Transphorm

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类目
- 氮化镓晶体管(GaN HEMT)
- 场效应管(MOSFET)
- 开发板
- 结型场效应管(JFET)
多选
封装
- TO-247
- -
- TO-220
- QFN-3(8x8)
- QFN-8(5x6)
- DFN-3(8x8)
- QFN-3(5x6)
- QFN-8(8x8)
- TO-263
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自营结果数39

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
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TPH3206PSB

品牌: Transphorm

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6718992

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@8V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥135.9
10+￥130.01
50+￥119.81
100+￥110.9

需订货

广东仓: 0

50个/管

个

总额￥0

近期成交2单

TP65H300G4LSG

品牌: Transphorm

封装: PQFN-3(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3279603

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对比

SMT扩展库

1+￥39.94
10+￥34.4
30+￥31.02
100+￥28.2

需订货

广东仓: 0

240个/管

个

总额￥0

TP65H035G4WS

品牌: Transphorm

封装: TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3281059

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 46.5A

耗散功率(Pd): 156W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥48.36
10+￥41.65
30+￥37.57
100+￥34.14

需订货

广东仓: 0

30个/管

个

总额￥0

近期成交1单

预售商品

TP65H480G4JSGB-TR

品牌: Transphorm

封装: PQFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20569768

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对比

1+￥21.54
200+￥8.6
500+￥8.31
1000+￥8.17

需订货

广东仓: 0

4000个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TP65H300G4JSGB-TR

品牌: Transphorm

封装: PQFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20570059

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 9.2A

导通电阻(RDS(on)): 312mΩ@6V

耗散功率(Pd): 41.6W

收藏
对比

1+￥26.21
200+￥10.46
500+￥10.11
1000+￥9.94

需订货

广东仓: 0

4000个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TP65H150BG4JSG-TR

品牌: Transphorm

封装: PQFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20568268

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@6V

耗散功率(Pd): 83W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥32.33
200+￥12.9
500+￥12.47
1000+￥12.26

需订货

广东仓: 0

4000个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TP65H150G4LSG-TR

品牌: Transphorm

封装: PQFN-3(8x8)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7364683

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 13A

导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@10V,8.5A

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对比

SMT扩展库

1+￥39.32
200+￥15.69
500+￥15.17
1000+￥14.91

需订货

广东仓: 0

3000个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TP65H150G4PS

品牌: Transphorm

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7401585

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 16A

导通电阻(RDS(on)): 180mΩ@10V,8.5A

收藏
对比

1+￥60.07
200+￥23.97
500+￥23.17
1000+￥22.77

需订货

广东仓: 0

50个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H070G4PS

品牌: Transphorm

封装: TO-220

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20472485

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对比

SMT扩展库

1+￥78.63
200+￥31.38
500+￥30.33
1000+￥29.81

需订货

广东仓: 0

50个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H070G4LSGB-TR

品牌: Transphorm

封装: PQFN-8(8x8)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20484195

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对比

SMT扩展库

1+￥100.34
200+￥40.04
500+￥38.7
1000+￥38.04

需订货

广东仓: 0

3000个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TP65H050G4BS

品牌: Transphorm

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7073212

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 34A

导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@10V,22A

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对比

SMT扩展库

1+￥129.09
200+￥51.51
500+￥49.79
1000+￥48.94

需订货

广东仓: 0

50个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H070LDG-TR

品牌: Transphorm

封装: PQFN-3(8x8)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6339100

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@10V,16A

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对比

SMT扩展库

1+￥129.96
200+￥51.86
500+￥50.13
1000+￥49.27

需订货

广东仓: 0

500个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TP90H180PS

品牌: Transphorm

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7401588

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 900V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 205mΩ@10V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥177.21
200+￥70.71
500+￥68.35
1000+￥67.18

需订货

广东仓: 0

50个/管

个

总额￥0

预售商品

TPH3208PS

品牌: Transphorm

封装: TO-220AB

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7073233

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 130mΩ@8V,13A

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对比

SMT扩展库

1+￥182.87
200+￥72.97
500+￥70.53
1000+￥69.33

需订货

广东仓: 0

50个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H035WS

品牌: Transphorm

封装: TO-247-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7125447

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 46.5A

导通电阻(RDS(on)): 41mΩ@10V,30A

耗散功率(Pd): 156W

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对比

SMT扩展库

1+￥223.88
210+￥89.33
510+￥86.35
990+￥84.87

需订货

广东仓: 0

30个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H035WSQA

品牌: Transphorm

封装: TO-247-3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6339098

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 47.2A

导通电阻(RDS(on)): 41mΩ@10V,32A

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对比

SMT扩展库

1+￥238.73
180+￥95.26
480+￥92.07
1020+￥90.5

需订货

广东仓: 0

60个/管

个

总额￥0

预售商品

TDHBG2500P100-KIT

品牌: Transphorm

封装: -

类目: 开发板

编号: C20837965

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对比

1+￥1860.2
200+￥1747.1
500+￥1688.72
1000+￥1659.87

需订货

广东仓: 0

1个/袋

个

总额￥0

预售商品

TDINV3000W050-KIT

品牌: Transphorm

封装: -

类目: 开发板

编号: C21647159

收藏
对比

1+￥5160.93
200+￥4847.14
500+￥4685.17
1000+￥4605.14

需订货

广东仓: 0

1个/袋

个

总额￥0

预售商品

TP65H480G4JSG-TR

品牌: Transphorm

封装: PQFN-3(5x6)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3289557

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 3.6A

耗散功率(Pd): 13.2W

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对比

SMT扩展库

1+￥14
200+￥5.42
500+￥5.23
1000+￥5.14

需订货

广东仓: 0

500个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TP65H300G4LSG-TR

品牌: Transphorm

封装: DFN-3(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3345104

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对比

SMT扩展库

1+￥28.7
200+￥11.11
500+￥10.72
1000+￥10.53

需订货

广东仓: 0

2000个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TPH3206PS

品牌: Transphorm

封装: TO-220AB

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3280748

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 17A

耗散功率(Pd): 96W

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对比

SMT扩展库

1+￥42.5
200+￥16.45
500+￥15.87
1000+￥15.59

需订货

广东仓: 0

50个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H150G4LSG

品牌: Transphorm

封装: DFN-3(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3345103

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥45.76
200+￥17.71
500+￥17.09
1000+￥16.78

需订货

广东仓: 0

2000个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TPH3206PD

品牌: Transphorm

封装: TO-220AB

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3280656

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 600V

连续漏极电流(Id): 17A

耗散功率(Pd): 96W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥46.15
200+￥17.86
500+￥17.24
1000+￥16.93

需订货

广东仓: 0

50个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H070LDG

品牌: Transphorm

封装: PQFN-3(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3279602

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 25A

耗散功率(Pd): 96W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥60.32
200+￥23.35
500+￥22.53
1000+￥22.12

需订货

广东仓: 0

60个/管

个

总额￥0

预售商品

TPH3205WSBQA

品牌: Transphorm

封装: TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3290720

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 35A

耗散功率(Pd): 125W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥117.52
200+￥45.48
500+￥43.88
1000+￥43.09

需订货

广东仓: 0

30个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H070LSG-TR

品牌: Transphorm

封装: PQFN-3(8x8)

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C7401584

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥129.96
200+￥51.86
500+￥50.13
1000+￥49.27

需订货

广东仓: 0

500个/圆盘

个

总额￥0

预售商品

TP65H050G4WS

品牌: Transphorm

封装: TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C6290232

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥147.87
210+￥59
510+￥57.03
990+￥56.06

需订货

广东仓: 0

30个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H050WS

品牌: Transphorm

封装: TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3281052

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 34A

耗散功率(Pd): 119W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥178.38
200+￥69.03
500+￥66.61
1000+￥65.41

需订货

广东仓: 0

30个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H050WSQA

品牌: Transphorm

封装: TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3290735

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 36A

耗散功率(Pd): 150W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥191.65
200+￥74.17
500+￥71.56
1000+￥70.27

需订货

广东仓: 0

30个/管

个

总额￥0

预售商品

TP65H035G4WSQA

品牌: Transphorm

封装: TO-247-3

类目: 氮化镓晶体管(GaN HEMT)

编号: C3281050

类型: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 47.2A

耗散功率(Pd): 187W

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥195.08
200+￥75.49
500+￥72.84
1000+￥71.53

需订货

广东仓: 0

30个/管

个

总额￥0

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