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APM(永源微电子)

APM(永源微电子)

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深圳市永源微电子科技有限公司,前身为中国台湾汉磊科技有限公司全资子公司,于2017年独立。公司专注于集成电路和功率器件的研发与生产,拥有自主可控的4条封装线,并提供超过1700款产品。主要产品线包括集成电路和功率器件。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
  • 封装
    • TO-252
    • SOT-23(TO-236)
    • DFN-8(5x6)
    • SOP-8
    • TO-220
    • DFN-8(3x3)
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • SOT-23-6
    • QFN-6-EP(2x2)
    • SOT-89
    • TO-220F
    • TO-247
    • TO-251
    • TO-263
    • DFN-5(5x6)
    • DFN-6(2x2)
    • SOT-223
    • TO-263-3
    多选
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总库存
销量
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自营结果数122
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:3.2A
AP3400DI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011239
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3.2A
导通电阻(RDS(on))
85mΩ@2.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1275
  • 0.0983
  • 0.0821
  • 0.0724
  • 0.064
  • 0.0594
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
15

3000/圆盘

总额0

650V, 4A, N沟道增强型MOSFET
AP4N65D
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-252-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011405
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.4Ω@10V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存80
5.8折起
  • 1.005654
  • 0.863056
  • 0.728306
  • 0.720534
现货最快4小时发货
广东仓
80

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
AP2302BI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011238
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2.3A
导通电阻(RDS(on))
56mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.0823
  • 0.0809
  • 0.0589
  • 0.058
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
5

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:20V 电流:2.3A
AP2302CI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011237
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
2.3A
导通电阻(RDS(on))
52mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1018
  • 0.0775
  • 0.064
  • 0.0559
  • 0.0488
  • 0.045
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
15

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:20V 电流:3.2A
AP2302AI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011240
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3.2A
导通电阻(RDS(on))
32mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1037
  • 0.1013
  • 0.0997
  • 0.0981
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
9

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:20V 电流:3.3A
AP2300AI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011241
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
3.3A
导通电阻(RDS(on))
45mΩ@4.5V,3A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1128
  • 0.1104
  • 0.1088
  • 0.0878
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
15

3000/圆盘

总额0

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:30V 电流:4.2A
AP3400CI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011256
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.2A
导通电阻(RDS(on))
42mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.118
  • 0.1157
  • 0.1142
  • 0.0946
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
15

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:30V 电流:4.2A
AP3404BI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011259
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.2A
导通电阻(RDS(on))
38mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.2035
  • 0.1549
  • 0.1279
  • 0.1117
  • 0.0976
  • 0.09
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
15

3000/圆盘

总额0

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.2A
AP3415AI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011417
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4.2A
导通电阻(RDS(on))
37mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.3132
  • 0.2422
  • 0.2067
  • 0.18
  • 0.1587
  • 0.148
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:20V 电流:20A
AP20P02BF
品牌
APM(永源微电子)
封装
PQFN-6-EP(2x2)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3024941
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
18mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
2.4W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.7829
  • 0.6216
  • 0.541
  • 0.4805
  • 0.4321
  • 0.4079
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3

3000/圆盘

总额0

N沟道增强模式MOSFET 1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
AP50N06Y
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-251
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011332
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
25mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.4835
  • 1.1408
  • 0.9939
  • 0.8106
  • 0.729
  • 0.68
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2

70/

总额0

近期成交1单

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:70A
AP70P03D
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-252-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011445
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
70A
导通电阻(RDS(on))
7.5mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3
  • 1.7671
  • 1.3588
  • 1.1839
  • 0.9656
  • 0.8684
  • 0.81
现货最快4小时发货
广东仓
3

2500/圆盘

总额0

近期成交4单

P沟道增强型MOSFET P沟道 耐压:40V 电流:50A
AP50P04DF
品牌
APM(永源微电子)
封装
PDFN-8L(3x3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3024660
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
13mΩ@10V
耗散功率(Pd)
52.1W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 1.8107
  • 1.3924
  • 1.2131
  • 0.9894
  • 0.8898
  • 0.83
现货最快4小时发货
广东仓
2

5000/圆盘

总额0

N沟道增强型MOSFET N沟道 耐压:100V 电流:50A
AP50N10P
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-220-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011374
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
22mΩ@10V
耗散功率(Pd)
149W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.06
  • 1.46
  • 1.2
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3

50/

总额0

1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
AP120N04P
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-220-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011309
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
4mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.51
  • 2.45
  • 2.41
  • 2.37
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
9

50/

总额0

近期成交1单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:20V 电流:6.8A
AP2312AI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011242
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
6.8A
导通电阻(RDS(on))
21mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1697
  • 0.1658
  • 0.1631
  • 0.1605
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
5

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:30V 电流:9A
AP3404MI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011261
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on))
25mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.1784
  • 0.1743
  • 0.1715
  • 0.1688
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
5

3000/圆盘

总额0

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.9A
AP2305MI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011419
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4.9A
导通电阻(RDS(on))
38mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.2033
  • 0.1986
  • 0.1955
  • 0.1924
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
5

3000/圆盘

总额0

1个P沟道 耐压:20V 电流:7A
AP2307AI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011420
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
25mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.2244
  • 0.219
  • 0.2154
  • 0.2117
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
5

3000/圆盘

总额0

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:4.9A
AP2305AI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011418
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
4.9A
导通电阻(RDS(on))
88mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.2772
  • 0.2144
  • 0.1829
  • 0.1593
  • 0.1405
  • 0.131
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
5

3000/圆盘

总额0

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
AP3407AI
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011430
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
4.2A
导通电阻(RDS(on))
65mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.3217
  • 0.2487
  • 0.2122
  • 0.1849
  • 0.163
  • 0.152
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
5

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:20V 电流:90A
AP90N02NF
品牌
APM(永源微电子)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011254
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
90A
导通电阻(RDS(on))
2mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4
  • 1.1632
  • 1.1361
  • 1.1179
  • 1.0998
现货最快4小时发货
广东仓
4

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

650V, 7A, 650V N沟道 MOSFET
AP7N65F
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-220F-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011407
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
1.2Ω@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.78
  • 1.74
  • 1.71
  • 1.68
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3

50/

总额0

1个N沟道 耐压:65V 电流:125A
AP120N06P
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-220-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011344
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
65V
连续漏极电流(Id)
125A
导通电阻(RDS(on))
5.6mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 4.43
  • 3.5
  • 3.04
  • 2.58
  • 2.3
  • 2.16
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
5

50/

总额0

1个N沟道 耐压:30V 电流:85A
AP85N03NF
品牌
APM(永源微电子)
封装
DFN5x6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011284
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
85A
导通电阻(RDS(on))
4mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.0415
  • 1.0174
  • 1.0014
  • 0.9853
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3

3000/圆盘

总额0

AP70P01NF
AP70P01NF
品牌
APM(永源微电子)
封装
PDFN-8L(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011413
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.0776
  • 1.0527
  • 1.0362
  • 1.0196
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
15

3000/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:30V 电流:60A
AP60N03NF
品牌
APM(永源微电子)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011278
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
8.5mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2
  • 1.1142
  • 0.8319
  • 0.711
  • 0.56
现货最快4小时发货
广东仓
2

3000/圆盘

总额0

近期成交5单

双通道P沟道增强型MOSFET 2个P沟道 耐压:30V 电流:8.8A
AP4957A
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011489
数量
2个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
8.8A
导通电阻(RDS(on))
20mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.5075
  • 1.1592
  • 1.01
  • 0.8237
  • 0.7408
  • 0.691
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4

3000/圆盘

总额0

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:650V 电流:8A
APJ14N65D
品牌
APM(永源微电子)
封装
TO-252-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011409
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
650mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 4
  • 3.16
  • 2.74
  • 2.33
  • 2.08
  • 1.95
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:40V 电流:10A
AP10N04S
品牌
APM(永源微电子)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3011296
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
17mΩ@10V
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