GL(光磊)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2890388
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
60mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:60V 电流:9A
GL6009AS-8
品牌
GL(光磊)
封装
SOIC-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2985896
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on))
14mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:25A,耐压:400V
GL25N40A8
品牌
GL(光磊)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2988053
漏源电压(Vdss)
400V
连续漏极电流(Id)
25A
导通电阻(RDS(on))
155mΩ@10V
耗散功率(Pd)
250W
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:9A
GL4435-8
品牌
GL(光磊)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2880533
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on))
30mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
P沟道 耐压:40V 电流:8A
GL8P04
品牌
GL(光磊)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2924226
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
33mΩ@10V
耗散功率(Pd)
2W
  • 收藏
  • 对比
N沟道 耐压:60V 电流:50A
GL50N06A8P
品牌
GL(光磊)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2892078
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
22mΩ@10V
耗散功率(Pd)
104W
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:30V 电流:4.1A
GL3401K
品牌
GL(光磊)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2880537
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.1A
导通电阻(RDS(on))
55mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
N沟道 耐压:300V 电流:40A
GL40N30A8
品牌
GL(光磊)
封装
TO-220AB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2880535
漏源电压(Vdss)
300V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
90mΩ@10V
耗散功率(Pd)
340W
  • 收藏
  • 对比
N沟道 耐压:40V 电流:8A
GL8N04-8
品牌
GL(光磊)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2886404
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
22mΩ@10V
耗散功率(Pd)
2W
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:100V 电流:10A
GL10N10B4S
品牌
GL(光磊)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2886410
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
140mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
GL4N65FA9
品牌
GL(光磊)
封装
TO-220F-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2999756
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.4Ω@10V
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
GL40N10A4
品牌
GL(光磊)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2886415
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
17mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
P沟道 耐压:40V 电流:40A
GL40P04A4
品牌
GL(光磊)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2892079
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
14mΩ@10V
耗散功率(Pd)
80W
  • 收藏
  • 对比
1个N沟道 耐压:100V 电流:80A
GL80N10A4
品牌
GL(光磊)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2886416
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
8.5mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
1个P沟道 耐压:100V 电流:30A
GL30P10A4
品牌
GL(光磊)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C2880534
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
55mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比
GL4N60A4R
品牌
GL(光磊)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5380476
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
1.8Ω@10V,2A
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