Gem-micro(晶群)
进入品牌官网晶群科技有限公司Gem-micro semiconductor Inc.成立于2006年3月主要致力于类比半导体技术应用研发营销，自始启用8英吋0.18微米高密度垂直沟槽式设计。 应用于金属氧化物场效应晶体管MOSFET迄今已发行超过100种低压MOSFET规格产品；此外类比IC技术亦展现于锂电池保护IC、LED恒流户内外显示屏幕、恒流照明等市场应用。营销于各大型制造商，如鸿海集团、金仁宝集团、海尔集团、海信集团、飞毛腿集团及兴能电等。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 封装
- SOT-23(TO-236)
- DFN-6(2x2)
- TSSOP-8
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数4
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 85mΩ@4.5V
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 120mΩ@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 1.25W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 8A
- 导通电阻(RDS(on))
- 56mΩ@1.8V
- 耗散功率(Pd)
- 2.5W
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 20V
- 连续漏极电流(Id)
- 6A
- 导通电阻(RDS(on))
- 30mΩ@2.5V
- 耗散功率(Pd)
- 2W
- 收藏
- 对比
