InterFET
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- 结型场效应管(JFET)
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- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 25V
- 耗散功率(Pd)
- 360mW
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- -55℃~+125℃
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- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 20V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 输入电容(Ciss)
- 35pF@15V
描述IF4500是一款低噪声、高增益的N-Channel JFET，适用于低电压供电应用，具有低截止电压（小于-1.5V），高辐射耐受性和低泄漏特性。
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- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 75V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 输入电容(Ciss)
- 4pF@10V
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- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 漏源电流(Idss)
- 200uA@20V
描述IFN201, IFN201A, 和 IFN202 是针对低噪声应用设计的N通道JFET。这些器件适用于音频麦克风和前置放大器设计，具有低栅极泄漏电流和高辐射耐受性。
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- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 漏源电流(Idss)
- 200uA@20V
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- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 75V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 输入电容(Ciss)
- 4pF@10V
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- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 20V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
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- -55℃~+150℃
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- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 1.8W
- 导通电阻(RDS(on))
- 60Ω
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- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 50V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 输入电容(Ciss)
- 7pF@15V
描述2N4340 和 2N4341 是低泄漏中增益 JFET，适用于中频设计的敏感放大器阶段。栅极泄漏小于1pA，在室温下。专有的 InterFET 工艺提供了极高的辐射耐受性。
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- FET类型
- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 20V
- 耗散功率(Pd)
- 350mW
- 输入电容(Ciss)
- 3pF@15V
描述IF140和IF140A是市场上最低泄漏中增益的JFET产品，适用于低噪声高频设计，门极泄漏通常为100fA，在室温下。
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- ￥9.18
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- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 20V
- 耗散功率(Pd)
- 225mW
- 工作温度
- -55℃~+125℃
描述IF1320是一款低噪声、高增益的N沟道JFET，适用于中频敏感放大器设计。具有低截止电压，适合低电平电源供应。
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- ￥24.91
- ￥9.94
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- ￥9.45
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- 1个N沟道
- 栅源击穿电压(Vgss)
- 40V
- 耗散功率(Pd)
- 300mW
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