
NVE
进入品牌官网NVE公司是自旋电子学商业化应用的领导者,专注于利用电子自旋技术获取、存储和传输信息。主要生产高性能传感器和耦合器。
NVE公司是自旋电子学商业化应用的领导者,专注于利用电子自旋技术获取、存储和传输信息。主要生产高性能传感器和耦合器。
描述IL600系列是具有CMOS输出的无源输入数字信号隔离器。与光耦合器相比,它们接口相似,但性能更优,封装密度更高。这些器件采用NVE获得专利的IsoLoop自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造,具有尺寸小、速度快和功耗低的特点。独特的陶瓷/聚合物复合隔离层提供了出色的隔离性能,且隔离层寿命几乎无限。通过一个电阻设置输入电流;与限流电阻并联的电容可改善动态性能。这些多功能组件可替代各种光耦合器,适用于广泛的数据速率、边沿速度和电源电平,从而简化了库存需求。这些器件有多种封装形式,也提供裸片。
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描述IL600A系列是带漏极开路输出的隔离信号耦合器。与光耦合器相比,它们接口相似,但性能更优,封装密度更高。这些器件采用NVE专利的自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造,具有尺寸小、速度快和功耗低的特点。独特的陶瓷/聚合物复合隔离层提供了出色的隔离性能,且隔离层寿命几乎无限。通过一个电阻设置输入电流;与限流电阻并联的电容可改善动态性能。这些多功能组件可替代各种光耦合器,能在很宽的数据速率、边沿速度和电源电平范围内工作,从而简化了库存需求。器件有MSOP、SOIC和PDIP封装,也提供裸片形式。
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描述通用 数字隔离器 2500Vrms pval(2093) 通道 110Mbps 30kV/?s CMTI
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描述IL600A系列是带漏极开路输出的隔离信号耦合器。与光耦合器相比,它们接口相似,但性能更优,封装密度更高。这些器件采用NVE专利的自旋电子巨磁阻(GMR)技术制造,具有尺寸小、速度快和功耗低的特点。独特的陶瓷/聚合物复合隔离层提供了出色的隔离性能,且隔离层寿命几乎无限。通过一个电阻设置输入电流;与限流电阻并联的电容可改善动态性能。这些多功能组件可替代各种光耦合器,能在很宽的数据速率、边沿速度和电源电平范围内工作,从而简化了库存需求。器件有MSOP、SOIC和PDIP封装,也提供裸片形式。
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描述RS422,RS485 数字隔离器 2500Vrms pval(2093) 通道 40Mbps 30kV/?s CMTI
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