minos(迈诺斯)
进入品牌官网深圳市迈诺斯科技有限公司成立于2010年，总部位于深圳，是一家集半导体研发、设计、生产和销售为一体的科技型企业。主要生产高性能功率器件，包括HV MOSTRENCH MOS、DOUBLE TRENCH MOS和IGBT工艺技术产品。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 三极管(BJT)
- 晶闸管(可控硅)/模块
- IGBT管/模块
- 线性稳压器(LDO)
- 快恢复/高效率二极管
- DC-DC电源芯片
- 音频功率放大器
- 栅极驱动芯片
- 达林顿管
- 肖特基二极管
- AC-DC控制器和稳压器
- 监控和复位芯片
多选 - 封装
- TO-220
- TO-252
- TO-247
- TO-220F
- TO-3P
- TO-263
- TO-264
- TO-263-5
- DIP-8
- SOP-8
- TO-220-5
- SOT-89
- DIP-14
- SOP-16-300mil
- TO-247-2
- TOLL-8L
- SOP-16
- SOT-23(TO-236)
- TSSOP-32-EP-6.1mm
- ZIP-15
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数355
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 门极触发电压
- 1.5V
- 保持电流
- 10mA
- 断态峰值电压
- 600V
- 门极触发电流
- 10mA
描述峰极门极功率(PGM)：1.5W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存22K+
9折
- ￥0.53676
- ￥0.42876
- ￥0.37476
- ￥0.33426
- ￥0.28179
- ￥0.2655
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 20K+
- 江苏仓
- 5485
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 是否隔离
- 非隔离
- 工作电压
- 10V~35V
- 开关频率
- 65kHz
- 最大占空比
- 90%
描述类型：高性能离线式 PWM 开关电源控制器，内置800V功率MOSFET，内置高压启动回路，内置过载、过温、VDD过压、输出开/短路保护功能
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存6711
- ￥2.1208
- ￥1.6672
- ￥1.4728
- ￥1.2078
- ￥1.0998
- ￥1.035
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5711
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交40单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.81
- ￥5.66
- ￥5.03
- ￥4.31
- ￥3.99
- ￥3.85
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2387
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交5单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存12K+
- ￥0.5641
- ￥0.4441
- ￥0.3841
- ￥0.3391
- ￥0.2806
- ￥0.2625
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 11K+
- 江苏仓
- 2200
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交17单
- 功放类型
- D类功放
- 扬声器通道数
- 双声道
- 输出功率
- 2×50W
- 工作电压
- 5.5V~26V
描述2×50W 立体声D类音频功率放大器，宽工作电压范围： 5.5V-26V
- 收藏
- 对比
- ￥6.16
- ￥4.97
- ￥4.38
- ￥3.79
- ￥3.43
- ￥3.25
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1694
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交43单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压
- 600V
- 集电极电流
- 100A
- 耗散功率
- 300W
描述IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=100A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存898
- ￥9.75
- ￥8.24
- ￥6.9
- ￥5.93
- ￥5.49
- ￥5.3
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 898
- 江苏仓
- 445
30个/管
个
总额￥0
近期成交35单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4549
- ￥1.7722
- ￥1.3942
- ￥1.2322
- ￥1.0301
- ￥0.8945
- ￥0.8404
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4435
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交33单
描述2×50W 立体声D类音频功率放大器，宽工作电压范围： 5.5V-26V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.23
- ￥5.04
- ￥4.45
- ￥3.86
- ￥3.51
- ￥3.32
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1921
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交29单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存5598
- ￥1.0303
- ￥0.8035
- ￥0.7063
- ￥0.5851
- ￥0.5311
- ￥0.4987
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5255
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交13单
描述负载类型:MOSFET；IGBT 灌电流:1.3A 拉电流:1.0A 工作电压:5V~18V 描述：三相高低侧功率驱动芯片
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4990
- ￥2.1656
- ￥1.712
- ￥1.5176
- ￥1.275
- ￥1.167
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4990
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交2单
- 门极触发电压
- 1.5V
- 保持电流
- 10mA
- 断态峰值电压
- 600V
- 门极触发电流
- 10mA
描述峰极门极功率(PGM)：1.5W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存3074
- ￥0.8661
- ￥0.672
- ￥0.5832
- ￥0.5166
- ￥0.4633
- ￥0.4366
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3045
- 江苏仓
- 540
50个/管
个
总额￥0
近期成交60单
- 工作电压
- 8V~35V
- 阈值电压
- 5.1V
- 工作温度
- +150℃
描述KA3525A 是一种高性能并降低外围电路部件的开关电源控制电路，包括了脉宽调制稳压器所需的所有控制电路。芯片上有电压参考、误差放大器、脉宽调制器、振荡器、欠压锁定、软启动电路和输出驱动器。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存720
8.8折
- ￥1.018864
- ￥0.841104
- ￥0.746064
- ￥0.62744
- ￥0.57464
- ￥0.54296
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 720
- 江苏仓
- 1305
25个/管
个
总额￥0
近期成交14单
- 输出功率
- 10W
- 工作电压
- 8V~18V
- 静态电流
- 44mA
- 工作温度
- -40℃~+150℃
描述单通道 Gv=40dB(typ) 音频功放
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存917
- ￥1.713
- ￥1.2584
- ￥1.1072
- ￥0.9186
- ￥0.8346
- ￥0.7842
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 890
- 江苏仓
- 310
50个/管
个
总额￥0
近期成交34单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1511
- ￥1.8979
- ￥1.4947
- ￥1.2859
- ￥1.0703
- ￥0.9743
- ￥0.9167
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1491
- 江苏仓
- 685
50个/管
个
总额￥0
近期成交33单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2641
- ￥2.0585
- ￥1.6301
- ￥1.4465
- ￥1.2174
- ￥0.9708
- ￥0.9096
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 2565
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交28单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 100V
- 连续漏极电流
- 35A
- 导通电阻
- 25mΩ@10V
描述N沟道功率MOSFET,35A,100V，25mΩ 10V 10A，采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON），低栅极电荷
- 收藏
- 对比
- ￥1.7246
- ￥1.3718
- ￥1.2206
- ￥1.032
- ￥0.948
- ￥0.8976
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 2515
- 江苏仓
- 180
50个/管
个
总额￥0
近期成交22单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
8.5折
- ￥4.2585
- ￥3.876
- ￥2.618
- ￥2.431
- ￥2.312
- ￥2.2525
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 501
30个/管
个
总额￥0
近期成交9单
- 收藏
- 对比
- ￥4.44
- ￥3.57
- ￥3.14
- ￥2.71
- ￥2.46
- ￥2.32
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 800
- 江苏仓
- 393
50个/管
个
总额￥0
近期成交26单
- 集射极击穿电压
- 650V
- 集电极电流
- 80A
- 耗散功率
- 300W
- 集射极饱和电压
- 1.95V@40A,15V
描述MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.46
- ￥5.38
- ￥4.79
- ￥4.12
- ￥3.82
- ￥3.68
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 845
50个/管
个
总额￥0
近期成交21单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 100V
- 连续漏极电流
- 80A
- 导通电阻
- 7.5mΩ@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：104W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.3mΩ@10V,50A
- 收藏
- 对比
- ￥1.7077
- ￥1.3549
- ￥1.2037
- ￥1.015
- ￥0.866
- ￥0.8155
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2835
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交7单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.16
- ￥1.89
- ￥1.77
- ￥1.62
- ￥1.56
- ￥1.52
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2396
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交5单
描述驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET；IGBT 工作电压:4V~18V 上升时间:35ns 描述：三相高低侧功率驱动芯片
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4000
- ￥2.1656
- ￥1.712
- ￥1.5176
- ￥1.275
- ￥1.167
- ￥1.1022
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4000
4000个/圆盘
个
总额￥0
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥2.82
- ￥2.49
- ￥2.33
- ￥2.17
- ￥2.07
- ￥2.02
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2275
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交3单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 100V
- 连续漏极电流
- 360A
- 导通电阻
- 1.8mΩ@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：326A 功率(Pd)：416.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.4mΩ@10V,50A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥3.76
- ￥3.31
- ￥3.08
- ￥2.86
- ￥2.72
- ￥2.65
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1665
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 正向压降
- 1.2V
- 直流反向耐压
- 300V
- 整流电流
- 60A
- 反向电流
- 10uA
描述二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：300V 连续正向电流IF(AV)：2*30A 正向压降(Vf)：0.85V@40A 反向电流(Ir)：100μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 收藏
- 对比
- ￥5.3
- ￥4.22
- ￥3.93
- ￥3.39
- ￥3.07
- ￥2.9
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 473
30个/管
个
总额￥0
近期成交4单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压
- 500V
- 连续漏极电流
- 20A
- 导通电阻
- 280mΩ@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.32Ω@10V,6.5A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存607
- ￥6.18
- ￥4.97
- ￥4.35
- ￥3.75
- ￥3.39
- ￥3.21
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 587
- 江苏仓
- 173
25个/管
个
总额￥0
近期成交52单
- 正向压降
- 1.2V
- 直流反向耐压
- 400V
- 整流电流
- 80A
- 反向电流
- 30uA
描述二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：400V 连续正向电流IF(AV)：2*40A 正向压降(Vf)：1.1V@40A 反向电流(Ir)：300μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 收藏
- 对比
- ￥6.26
- ￥5.01
- ￥4.39
- ￥3.77
- ￥3.4
- ￥3.21
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 494
30个/管
个
总额￥0
近期成交5单
- 集射极击穿电压
- 600V
- 集电极电流
- 150A
- 耗散功率
- 468W
- 正向压降
- 1.9V@75A
描述IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=75A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥12.18
- ￥10.37
- ￥9.24
- ￥8.08
- ￥7.56
- ￥7.33
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 542
30个/管
个
总额￥0
近期成交5单
