minos(迈诺斯)
进入品牌官网深圳市迈诺斯科技有限公司成立于2010年，总部位于深圳，是一家集半导体研发、设计、生产和销售为一体的科技型企业。主要生产高性能功率器件，包括HV MOSTRENCH MOS、DOUBLE TRENCH MOS和IGBT工艺技术产品。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- 三极管(BJT)
- 晶闸管(可控硅)/模块
- IGBT管/模块
- 线性稳压器(LDO)
- 快恢复/高效率二极管
- 栅极驱动芯片
- DC-DC电源芯片
- 音频功率放大器
- 达林顿管
- 肖特基二极管
- AC-DC控制器和稳压器
- 监控和复位芯片
多选 - 封装
- TO-220
- TO-252
- TO-247
- TO-220F
- TO-3P
- TO-263
- TO-264
- TO-263-5
- SOP-8
- DIP-8
- TO-220-5
- SOT-89
- DIP-14
- SOP-16-300mil
- TO-247-2
- TOLL-8L
- DIP-16
- SOP-16
- SOT-23(TO-236)
- TSSOP-32-EP-6.1mm
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数367
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 门极触发电压(Vgt)
- 1.5V
- 保持电流(Ih)
- 10mA
- 断态峰值电压(Vdrm)
- 600V
- 门极触发电流(Igt)
- 10mA
描述峰极门极功率(PGM)：1.5W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存25K+
9折
- ￥0.53676
- ￥0.42876
- ￥0.37476
- ￥0.33426
- ￥0.28179
- ￥0.2655
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 24K+
- 江苏仓
- 3155
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 门极触发电压(Vgt)
- 1.5V
- 保持电流(Ih)
- 10mA
- 断态峰值电压(Vdrm)
- 600V
- 门极触发电流(Igt)
- 10mA
描述峰极门极功率(PGM)：1.5W
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存14K+
- ￥0.83
- ￥0.644
- ￥0.5589
- ￥0.4951
- ￥0.444
- ￥0.4185
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 14K+
- 江苏仓
- 330
50个/管
个
总额￥0
近期成交68单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 110V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 26mΩ@10V,15A
描述IRF9540NS采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4856
- ￥3.54
- ￥2.89
- ￥2.57
- ￥2.25
- ￥1.9
- ￥1.8
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4856
- 江苏仓
- 436
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 功放类型
- D类功放
- 静态电流(Iq)
- 3mA
- 工作温度
- -40℃~+125℃
- 电源纹波抑制比(PSRR)
- 60dB
描述高压、高性能的D类音频功率放大器驱动芯片，针对超大输出功率的D 类音频功放系统设计
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.81
- ￥5.66
- ￥5.03
- ￥4.31
- ￥3.99
- ￥3.85
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 2374
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 40mΩ@4.5V,20A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存12K+
- ￥0.5641
- ￥0.4441
- ￥0.3841
- ￥0.3391
- ￥0.2806
- ￥0.2625
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 11K+
- 江苏仓
- 1415
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交29单
- 类型
- NPN
- 集射极击穿电压(Vceo)
- 100V
- 直流电流增益(hFE)
- 1000
- 集电极电流(Ic)
- 5A
描述NPN 集电极—发射极电压(Vceo)：100V 集电极电流(Ic)：5A 功率(Pd)：65W 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat1)@Ic,Ib)：2V@3A,12mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：1000@0.5A,3V，工作温度：+150℃@(Tj)
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥1.0356
- ￥0.8088
- ￥0.7116
- ￥0.5903
- ￥0.5723
- ￥0.5399
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 9800
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 18A
- 导通电阻(RDS(on))
- 180mΩ@10V,7.5A
描述MDT18N20是一款采用先进MOSFET技术制造的硅N沟道增强型MOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并提高雪崩能量。这款晶体管适用于开关电源、高速开关及通用应用领域。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存12K+
- ￥1.7722
- ￥1.3942
- ￥1.2322
- ￥1.0301
- ￥0.8945
- ￥0.8404
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 12K+
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交28单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 650V
- 集电极电流(Ic)
- 80A
- 耗散功率(Pd)
- 300W
- 集射极饱和电压(VCE(sat))
- 1.95V@40A,15V
描述MLG30T65FDL-F IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=650V，集电极电流Ic=30A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存995
- ￥6.46
- ￥5.38
- ￥4.79
- ￥4.12
- ￥3.82
- ￥3.68
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 995
- 江苏仓
- 251
50个/管
个
总额￥0
近期成交36单
- 是否隔离
- 非隔离
- 工作电压
- 10V~35V
- 开关频率
- 65kHz
- 最大占空比
- 90%
描述类型：高性能离线式 PWM 开关电源控制器，内置800V功率MOSFET，内置高压启动回路，内置过载、过温、VDD过压、输出开/短路保护功能
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4235
- ￥2.1208
- ￥1.6672
- ￥1.4728
- ￥1.2078
- ￥1.0998
- ￥1.035
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4042
4000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交48单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 10mΩ@10V,35A
描述P75NF75采用先进的沟槽技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用场景。
- 收藏
- 对比
- ￥2.1247
- ￥1.6396
- ￥1.4452
- ￥1.2027
- ￥1.0947
- ￥1.0298
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3580
- 江苏仓
- 130
50个/管
个
总额￥0
近期成交23单
- 功放类型
- D类功放
- 扬声器通道数
- 双声道
- 输出功率
- 50W×2@4Ω
- 工作电压
- 5.5V~26V
描述2×50W 立体声D类音频功率放大器，宽工作电压范围： 5.5V-26V
- 收藏
- 对比
- ￥6.16
- ￥4.97
- ￥4.38
- ￥3.79
- ￥3.43
- ￥3.25
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1672
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交39单
- 功放类型
- D类功放
- 扬声器通道数
- 双声道
- 输出功率
- 50W×2@4Ω
- 工作电压
- 5.5V~26V
描述2×50W 立体声D类音频功率放大器，宽工作电压范围： 5.5V-26V
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥6.23
- ￥5.04
- ￥4.45
- ￥3.86
- ￥3.51
- ￥3.32
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 1803
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交36单
- 输出功率
- 10W
- 工作电压
- 8V~18V
- 静态电流(Iq)
- 44mA
- 工作温度
- -40℃~+150℃
描述单通道 Gv=40dB(typ) 音频功放
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1712
- ￥1.6881
- ￥1.2336
- ￥1.0824
- ￥0.8937
- ￥0.8097
- ￥0.7593
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1710
50个/管
个
总额￥0
近期成交28单
描述负载类型:MOSFET；IGBT 灌电流:1.3A 拉电流:1.0A 工作电压:5V~18V 描述：三相高低侧功率驱动芯片
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4925
- ￥2.1656
- ￥1.712
- ￥1.5176
- ￥1.275
- ￥1.167
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4925
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@10V
描述N沟道 100V 35A 25mΩ 10V 4A 70W 采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON），低栅极电荷
- 收藏
- 对比
- ￥2.35
- ￥1.85
- ￥1.63
- ￥1.36
- ￥1.24
- ￥1.17
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1585
- 江苏仓
- 1475
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交18单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 900V
- 连续漏极电流(Id)
- 9A
- 导通电阻(RDS(on))
- 970mΩ@10V,4.5A
描述K3878采用先进的技术和设计，以提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于各种应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存44
- ￥6.11
- ￥5.03
- ￥4.29
- ￥3.62
- ￥3.32
- ￥3.18
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 44
- 江苏仓
- 885
30个/管
个
总额￥0
近期成交14单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 500V
- 连续漏极电流(Id)
- 20A
- 导通电阻(RDS(on))
- 280mΩ@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：500V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：0.32Ω@10V,6.5A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存772
- ￥6.18
- ￥4.97
- ￥4.35
- ￥3.75
- ￥3.39
- ￥3.21
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 769
- 江苏仓
- 83
25个/管
个
总额￥0
近期成交55单
- 正向压降(Vf)
- 1.2V
- 直流反向耐压(Vr)
- 400V
- 整流电流
- 80A
- 反向电流(Ir)
- 30uA
描述二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：400V 连续正向电流IF(AV)：2*40A 正向压降(Vf)：1.1V@40A 反向电流(Ir)：300μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存484
- ￥6.45
- ￥5.2
- ￥4.43
- ￥3.81
- ￥3.44
- ￥3.25
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 483
30个/管
个
总额￥0
近期成交16单
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1679
- ￥1.8979
- ￥1.4947
- ￥1.2859
- ￥1.0703
- ￥0.9743
- ￥0.9167
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1676
- 江苏仓
- 138
50个/管
个
总额￥0
近期成交36单
描述驱动配置:半桥 负载类型:MOSFET；IGBT 工作电压:4V~18V 上升时间:35ns 描述：三相高低侧功率驱动芯片
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4000
- ￥2.1656
- ￥1.712
- ￥1.5176
- ￥1.275
- ￥1.167
- ￥1.1022
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4000
4000个/圆盘
个
总额￥0
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 80V
- 连续漏极电流(Id)
- 413A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.4mΩ@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：360A 功率(Pd)：462.9W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.1mΩ@10V,50A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1513
- ￥5.53
- ￥4.45
- ￥3.91
- ￥3.37
- ￥3.05
- ￥2.89
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1507
1200个/圆盘
个
总额￥0
近期成交81单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 25mΩ@10V
描述N沟道功率MOSFET,35A,100V，25mΩ 10V 10A，采用先进的沟槽技术，提供卓越的RDS（ON），低栅极电荷
- 收藏
- 对比
- ￥1.7246
- ￥1.3718
- ￥1.2206
- ￥1.032
- ￥0.948
- ￥0.8976
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 2655
50个/管
个
总额￥0
近期成交19单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.5kV
- 连续漏极电流(Id)
- 3A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9Ω@10V
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：1500V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：250W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5.2Ω@10V,1.5A
- 收藏
- 对比
- ￥5.33
- ￥4.25
- ￥3.71
- ￥3.17
- ￥2.98
- ￥2.81
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 830
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交26单
- 正向压降(Vf)
- 1.2V
- 直流反向耐压(Vr)
- 400V
- 整流电流
- 80A
- 反向电流(Ir)
- 30uA
描述二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：400V 连续正向电流IF(AV)：2*40A 正向压降(Vf)：1.1V@40A 反向电流(Ir)：300μA@400V 反向恢复时间(trr)：26ns 工作温度：-55℃~+175℃@(Tj)
- 收藏
- 对比
- ￥6.26
- ￥5.01
- ￥4.39
- ￥3.77
- ￥3.4
- ￥3.21
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 476
30个/管
个
总额￥0
近期成交7单
- IGBT类型
- FS(场截止)
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 100A
- 耗散功率(Pd)
- 300W
描述IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=100A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存681
- ￥7.84
- ￥7.21
- ￥6.42
- ￥6.02
- ￥5.83
- ￥5.75
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 680
30个/管
个
总额￥0
近期成交47单
- 扬声器通道数
- 四声道
- 输出功率
- 25W
- 工作电压
- 18V
- 静态电流(Iq)
- 190mA
描述TDA7388 是一块具有待机和静音功能的25W 四声道（BTL）音频功放电路，输出功率大：Po=25W×4（Vcc＝14.4V，BTL，RL＝4Ω，THD＝10％）。
- 收藏
- 对比
- ￥9.15
- ￥7.57
- ￥6.7
- ￥5.72
- ￥5.28
- ￥5.08
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 330
- 江苏仓
- 18
17个/管
个
总额￥0
近期成交32单
- 集射极击穿电压(Vces)
- 600V
- 集电极电流(Ic)
- 150A
- 耗散功率(Pd)
- 468W
- 正向压降(Vf)
- 1.9V@75A
描述IGBT类型：场截止沟槽，集射极击穿电压Vces=600V，集电极电流Ic=75A
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥12.18
- ￥10.37
- ￥9.24
- ￥8.08
- ￥7.56
- ￥7.33
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 520
30个/管
个
总额￥0
近期成交7单
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 4.2A
- 导通电阻(RDS(on))
- 45mΩ@10V,4.2A
- 耗散功率(Pd)
- 1.2W
描述AO3401S采用先进的沟槽技术，具备出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，且可在低至2.5V的栅极电压下工作。该器件适用于作为负载开关或其他通用应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存8830
- ￥0.1514
- ￥0.119
- ￥0.101
- ￥0.0854
- ￥0.0761
- ￥0.071
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 8800
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交67单
- 门极触发电压(Vgt)
- 1.4V
- 保持电流(Ih)
- 10mA
- 断态峰值电压(Vdrm)
- 600V
- 门极触发电流(Igt)
- 10mA
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥0.5598
- ￥0.4898
- ￥0.4548
- ￥0.4285
- ￥0.4075
- ￥0.397
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 0
- 江苏仓
- 5005
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交8单
