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首页 > 品牌列表 > GONGMOSEMI(共模半导体) >
全部商品分类
共模半导体是一家致力于高性能模拟电路的研发及销售的中国企业,产品涉及模拟数字转换器、模拟电源、基准源、放大器、保护器件、及高性能混合信号SoC等,在低功耗、低噪声等高性能电源技术和精密模拟技术领域处于国际领先水平。 公司立足于中国本土供应链,研发多款方便替换国外进口芯片的产品,产品性能及稳定性达到世界一流芯片大厂水准,部分核心指标与参数还能有所超越,广泛应用于工业,电力,通信,汽车,医疗等多个领域,产品形态包括芯片和应用方案。
综合排序 价格 库存 销量
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67
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • GM1200ACPZ
  • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
  • 封装: DFN-10-EP(3x3)
  • 描述: GM1200ACPZ是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供200mA输出电流。压差:353mV。超低噪声:0.8uVrms。PSSR(电源抑制比):80dB(在 1MHz)。
  • 输出类型: 可调
  • 最大输入电压: 20V
  • 输出电压: 1.5V~15V
  • 输出电流: 200mA
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    • GM45002ARMZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: MSOP-8-EP
    • 描述: GM45002ARMZ-R7 是工业应用中噪声最低的精确轨对轨输入输出的CMOS 放大器,实现了高直流精度和功耗的均衡性,可用于任何精密运放应用。例如数模模数转换器、音频、工业控制、精密滤波器、电子秤、机动车碰撞避免、锁相环滤波器等
    • 放大器数: 双路
    • 增益带宽积(GBP): 28MHz
    • 输入偏置电流(Ib): 0.5pA
    • 输入失调电压(Vos): 6uV
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    • GM1205ACPZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: DFN-10-EP(3x3)
    • 描述: GM1205ACPZ-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供500mA输出电流。压差:180mV。超低噪声:1.8µVRMS。PSSR(电源抑制比):62dB(在 2MHz)。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1V~15V
    • 输出电流: 500mA
  • 领券
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    • GM12051ACPZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: DFN-10-EP(3x3)
    • 描述: GM12051ACPZ-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供1A输出电流。压差:225mV。超低噪声:1.8µVRMS。PSSR(电源抑制比):59dB(在 2MHz) 。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1V~15V
    • 输出电流: 1A
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    • GM1200ARMZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: MSOP-10-EP
    • 描述: GM1200ARMZ-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供200mA输出电流。压差:353mV。超低噪声:0.8uVrms。PSSR(电源抑制比):80dB(在 1MHz)。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1.5V~15V
    • 输出电流: 200mA
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    • GM12041ARDZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: GM12041ARDZ-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供1.5A的输出电流。压差:160mV。超低噪声:9.8μVRMS(10Hz 至 100kHz)。PSSR(电源抑制比):75dB/62dB(100Hz/100kHz)。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1.21V~20V
    • 输出电流: 1.5A
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    • GM12046ACPZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: DFN-8(3x3)
    • 描述: GM12046ACPZ是一款高电流、低噪声、高精度、低压差线性稳 压器,专为快速瞬态响应而优化。该装置能够提供 2A 的输出电流,典型压降为 220mV。 该器件非常适合服务器、数据计算和对噪声敏感的医疗影像应用。低噪声:9μVRMS(10Hz 至 100kHz)电源抑制比:75dB/62dB(100Hz/100kHz) 工作温度:−40°C 至 +125°C
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 7V
    • 输出电压: 1.21V~7V
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    • GM1203AACPZ-2-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: QFN-20-EP(5x5)
    • 描述: GM1203AACPZ-2-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 3A的输出电流。压差:210mV。超低噪声:3µVRMS/0.5VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 6.5V
    • 输出电压: 500mV~5.5V
    • 输出电流: 3A
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    • GM45002ARZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SOIC-8-EP
    • 描述: GM45002ARZ-R7 是工业应用中噪声最低的精确轨对轨输入输出的CMOS 放大器,实现了高直流精度和功耗的均衡性,可用于任何精密运放应用。例如数模模数转换器、音频、工业控制、精密滤波器、电子秤、机动车碰撞避免、锁相环滤波器等
    • 放大器数: 双路
    • 增益带宽积(GBP): 28MHz
    • 输入偏置电流(Ib): 0.5pA
    • 输入失调电压(Vos): 6uV
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    • 1+: 

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    • 封装:  SOIC-8-EP
      描述: GM45002ARZ-R7 是工业应用中噪声最低的精确轨对轨输入输出的CMOS 放大器,实现了高直流精度和功耗的均衡性,可用于任何精密运放应用。例如数模模数转换器、音频、工业控制、精密滤波器、电子秤、机动车碰撞避免、锁相环滤波器等
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    • GM1203AACPZ-1-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: QFN-20-EP(3.5x3.5)
    • 描述: GM1203AACPZ-1-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 3A的输出电流。压差:210mV。超低噪声:3µVRMS/0.5VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 6.5V
    • 输出电压: 500mV~5.5V
    • 输出电流: 3A
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    • GM12043AKCZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SOT-223-6
    • 描述: GM12043AKCZ-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供1.5A的输出电流。压差:160mV。超低噪声:20μVRMS(10Hz 至 100kHz)。PSSR(电源抑制比):68dB/58dB(100Hz/100kHz)。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1.21V~20V
    • 输出电流: 1.5A
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    • GM1203BACPZ-2-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: QFN-20(5x5)
    • 描述: GM1203BACPZ-2-R7是一款高精度、低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 3A的输出电流。压差:210mV。超低噪声:3µVRMS/0.8VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。工作温度:−40°C to +125°C。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 6.5V
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    • 输出电流: 3A
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      江苏仓: 0
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    • GM1203BACPZ-1-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: QFN-20(3.5x3.5)
    • 描述: GM1203BACPZ-1-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 3A的输出电流。压差:210mV。超低噪声:3µVRMS/0.5VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 6.5V
    • 输出电压: 800mV~5.5V
    • 输出电流: 3A
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    • GM1204AHZ-RL
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: TO-263-5
    • 描述: GM1204AHZ-RL是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供3A输出电流。压差:353mV。超低噪声:9.8μVRMS(10Hz 至 100kHz)。PSSR(电源抑制比):73dB/63dB(100Hz/100kHz)。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1.21V~20V
    • 输出电流: 3A
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      江苏仓: 0
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    • GM1204AREZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: TSSOP-16-EP
    • 描述: GM1204AREZ-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供3A输出电流。压差:353mV。超低噪声:9.8μVRMS(10Hz 至 100kHz)。PSSR(电源抑制比):73dB/63dB(100Hz/100kHz)。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1.21V~20V
    • 输出电流: 3A
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    • GM12041AHZ-RL
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: TO-263
    • 描述: GM12041AHZ-RL是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供1.5A的输出电流。压差:160mV。超低噪声:9.8μVRMS(10Hz 至 100kHz)。PSSR(电源抑制比):75dB/62dB(100Hz/100kHz)。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1.21V~20V
    • 输出电流: 1.5A
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    • GM12046ACPZ-3.3-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: DFN-8(3x3)
    • 描述: GM12046ACPZ -3.3是一款高电流、低噪声、高精度、低压差线性稳压器,专为快速瞬态响应而优化。该装置能够提供 2A 的输出电流,典型压降为 220mV。该器件非常适合服务器、数据计算和对噪声敏感的医疗影像应用。 低噪声:9μVRMS(10Hz 至 100kHz)电源抑制比:75dB/62dB(100Hz/100kHz) 工作温度:−40°C 至 +125°C
    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 7V
    • 输出电压: 3.3V
    • 输出电流: 2A
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    • GM1207ACPZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: DFN-6(2x2)
    • 描述: GM1207ACPZ-3.3是一款CMOS、低功耗、高 PSRR 、低噪声低压差的(LDO)线性稳压器,该器件采用先进的专有架构,在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流,出色的线路与负载瞬态响应性能。可用于ADC和DAC电路、精密放大器、 VCO控制供电、通信、基础设施、医疗成像、工业与仪器仪表、汽车电子等领域,支持通过外部电容进行用户可编程软启动。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 1.2V~5V
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    • GM12045ARDZ-5-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: GM12045ARDZ-5-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供500mA的输出电流。压差:90mV。超低噪声:8.8μVRMS(10Hz 至 100kHz)。PSSR(电源抑制比):81dB/62dB(100Hz/100kHz)。
    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 20V
    • 输出电压: 5V
    • 输出电流: 500mA
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    • GM12031ARDZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: PSOP-8
    • 描述: GM12031ARDZ-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器(LDO),可提供2A的输出电流。压差:160mV。超低噪声:35µVRMS/0.5VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。
    • 输出类型: 可调
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    • GM7400ARZ-5-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SO-8
    • 描述: GM7400ARZ-5-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源,该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿,该带隙基准电压源可实现 3ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性,以及±0.04% 的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。
    • 输入电压: 45V
    • 输出电压: 5V
    • 精度: ±0.04%
    • 温度系数: 3ppm/℃
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    • GM7400ARZ-2.5-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SO-8
    • 描述: GM7400ARZ-2.5-R7 是一款低噪声、高精度基准电压源,该器件兼具稳健的工作特性和极低的漂移与低噪声。利用先进的曲率补偿,该带隙基准电压源可实现 3ppm/°C 的漂移和可预知的温度特性,以及±0.04% 的初始电压准确度。可用于高分辨率数据采集、仪器仪表与过程控制、医疗设备、汽车电池监控等领域。
    • 输入电压: 45V
    • 输出电压: 2.5V
    • 精度: ±0.04%
    • 温度系数: 3ppm/℃
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    • GM12045ARDZ-3.3-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: GM12045ARDZ-3.3-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供500mA的输出电流。压差:90mV。超低噪声:8.8μVRMS(10Hz 至 100kHz)。PSSR(电源抑制比):81dB/62dB(100Hz/100kHz)。
    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 20V
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    • 输出电流: 500mA
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    • GM1207ACPZ-5.0-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: DFN-6(2x2)
    • 描述: GM1207ACPZ-5.0-R7是一款CMOS、低功耗、高 PSRR 、低噪声低压差的(LDO)线性稳压器,该器件采用先进的专有架构,在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流,出色的线路与负载瞬态响应性能。可用于ADC和DAC电路、精密放大器、 VCO控制供电、通信、基础设施、医疗成像、工业与仪器仪表、汽车电子等领域,支持通过外部电容进行用户可编程软启动。
    • 输出类型: 固定
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    • GM1203BACPZ-3-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: QFN-20(3.5x3.5)
    • 描述: GM1203BACPZ-3-R7是一款高精度低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供 4A的输出电流。压差:250mV。超低噪声:3µVRMS/0.8VOUT。PSSR(电源抑制比):42dB/500kHz。工作温度:−40°C to +125°C。
    • 输出类型: 可调
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    • GM1207AUJZ-3.3-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: GM1207AUJZ-3.3是一款CMOS、高压、低功耗、高 PSRR 、低噪声低压差的(LDO)线性稳压器,最大输出电流为 300 mA,低噪声:8.5uVRMS。该器件采用先进的专有架构,在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流,出色的线路与负载瞬态响应性能。可用于ADC和DAC电路、精密放大器、 VCO控制供电、通信、基础设施、医疗成像、工业与仪器仪表、汽车电子等领域,适应噪声敏感应用。
    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 20V
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    • GM14001ARHZ-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: MSOP-8-EP
    • 描述: GM14001ARHZ-R7 是一款 高压、低噪声、高精度、低压差、低功耗的线性稳压器(LDO),采用 1.9V 至 40V 电源供电,最大输出电流为150mA,低噪声:15µVRMS。这款高输入电压 LDO 适用于调节 36V 至1.188V 供电的高性能模拟和混合信号电路。该器件采用先进的专有架构,在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流且具有出色的散热性能,适应噪声敏感应用ADC 和 DAC 电路,精密放大器和 VCO 控制供电、通信和基础设施、医疗和保健、工业与仪器仪表、汽车电子,用户可编程软启动。
    • 输出类型: 可调
    • 最大输入电压: 40V
    • 输出电流: 150mA
    • 电源纹波抑制比(PSRR): 75dB@(10kHz)
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    • GM1207ACPZ-3.3-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: DFN-6(2x2)
    • 描述: GM1207ACPZ-3.3是一款CMOS、低功耗、高 PSRR 、低噪声低压差的(LDO)线性稳压器,该器件采用先进的专有架构,在提供高电源抑制、低噪声特性的同时保持低静态电流,出色的线路与负载瞬态响应性能。可用于ADC和DAC电路、精密放大器、 VCO控制供电、通信、基础设施、医疗成像、工业与仪器仪表、汽车电子等领域,支持通过外部电容进行用户可编程软启动。
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    • GM12041ARDZ-3.3-R7
    • 品牌: GONGMOSEMI(共模半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: GM12041ARDZ-3.3-R7是一款低噪声、低压差线性稳压器 (LDO),可提供1.5A的输出电流。压差:160mV。超低噪声:9.8μVRMS(10Hz 至 100kHz)。PSSR(电源抑制比):75dB/62dB(100Hz/100kHz)。
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