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ARK(方舟微)

ARK(方舟微)

进入品牌官网

ARK(成都方舟微电子有限公司)成立于13年前,专注于功率半导体器件的研发、设计、生产和销售,是国内唯一专注于耗尽型MOSFET设计的公司。主要产品线包括消费类和工业类两条,主要生产功率半导体器件和电源管理、电路保护解决方案。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 线性稳压器(LDO)
    • 固态继电器(MOS输出)
    • DC-DC电源芯片
    多选
  • 封装
    • SOT-23(TO-236)
    • SOT-89
    • SOT-223
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • TO-252
    • SOP-4
    • SOP-8
    • TO-220
    • DFN(2x2)
    • SOP-7
    • TO-263
    • TSSOP-8
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数71
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

耗尽型MOSFET 耐压:150V 电流:0.2A
DMZ1520E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031416
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
15Ω@0V
耗散功率(Pd)
500mW

描述耗尽型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2800
9.5
  • 2.531655
  • 2.229935
  • 2.100735
  • 1.939425
  • 1.80063
  • 1.757595
现货最快4小时发货
广东仓
2800
江苏仓
1125

3000/圆盘

总额0

近期成交30单

1个N沟道 耐压:350V 电流:0.2A
FTZ15N35G
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031430
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
350V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
15Ω@10V

描述增强型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2740
9.5
  • 6.9065
  • 6.251
  • 5.928
  • 5.605
  • 5.415
  • 5.1395
现货最快4小时发货
广东仓
2713
江苏仓
5787

3000/圆盘

总额0

近期成交25单

1个P沟道 耐压:350V 电流:0.2A
FTZ30P35G
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031432
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
350V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
30Ω@10V

描述增强型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5645
9.5
  • 7.638
  • 6.612
  • 6.099
  • 5.586
  • 5.1015
  • 4.94
现货最快4小时发货
广东仓
5645

3000/圆盘

总额0

近期成交31单

1个N沟道 耐压:100V 电流:0.3A
DMX1072
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031409
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
300mA
导通电阻(RDS(on))
3Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_100V_0.4A_1.0W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1018
9.5
  • 9.082
  • 8.1415
  • 7.676
  • 7.2105
  • 6.517
  • 6.365
现货最快4小时发货
广东仓
1014
江苏仓
917

1000/圆盘

总额0

近期成交28单

1个N沟道 耐压:400V 电流:0.2A
DMX4022E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031419
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
400V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
25Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_400V_0.2A_1.0W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存69
9.5
  • 9.671
  • 8.607
  • 8.0275
  • 7.3625
  • 7.068
  • 6.935
现货最快4小时发货
广东仓
49
江苏仓
1366

1000/圆盘

总额0

近期成交26单

耗尽模式功率MOSFET 1个N沟道 耐压:600V 电流:0.08A
DMS6014E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031424
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
80mA
导通电阻(RDS(on))
150Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_600V_0.1A_2.0W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 11.343
  • 10.241
  • 9.633
  • 8.9395
  • 8.5025
  • 8.36
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2301

4000/圆盘

总额0

近期成交8单

1个N沟道 耐压:100V 电流:0.3A
DMS1072
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031410
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
300mA
导通电阻(RDS(on))
3Ω@0V

描述耗尽型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 13.205
  • 12.122
  • 11.5235
  • 10.849
  • 10.1175
  • 9.975
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3628

4000/圆盘

总额0

近期成交8单

耗尽型MOSFET 1个N沟道 耐压:150V 电流:0.1A
DMZ1511E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031417
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
100mA
导通电阻(RDS(on))
25Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_150V_0.1A_0.5W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 4.1895
  • 3.572
  • 3.306
  • 2.9735
  • 2.8025
  • 2.7075
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2645

3000/圆盘

总额0

近期成交7单

耗尽型MOSFET 1个N沟道 耐压:600V 电流:0.02A
DMZ6005E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031422
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
20mA
导通电阻(RDS(on))
700Ω@0V

描述耗尽型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3219
9.5
  • 0.807785
  • 0.666425
  • 0.595745
  • 0.542735
  • 0.45828
  • 0.437
现货最快4小时发货
广东仓
3215
江苏仓
2250

3000/圆盘

总额0

近期成交59单

1个N沟道 耐压:600V 电流:0.02A
DMZ6005EH
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5765936
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
20mA
耗散功率(Pd)
500mW

描述耗尽型MOSFET_N Channel Depletion Mode_600V_0.02A_0.5W_SOT-23

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2653
9.5
  • 1.76339
  • 1.457015
  • 1.32563
  • 1.161755
  • 1.088795
  • 1.045
现货最快4小时发货
广东仓
2650

3000/圆盘

总额0

近期成交16单

N沟道 耐压:600V 电流:0.08A
DMD6014E
品牌
ARK(方舟微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19184453
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
80mA
导通电阻(RDS(on))
150Ω@0V,50mA
耗散功率(Pd)
36W

描述耗尽型MOSFET_N-Channel _600V_150Ω_0.08A_TO-252

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存804
9.5
  • 6.954
  • 6.3365
  • 6.004
  • 5.6145
  • 5.453
  • 5.3675
现货最快4小时发货
广东仓
804

2500/圆盘

总额0

近期成交6单

30V N沟道增强型MOSFET
AKF30N5P0SX
品牌
ARK(方舟微)
封装
PDFN3333-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031426
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
59A
导通电阻(RDS(on))
5mΩ@10V

描述增强型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4857
9.5
  • 0.941545
  • 0.809305
  • 0.743185
  • 0.693595
  • 0.637355
  • 0.6175
现货最快4小时发货
广东仓
4855

5000/圆盘

总额0

近期成交59单

N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:350V 电流:0.2A
FTX15N35G
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031431
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
350V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
15Ω@10V

描述增强型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 6.6595
  • 5.928
  • 5.5575
  • 5.187
  • 4.864
  • 4.75
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
656

1000/圆盘

总额0

近期成交5单

耗尽型MOSFET
DMD8515E
品牌
ARK(方舟微)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41432014
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
850V
连续漏极电流(Id)
1A
导通电阻(RDS(on))
30Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel _850V_30Ω_0.2A_TO-252

  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 21.166
  • 18.0025
  • 16.131
  • 14.231
  • 13.357
  • 12.958
现货最快4小时发货
广东仓
208

3600/圆盘

总额0

近期成交6单

1个N沟道 耐压:100V 电流:0.1A
DMZ1015E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031407
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
100mA
导通电阻(RDS(on))
30Ω@0V

描述耗尽型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4302
9.5
  • 0.735015
  • 0.607335
  • 0.543495
  • 0.495615
  • 0.44669
  • 0.4275
现货最快4小时发货
广东仓
4300
江苏仓
275

3000/圆盘

总额0

近期成交42单

高阈值电压耗尽模式功率MOSFET 1个N沟道 耐压:150V 电流:0.2A
DMZ1521E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031415
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
15Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_150V_0.2A_0.5W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 1.15995
  • 0.981255
  • 0.89186
  • 0.82479
  • 0.748885
  • 0.722
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4745

3000/圆盘

总额0

近期成交20单

耗尽型MOSFET 1个N沟道 耐压:600V 电流:0.04A
DMZ6012E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031423
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
40mA
导通电阻(RDS(on))
150Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_600V_0.04A_0.5W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 0.817285
  • 0.666805
  • 0.591565
  • 0.535135
  • 0.45011
  • 0.4275
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3795

3000/圆盘

总额0

近期成交23单

100V N沟道耗尽型功率MOSFET
DMZ42C10S
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C46532090
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
200mA
导通电阻(RDS(on))
6Ω@0V
耗散功率(Pd)
500mW

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_100V_6Ω_0.09A_SOT-23

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 0.851675
  • 0.678395
  • 0.591755
  • 0.526775
  • 0.474715
  • 0.44878
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2895

3000/圆盘

总额0

近期成交15单

OPY412S
OPY412S
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOP-4
类目
固态继电器(MOS输出)
编号
C46532094
触点形式
1B
正向电流(If)
50mA
正向压降(Vf)
1.3V
负载电压
60V

描述SSR RELAY SPST-NC 400MA 60V

  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 11.4665
  • 9.747
  • 8.6735
  • 7.5715
  • 7.0775
  • 6.859
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1998

2000/圆盘

总额0

近期成交5单

耗尽型MOSFET
DMX22C40A
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41432011
漏源电压(Vdss)
400V
连续漏极电流(Id)
120mA
导通电阻(RDS(on))
25Ω@0V
耗散功率(Pd)
1W

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_400V_25Ω_0.12A_SOT-89

  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 7.1155
  • 5.89
  • 5.206
  • 4.446
  • 4.104
  • 3.952
现货最快4小时发货
广东仓
983
江苏仓
21

1000/圆盘

总额0

近期成交2单

N沟道 耐压:200V
DMB16C20A
品牌
ARK(方舟微)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19184454
漏源电压(Vdss)
200V
导通电阻(RDS(on))
80mΩ@0V,8A
耗散功率(Pd)
230W
阈值电压(Vgs(th))
4.5V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel _200V_0.08Ω_16A_TO-263

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6
9.5
  • 66.8895
  • 59.9925
  • 55.784
  • 52.25
现货最快4小时发货
广东仓
6
江苏仓
49

800/圆盘

总额0

近期成交1单

DMZ12C15A
DMZ12C15A
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19184463
漏源电压(Vdss)
150V
导通电阻(RDS(on))
25Ω@0V,50mA
耗散功率(Pd)
500mW
阈值电压(Vgs(th))
5V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel _150V_25Ω_0.1A_SOT-23

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2990
9.5
  • 1.114635
  • 0.875235
  • 0.772635
  • 0.64467
  • 0.58767
  • 0.553375
现货最快4小时发货
广东仓
2990

3000/圆盘

总额0

近期成交3单

OPY214S
OPY214S
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOP-4
类目
固态继电器(MOS输出)
编号
C46532095
触点形式
1A
正向电流(If)
50mA
正向压降(Vf)
1.35V
负载电压
400V

描述SSR RELAY SPST-NO 130MA 400V

  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 5.396
  • 4.37
  • 3.857
  • 3.344
  • 3.04
  • 2.888
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2024

2000/圆盘

总额0

近期成交68单

1个N沟道 耐压:400V 电流:0.24A
DMS4022E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031420
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
400V
连续漏极电流(Id)
240mA
导通电阻(RDS(on))
25Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_400V_0.24A_1.5W

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 18.24
  • 15.2
  • 13.3
  • 11.3525
  • 10.4785
  • 10.089
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
332

4000/圆盘

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:550V 电流:0.09A
DMX5530E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5354324
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
550V
连续漏极电流(Id)
90mA
导通电阻(RDS(on))
70Ω@0V,50mA

描述耗尽型MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 4.1135
  • 3.325
  • 2.9355
  • 2.546
  • 2.3085
  • 2.185
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
470

2000/圆盘

总额0

近期成交12单

耗尽型MOSFET 1个N沟道 耐压:130V 电流:0.1A
DMZ1315E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031413
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
130V
连续漏极电流(Id)
100mA
导通电阻(RDS(on))
30Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_130V_0.1A_0.5W_SOT-23

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SMT补贴嘉立创库存1984
9.5
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广东仓
1980

3000/圆盘

总额0

近期成交9单

1个N沟道 耐压:100V 电流:0.1A
DMX1015E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031408
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
100mA
导通电阻(RDS(on))
30Ω@0V

描述耗尽型MOSFET_N-Channel_100V_0.2A_1.0W

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SMT补贴嘉立创库存1958
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广东仓
1955

1000/圆盘

总额0

近期成交12单

1个N沟道 耐压:130V 电流:0.1A
DMZ1315EL
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3031411
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
130V
连续漏极电流(Id)
100mA
导通电阻(RDS(on))
30Ω@0V

描述耗尽型MOSFET

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SMT补贴嘉立创库存4
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广东仓
0
江苏仓
1585

3000/圆盘

总额0

近期成交4单

耗尽型MOSFET
DMX0652E
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOT-89
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41432013
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
1A
导通电阻(RDS(on))
500mΩ@0V,200mA

描述耗尽型MOSFET_N-Channel _60V_1Ω_0.7A_SOT-89

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0
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222

3000/圆盘

总额0

近期成交11单

1个P沟道 耐压:150V 电流:2.3A
FTE02P15G
品牌
ARK(方舟微)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5142124
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
2.3A
导通电阻(RDS(on))
200mΩ@10V,1.3A

描述增强型MOSFET

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存183
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183

4000/圆盘

总额0

近期成交4单