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HUXN(慧芯)

HUXN(慧芯)

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广东慧芯电子科技有限公司(慧芯)是一家致力于半导体器件研发、生产、销售、服务于一体的高新技术企业。慧芯2003年成立于中国香港,在欧洲、美洲、亚太等30多个国家和地区设立了销售渠道及服务网点,力求高效、便捷的为客户服务。慧芯电子的产品涵盖了瞬变抑制系列二极管、整流系列二极管、快恢复系列二极管、肖特基系列二极管、高压系列二极管、开关系列二极管、稳压系列二极管、整流桥、半导体功率二极管、半导体功率晶闸管、汽车整流器专用二极管等半导体器件,已广泛应用于汽车电子、医疗电子、环保照明、通讯产品、电源产品、家电产品、智能仪表等各个领域。

  • 类目
    • 稳压二极管
    • 肖特基二极管
    • 快恢复/高效率二极管
    • 整流桥
    • 三极管(BJT)
    • 开关二极管
    • 静电和浪涌保护(TVS/ESD)
    • 通用二极管
    展开
    多选
  • 封装
    • SOD-323(SC-90)
    • SOD-123
    • SOD-523(SC-79)
    • SOT-23(TO-236)
    • SMA(DO-214AC)
    • DO-27
    • SMAF(DO-214AD)
    • SMB(DO-214AA)
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自营结果数149
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

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  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

电压:40V 电流:1A
1N5819WS
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-323
类目
肖特基二极管
编号
C3003026
二极管配置
独立式
正向压降
600mV@1A
直流反向耐压
40V
整流电流
1A
  • 收藏
  • 对比
MM1ZB47
MM1ZB47
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-123
类目
稳压二极管
编号
C5128825
稳压值
47V
反向电流
2uA@36V
稳压值
46.06V~47.94V
耗散功率
500mW
描述
稳压值(标称值):47V 稳压值(范围):46.06V~47.94V 精度:±2% 功率:500mW 反向电流(Ir):2μA@36V 阻抗(Zzt):150Ω
  • 收藏
  • 对比
1N4148W
1N4148W
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-123
类目
开关二极管
编号
C3002997
二极管配置
独立式
正向压降
1.25V@150mA
直流反向耐压
100V
整流电流
150mA
  • 收藏
  • 对比
1N4148WS
1N4148WS
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-323
类目
开关二极管
编号
C3002998
二极管配置
独立式
正向压降
1.25V@150mA
直流反向耐压
100V
整流电流
150mA
  • 收藏
  • 对比
HESD5Z24
HESD5Z24
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-523
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C3002989
反向截止电压
24V
钳位电压
35V
击穿电压
26V
反向电流
1uA
描述
VRWM=24V VBR=26Vmin 反向电流(Ir):1μAmax Vc: IPP=1A=35Vmax
  • 收藏
  • 对比
HSD18
HSD18
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-323
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C3002988
反向截止电压
18V
钳位电压
45V
峰值脉冲功率
350W@8/20us
击穿电压
20V
描述
VRWM=18V VB=20Vmin 反向电流(Ir):1μAmax Vc@1A=29Vmax
  • 收藏
  • 对比
HSM05
HSM05
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-23
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C3002990
反向截止电压
5V
钳位电压
18V
峰值脉冲功率
350W@8/20us
击穿电压
6V
描述
VRWM=5V VB=6Vmin 反向电流(Ir):10μAmax Vc@1A=9.8Vmax
  • 收藏
  • 对比
P沟道增强型场效应管,电流:4.1A,耐压:30V
BC3407
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5128836
数量
1个P沟道
漏源电压
30V
连续漏极电流
4.1A
导通电阻
60mΩ@10V,4.1A
  • 收藏
  • 对比
A7
A7
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-123FL
类目
通用二极管
编号
C3002984
正向压降
1.1V@1A
直流反向耐压
1kV
整流电流
1A
反向电流
5uA@1kV
描述
正向浪涌电流(Ifsm):35A
  • 收藏
  • 对比
F2
F2
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-123FL
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C3020840
二极管配置
独立式
正向压降
1.3V@1A
直流反向耐压
200V
整流电流
1A
  • 收藏
  • 对比
MM3Z12
MM3Z12
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-323
类目
稳压二极管
编号
C3003013
稳压值
12V
反向电流
100nA@9V
稳压值
11.4V~12.7V
耗散功率
300mW
描述
稳压值(标称值):12V 稳压值(范围):11.4V~12.7V 精度:±5% 功率:300mW 反向电流(Ir):0.1μA@9V 阻抗(Zzt):35Ω
  • 收藏
  • 对比
2A7
2A7
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-123FL
类目
通用二极管
编号
C5128838
正向压降
1.1V@1.5A
直流反向耐压
1kV
整流电流
1.5A
反向电流
5uA@1000V
描述
正向浪涌电流(Ifsm):40A
  • 收藏
  • 对比
BZX584B3V3
BZX584B3V3
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-523
类目
稳压二极管
编号
C3020862
二极管配置
独立式
稳压值
3.3V
反向电流
5uA@1V
稳压值
3.23V~3.37V
  • 收藏
  • 对比
RS1M
RS1M
品牌
HUXN(慧芯)
封装
DO-214AC(SMA)
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C3003000
二极管配置
独立式
正向压降
1.3V@1A
直流反向耐压
1kV
整流电流
1A
  • 收藏
  • 对比
MMBT5551
MMBT5551
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-23
类目
三极管(BJT)
编号
C3020841
晶体管类型
NPN
集电极电流
600mA
集射极击穿电压
160V
耗散功率
300mW
  • 收藏
  • 对比
MM1Z3B6
MM1Z3B6
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-123
类目
稳压二极管
编号
C6798266
稳压值
3.6V
反向电流
10uA@1V
稳压值
3.528V~3.672V
耗散功率
500mW
描述
稳压二极管 稳压值(标称值):3.6V 稳压值(范围):3.528V~3.672V 精度:±2% 功率:500mW 反向电流(Ir):10μA@1V 阻抗(Zzt):130Ω
  • 收藏
  • 对比
MM1ZB15
MM1ZB15
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-123
类目
稳压二极管
编号
C3020867
二极管配置
独立式
稳压值
15V
反向电流
100nA@11V
稳压值
14.7V~15.3V
  • 收藏
  • 对比
MM3ZB24
MM3ZB24
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-323
类目
稳压二极管
编号
C5128822
稳压值
24V
反向电流
100nA@19V
稳压值
23.52V~24.48V
耗散功率
300mW
  • 收藏
  • 对比
BC857BW
BC857BW
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-323
类目
三极管(BJT)
编号
C5128834
晶体管类型
PNP
集电极电流
100mA
集射极击穿电压
45V
耗散功率
150mW
  • 收藏
  • 对比
D4KB100
D4KB100
品牌
HUXN(慧芯)
封装
D3K
类目
整流桥
编号
C3003054
正向压降
1.1V@4A
直流反向耐压
1kV
整流电流
4A
反向电流
5uA@1kV
  • 收藏
  • 对比
BAV99W
BAV99W
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-323
类目
开关二极管
编号
C3020873
二极管配置
1对串联式
正向压降
1.25V@150mA
整流电流
150mA
反向电流
1uA@75V
  • 收藏
  • 对比
BC807-25W
BC807-25W
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-323-3
类目
三极管(BJT)
编号
C3020843
晶体管类型
PNP
集电极电流
500mA
集射极击穿电压
45V
耗散功率
200mW
  • 收藏
  • 对比
电压:40V 电流:5A
SS54
品牌
HUXN(慧芯)
封装
DO-214AC(SMA)
类目
肖特基二极管
编号
C5128813
二极管配置
独立式
正向压降
550mV@5A
直流反向耐压
40V
整流电流
5A
  • 收藏
  • 对比
MUR2040FCT
MUR2040FCT
品牌
HUXN(慧芯)
封装
ITO-220AB
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C3003001
二极管配置
1对共阴极
正向压降
1.3V@10A
直流反向耐压
400V
整流电流
20A
  • 收藏
  • 对比
N沟道MOSFET,电流:0.17A,耐压:100V
BSS123
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6798263
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
170mA
导通电阻
6Ω@10V,0.17A
  • 收藏
  • 对比
N沟道,电流:0.17A,耐压:100V
BSS123W
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-323
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6798271
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
170mA
导通电阻
10Ω@4.5V,0.17A
  • 收藏
  • 对比
HESD5Z6V0
HESD5Z6V0
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-523
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C3020842
类型
ESD
描述
VRWM=6V VBR=6.8Vmin 反向电流(Ir):0.05μAmaxVc: IPP=5A=13.5Vmax
  • 收藏
  • 对比
HSD12
HSD12
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-323
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C3020844
反向截止电压
12V
钳位电压
32V
峰值脉冲功率
350W@8/20us
击穿电压
13.3V
描述
VRWM=12V VB=13.3Vmin 反向电流(Ir):1μAmaxVc@1A=29Vmax
  • 收藏
  • 对比
HESD5Z5V0
HESD5Z5V0
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOD-523
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C5128831
反向截止电压
5V
钳位电压
11.6V
击穿电压
6.2V
类型
ESD
  • 收藏
  • 对比
HSM24
HSM24
品牌
HUXN(慧芯)
封装
SOT-23
类目
静电和浪涌保护(TVS/ESD)
编号
C3002991
反向截止电压
24V
钳位电压
43V
峰值脉冲功率
350W@8/20us
击穿电压
26.7V
描述
VRWM=24V VB=26.7Vmin 反向电流(Ir):1μAmax Vc@1A=43Vmax
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  • 对比