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    • IF4500ST3TR
    • 品牌: InterFET
    • 封装: SOT-23-3
    • 描述: IF4500是一款低噪声、高增益的N-Channel JFET,适用于低电压供电应用,具有低截止电压(小于-1.5V),高辐射耐受性和低泄漏特性。
    • FET类型: 1个N沟道
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 20V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
    • 输入电容(Ciss): 35pF@15V
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    • FET类型: 1个N沟道
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 25V
    • 耗散功率(Pd): 360mW
    • 工作温度: -55℃~+125℃
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    • IFN201AST3TR
    • 品牌: InterFET
    • 封装: SOT-23-3
    • 描述: IFN201, IFN201A, 和 IFN202 是针对低噪声应用设计的N通道JFET。这些器件适用于音频麦克风和前置放大器设计,具有低栅极泄漏电流和高辐射耐受性。
    • FET类型: 1个N沟道
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 40V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
    • 饱和漏源电流(Idss@Vds,Vgs=0): 200uA@20V
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    • 耗散功率(Pd): 350mW
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    • SMP4341TR
    • 品牌: InterFET
    • 封装: SOT-23-3
    • 描述: 2N4340 和 2N4341 是低泄漏中增益 JFET,适用于中频设计的敏感放大器阶段。栅极泄漏小于1pA,在室温下。专有的 InterFET 工艺提供了极高的辐射耐受性。
    • FET类型: 1个N沟道
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 50V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
    • 输入电容(Ciss): 7pF@15V
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    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
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    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
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    • SMPJ270
    • 品牌: InterFET
    • 封装: SOT-23-3
    • 描述: InterFET J270是一款低噪声高增益放大器和开关应用的P-Channel JFET。它具有低截止电压,适用于低电平电源供应。
    • FET类型: 1个P沟道
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 360mW
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    • SMPJ177
    • 品牌: InterFET
    • 封装: SOT-23-3
    • 描述: SMPJ177是一款低噪声、高增益的P-Channel JFET,适用于高增益应用。具有低栅漏电流和高辐射耐受性。
    • FET类型: 1个P沟道
    • 栅源击穿电压(V(BR)GSS): 30V
    • 耗散功率(Pd): 350mW
    • 工作温度: -55℃~+150℃
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