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深圳率能半导体有限公司是一家于2017年创办的半导体高新技术企业,位于深圳市软件园的国家集成电路设计(深圳)产业化基地。 公司专注于高性能模拟集成电路研发与销售,以开发的产品安全、可靠作为公司的核心价值观。目前公司拥有十余项国家专利,开发的产品广泛应用于各种电机驱动领域。公司的骨干人员均在集成电路行业拥有十年以上的从业经验;公司采用典型的Fabless营业模式,通过自主研发、委外加工的方式进行产品生产,并为客户提供全方位的技术服务。 目前率能半导体产品被广泛应用于消费类电子、工业控制类等领域。目前开发的高压大电流步进电机驱动芯片处于行业领先的位置,打破国外竞争对手垄断的地位,并被行业内龙头客户采用,为客户供应链安全作出重要贡献。 科技发展的巨浪正滚滚而来,IC行业前途熠熠发光。率能将以高瞻远瞩的目光谋篇布局,以拼搏创新的气度勇往直前,以人才和技术为腾飞双翼,用“安全、可靠”的匠心精神,正全力成为国内驱动电机芯片的知名品牌!
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
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    • 描述: 驱动一路有刷直流电机。微小的待机电流,小于 1uA。低 RDS(ON)电阻。最大输出持续电流 5.0A。有紧急停止功能。有过热保护功能。有过流嵌流及短路保护功能。
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    • 描述: 双通道 H 桥电流控制电机驱动器:单个或两个有刷直流电机;一个步进电机。固定频率下电流控制可选择:2 bits 电流控制,提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET):24V,Ta = 25°C 时可实现 1.6A 最大驱动电流;24V,Ta= 25°C 时 RDS(on)为 720mΩ(典型值 HS + LS)。工作电压范围。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性:过流保护 (OCP);热关断 (TSD);欠压闭锁 (UVLO);故障显示 Pin(nFAULT)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: ETSSOP-28
    • 描述: 单通道 H 桥电流控制电机驱动器:单个直流有刷电机;一个步进电机单相;固定频率下电流控制可选择:2 bits 电流控制,提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET):24V,Ta = 25°C时可实现 7.0A 最大驱动电流(在保证散热良好条件下);24V,Ta= 25°C 时 RDS(HS+LS)为150mΩ(典型值 HS + LS)。最大供电耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封。保护特性:过流保护 (OCP);热关断 (TSD);欠压闭锁 (UVLO);故障显示 Pin(nFAULT)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: HTSSOP-16
    • 描述: 两个内部全桥驱动器。低静态电流:1.1mA。低睡眠电流: 1μA 。热关机和欠压锁定保护。过电流保护(OCP)。过温输出报警。低MOSFET导通电阻(HS:650mΩ;LS:350 mΩ)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: ESOP-8
    • 描述: 独立的H桥驱动,驱动一个直流电机、步进电机的一个绕组或者其它负载;3.6-A 峰值电流驱动能力;集成电流调节功能;低功耗休眠模式;VM欠压锁定;过流保护 (OCP)-过流重启: SS8870T;热关断 (TSD);故障自恢复;底部散热盘ETSSOP8封装。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: ETSSOP-28
    • 描述: 双通道 H 桥电流控制电机驱动器:单个或两个有刷直流电机、一个步进电机。固定频率下电流控制可选择:2 bits 电流控制,提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET):24V,Ta = 25°C 时可实现 4.0A 最大驱动电流;24V,Ta= 25°C 时 RDS(on)为 300mΩ(典型值 HS + LS)。最大工作耐压 50V。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性:过流保护 (OCP);热关断 (TSD);欠压闭锁(UVLO);故障显示 Pin(nFAULT)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: ETSSOP-28
    • 描述: 双通道 H 桥电流控制电机驱动器:单个或两个有刷直流电机;一个步进电机;完全独立的半桥控制。行业标准 IN/IN 数字控制接口。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET):24V,Ta = 25°C 时可实现 2.5A 最大驱动电流;24V,Ta= 25°C 时 RDS(on)为 350mΩ(典型值 HS + LS)。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性:过流保护 (OCP);热关断 (TSD);欠压闭锁 (UVLO);故障显示 Pin(nFAULT)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: ETSSOP-16
    • 描述: 双通道 H 桥电机驱动器:单个或两个有刷直流电机、一个步进电机;低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET) :24V,Ta = 25°C 时可实现 1.6A 最大驱动 电流、24V,Ta= 25°C 时 RDS(on)为 720mΩ(典型值 HS + LS);睡眠模式低电流;内置 3.3V 基准电压;带散热片的表面贴装封装;保护特性:过流保护 (OCP) 、热关断 (TSD) 、欠压闭锁 (UVLO)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: ETSSOP-20
    • 描述: 1.0 A 电流驱动能力;低 RDS(ON)电阻;PARA-IN 驱动模式;PWM 电流整流/限流;2 bits 电流控制,提供 4 个电流台阶;可任意设置快慢衰减比例的电流衰减模式;逻辑输入管脚内置下拉电阻;过温保护功能;过流嵌流及短路保护自恢复功能;低压保护功能。
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    • SS8841T
    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: ETSSOP-28
    • 描述: 双通道 H 桥电流控制电机驱动器:单个或两个有刷直流电机、一个步进电机。 固定频率下电流控制可选择:2 bits 电流控制,提供 4 个电流台阶。低导通阻抗的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET):24V,Ta = 25°C 时可实现 2.5A 最大驱动电流;24V,Ta= 25°C 时 RDS(on)为 350mΩ(典型值 HS + LS)。8.2~40V 工作电压范围。睡眠模式低电流。内置 3.3V 基准电压。带散热片的表面贴装封装。保护特性:过流保护(OCP);热关断 (TSD);欠压闭锁 (UVLO);故障显示 Pin(nFAULT)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: DFN2x2-8L
    • 描述: H 桥电机驱动器:驱动一个直流电机或其他负载;低金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)导通电阻:高侧 + 低侧 (HS+LS) 260mΩ。1.8A 最大驱动电流。独立的电机和逻辑电源引脚:电机 VM:0 至 12V;逻辑 VCC:1.8 至 12V。脉宽调制 (PWM) 或 PH/EN 接口:SS8837:脉宽调制 (PWM),IN1/IN2。具有 120nA 最大睡眠电流的低功耗睡眠模式:nSLEEP 引脚。小型封装尺寸。保护特性:VCC 欠压闭锁 (UVLO);过流保护(OCP);热关断 (TSD)。
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    • SS6226-SO-TP
    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: SOP-16
    • 描述: 低待机电流 : (typ. 0.2uA) ;内置过热保护功能;低导通电阻 : 0.6ohm (SOP16)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 最大额定持续电流 4A,峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作(最高 1MHz)。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: ETSSOP-16
    • 描述: 两个内部全桥驱动器。低静态电流:1.1 mA。低睡眠电流:1μA。过电流保护(OCP)。过温输出报警。低 MOSFET 导通电阻(HS:650mΩ;LS:350 mΩ)。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: DFN-8(3x3)
    • 描述: 最大额定持续电流 4A,峰值 8A。自举式高端驱动器。集成高/低侧 MOSFET。高频操作(最高 1MHz)。PWM 输入兼容 3.3V 和 5V。内部自举二极管。欠电压锁定。热保护关断。自适应防串通保护。
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    • 品牌: LEADPOWER(率能)
    • 封装: HTSSOP-20
    • 描述: 1.0 A 电流驱动能力;低 RDS(ON)电阻;PARA-IN 驱动模式;PWM 电流整流/限流;2 bits 电流控制,提供 4 个电流台阶;可任意设置快慢衰减比例的电流衰减模式;逻辑输入管脚内置下拉电阻;过温保护功能;过流嵌流及短路保护自恢复功能;低压保护功能。
    • 电源电压: 10V~32V
    • 输出电流: 1.4A
    • 接口: PWM
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