PCB/SMT工业品
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华轩阳电子专注为数码电子、消费电器、5G通信、新能源汽车、医疗设备等前沿领域提供高性能功率半导体解决方案。以助力中国芯片产业崛起为使命，致力于为客户提供可靠、高性价比的产品，实现关键器件的本土化替代。 产品线涵盖MOSFET、IGBT、电源管理IC（LDO等）、分立器件（二极管、三极管）及ESD保护元件等全系列功率器件。尤其在碳化硅（SiC）MOSFET与碳化硅二极管领域，我们提供具备卓越性能和可靠性的尖端产品，满足严苛应用需求。 依托十年以上经验的核心研发团队，我们持续创新，严格遵循ISO质量管理体系，确保产品品质卓越。我们深刻理解客户需求的独特性，提供定制化解决方案与值得信赖的全周期服务，致力于成为您长期共赢的战略伙伴。
描述这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装，专为20V电压系统设计，额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能，广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中，提供高效、精准的功率控制解决方案。
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描述这款N型场效应管，适用于高效能应用。具备2.8A的电流承载能力，最高20V的工作电压，以及43mΩ的典型内阻。其VGS为12V，确保了稳定的性能表现。适合用于对电子系统稳定性和效率有较高要求的场景。(SI2302CDS-T1-GE3)
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描述这款SOT-23封装的LDO线性稳压器，具有稳定的3.3V输出电压及0.3A电流承载能力，在8V最大输入电压下表现优异。设计紧凑且高效，专为低功耗电子设备打造，确保提供精准、可靠的电源转换和稳压功能，是各类嵌入式系统和小型化应用的理想解决方案。
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描述此款肖特基二极管采用SOD-123封装，具有40V的反向耐压和0.35A正向电流能力，其卓越的正向导通电压VF低至0.6V，确保了高效率与低功耗表现。适用于开关电源、高频转换器及电池保护等精密电路中。
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描述此款SOD-323封装肖特基二极管，具备40V反向耐压和0.35A正向电流，尤其突出的是其超低的0.32V正向导通电压VF，确保了卓越的电源转换效率和高速开关性能。适用于电池保护、高频整流以及低压降应用场合。
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描述本产品是一款用于静电和浪涌保护的元器件，具有11A的电流承载能力，5V的工作电压，20pF的典型结电容。采用单通道设计，Bi双向类型，确保在各种应用场景中提供稳定的保护性能，适用于多种电子设备。(PESD5V0S1BA,115)
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描述这款SMB封装二极管具备40V的高反向耐压和强大的5A正向电流承载能力，其超低正向导通电压VF仅为0.55V，确保高效能与低损耗。适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。
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描述这款三极管为PNP型，适用于精确控制小电流。其电流为0.5A，电压可达25V，放大倍数介于200-350之间，最高频率响应为150MHz。适用于通信、仪表及消费电子等领域，确保信号处理的稳定性和精确性。(MPS8550S-D-RTK/P)
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描述本款LL-34封装稳压二极管，专为5.1V电压提供精密稳压功能，其0.1uA超低反向电流（IR）确保设备运行节能且稳定。5mA瞬态IZT电流赋予器件卓越的响应速度和负载适应性。最大功率耗散0.5W，适用于各类高精度稳压及电路保护场合，以出众性能满足您的设计需求。
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描述该DFN1006-2L封装的双向ESD静电防护二极管适用于5V系统，提供单通道高效保护。具有5.5A峰值脉冲电流IPP能力，能有效抑制双向瞬态ESD冲击，确保电路稳定运行。其结电容为10pF，适合高速数据接口应用，兼具良好的信号完整性和卓越的静电防护性能，是现代电子设备理想的抗静电方案。
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描述这款SOD-523封装肖特基二极管，设计用于高效能低损耗应用。它具备40V反向耐压及0.35A正向电流承载能力，其超低的0.6V正向导通电压VF确保了出色的电源转换效率和快速响应速度，适用于开关电源、高频信号整流及电池保护电路中。
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描述该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装，额定电压30V，可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
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描述SMA封装的高性能双向TVS瞬态抑制二极管，专为高效防护设计。具有5.8V的额定反向工作电压VRWM，可承受高达39A的峰值脉冲电流IPP，快速响应保护您的电路免受瞬态浪涌、静电放电和过压冲击损害，是敏感电子设备的理想防护选择。
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描述AT24C02是一款2048位的2线串行电可擦除可编程只读存储器（EEPROM）。它支持1.8V到5.5V的工作电压范围，并且在工业温度范围内（-40°C至85°C）工作。该器件具有16字节的页写模式，标准2线双向串行接口，以及5ms的最大自定时编程周期。它还具有高达1,000,000次的写周期寿命和100年的数据保留时间。
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描述这款NPN型三极管具有0.5A的电流和25V的电压处理能力，放大倍数介于200-350之间，适用于高速操作，频率可达150MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。(MPS8050S-D-RTK/P)
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描述这款NPN型三极管具有0.2A的电流和40V的电压处理能力，放大倍数介于100至300之间，适用于高速操作，频率可达300MHz。它为电子设备提供了可靠的性能，适合多种应用需求，确保电路的稳定性和高效性。(MMBT3904LT1G)
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描述这款SOD-123封装肖特基二极管，设计用于高效能、低损耗应用。具备40V反向耐压及0.35A正向电流承载力，其优越的VF值仅为0.6V，确保快速切换和高效率整流表现。适用于电源转换、续流保护及其他小型化电路需求，紧凑型封装方便空间有限的设计方案。
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描述此款LL-34封装稳压二极管，具备5.6V精准电压稳定性能（VZ），搭载超低0.1uA反向电流（IR），确保电路在微功耗状态下高效稳定运行。5mA瞬态IZT电流能力，使器件在负载变化时迅速响应并保持输出稳定。最大功率耗散0.5W，适用于各类精密稳压及电路保护应用场景，以出色的效能满足您的设计需求。
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描述该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，额定电压20V，可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性，应用于充电器、电源转换等场合，提供高效能、稳定可靠的功率控制方案，是各类电子设备的理想选择。
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描述这款开关二极管以其0.2A的电流和100V的电压额定值，确保了在各种应用场景中的稳定性能。其1V的低压降和5uA的反向电流进一步提升了效率。此外，0.5A的浪涌电流承受能力使其能够轻松应对突发的过载情况。(LL4148-GS08)
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描述该SOT-23封装的NPN型三极管，具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流，放大倍数在120至400之间，适合于低功耗、高增益应用场合，适用于各类精密电子设备及电路设计，是您微型化项目中的理想半导体元件。
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描述这款LL-34封装稳压二极管，专为3.6V电压精确稳压设计，具备2uA低反向电流（IR），有效保证电路的高效节能与稳定运行。5mA瞬态IZT电流确保器件在动态负载下快速响应，保持稳定输出。最大功率耗散0.5W，适用于各类精密稳压及电路保护应用场景，以其卓越性能满足您的电路设计需求。
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描述这款SOD-323封装肖特基二极管，以其小巧体积实现卓越性能。具备40V的反向耐压和0.35A正向电流承载力，具有低至0.6V的正向导通电压VF，确保高效能与快速切换响应。适用于小型化电子设备中的低压整流、保护电路及高频信号处理应用。
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描述这款LL-34封装稳压二极管，专为12V电压精密稳压设计（VZ），其优异的低至0.1uA反向电流（IR）性能保证了设备高效稳定运行。5mA瞬态IZT电流赋予器件卓越的响应速度和稳定性。最大功率耗散0.5W，适合于各类高精度稳压及电路保护应用场景，以强大的功能性和稳定性满足您的多元化需求。
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描述本款LL-34封装稳压二极管，专为15V电压精密稳压打造，具有超低反向电流0.1uA（IR），确保在高电压下也能保持出色的能耗效率与稳定性。5mA瞬态IZT电流赋予器件快速响应能力，适应各种电路变化条件。最大功率耗散0.5W，适用于各类高精度稳压及电路保护应用场合，以卓越性能和稳定性满足严苛需求。
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描述此款LL-34封装稳压二极管，专为4.7V电压提供精密稳压，具有0.5uA的低反向电流（IR），确保设备在微功耗状态下持久稳定运行。5mA瞬态IZT电流赋予其出色的响应速度和负载适应性。最大功率耗散0.5W，适用于各类精密稳压及电路保护应用场景，以其高效能与稳定性满足您的设计需求。
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描述此款LL-34封装稳压二极管，专注于提供3.3V精准电压稳定性能（VZ），具备2uA低反向电流（IR），确保设备在微功耗下持久稳定运行。5mA瞬态IZT电流能力，使得器件在电路状态变化时快速响应，保持高效能表现。最大功率耗散为0.5W，适用于各类精密稳压和电路保护场景，以强大性能满足您的设计与应用需求。
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描述这款N型场效应管，适用于精确控制小电流的电子设备。其参数为：最大电流0.3A，耐压60V，内阻典型值1000mR，栅源极电压VGS为20V。适用于电源管理、信号放大等应用，确保电路稳定高效。(2N7002,215)
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描述此款SOD-123封装肖特基二极管，额定反向电压40V，连续正向电流高达1A。该器件具备低正向压降及高速开关特性，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器和电池保护电路中，有效提升系统效率并确保可靠稳压。
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描述这款SOD-523封装的ESD静电防护二极管采用双向设计，专为1通道保护而生。具备5V额定反向工作电压VRWM及卓越的瞬态承受能力，峰值脉冲电流可达9A。超低结电容仅为15pF，确保高速信号传输不受干扰，是高集成电子设备的理想ESD防护解决方案。
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