Tagore

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- 射频开关
- RF放大器
- 射频前端芯片
- 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
- 其他模块
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TS8329K

品牌: Tagore

封装: QFN-16(3x3)

类目: 射频开关

编号: C20034367

隔离度: 38dB

插入损耗: 0.4dB

工作电压: 2.6V~5.5V

工作温度: -40℃~+85℃

描述TS8329K是一款适用于宽带、高峰值功率切换应用的不对称反射式单刀双掷开关。其从500MHz到5GHz的宽带行为使TS8329K成为所有要求低插入损耗、高隔离度和高线性度的小型封装应用的理想选择。

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TS63421K

品牌: Tagore

封装: QFN-16(3x3)

类目: 射频开关

编号: C3304159

频率: 1MHz~1GHz

隔离度: 37dB

插入损耗: 0.25dB

工作电压: 2.6V~5.5V

描述TS63421K是一款反射型单刀四掷（SP4T）射频开关，适用于需要高射频峰值电压处理的应用。TS63421K适合1MHz至1GHz的频率范围，具有非常低的1.9Q导通电阻和0.35pF的关断电容。该开关可以选择16个独立状态。

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TS7321FK-EVB

品牌: Tagore

封装: -

类目: 其他模块

编号: C17371477

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TS7441L-EVB

品牌: Tagore

封装: -

类目: 其他模块

编号: C17643130

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TS7421L-EVB

品牌: Tagore

封装: -

类目: 其他模块

编号: C17536342

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TL0374J

品牌: Tagore

封装: QFN-8(2x2)

类目: 射频前端芯片

编号: C6284882

频率: 600MHz~3GHz

描述TL0374J 是一款宽带、超低噪声放大器 (LNA)，提供高增益和线性度。通过简单的输入和输出匹配，该 LNA 可以针对不同的频率带进行调谐，适用于 LTE（小型基站和基础设施）以及其他需要低噪声、高增益和线性度的应用。对于 >3GHz 频率带，可以考虑使用 TL0375J。

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TL0375J

品牌: Tagore

封装: QFN-8(2x2)

类目: 射频前端芯片

编号: C5986490

频率: 2GHz~5GHz

描述TL0375J 是 TL0374J 的高频版本，是一款宽带、超低噪声放大器。通过简单的输入和输出匹配，此 LNA 可以针对不同的频率带进行调谐，适用于 LTE（小基站和基础设施）、雷达和其他需要低噪声、高增益和线性的应用。

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TP44440HB

品牌: Tagore

封装: -

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C20034359

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TP44220HB

品牌: Tagore

封装: -

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C20034358

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TR0329M

品牌: Tagore

封装: QFN-20(3.5x3.5)

类目: RF放大器

编号: C20034360

描述TR0329M 是一种高线性度、超低噪声的双级增益模块，具有内部50欧姆输入输出匹配和旁路模式功能。在3.6GHz下，高增益模式下通常提供34dB增益，+35dBm OIP3，0.5dB噪声系数，同时从+5V电源汲取90mA电流。低增益模式下提供15dB增益，0.5dB噪声系数，+23.5dBm OIP3，同时从+5V电源汲取50mA电流。