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首页 > 品牌列表 > HXY MOSFET(华轩阳电子) >
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华轩阳电子,专注为数码产品、消费类电器、5G通信、汽车新能源、医疗设备等领域客户提供高性能功率器件解决方案。我们致力于为中国芯片崛起而努力,提供可靠、经济实惠的产品,助力客户实现本土器件替代进口的目标。 产品范围涵盖:MOSFET、ESD、LDO、二极管、三极管、IGBT以及电源芯片等多种功率器件。特别推荐我们的碳化硅MOSFET和碳化硅二极管,具备卓越的性能和可靠性,适用于多个领域的高要求应用。 我们拥有超过10年研发经验的技术团队,不断创新提升产品质量,确保满足客户的需求。我们采用ISO质量管理体系,以确保产品达到最高标准。我们深知客户的独特需求,致力于建立长期合作关系。提供忠诚可靠的服务,为客户提供定制化解决方案,以满足其特定应用的需求。
综合排序 价格 库存 销量
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4466
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • SI2301-ZE
  • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 2.3A
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 140mΩ@4.5V,2A
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
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    • SI2302-HXY
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流为2.8A。具有低导通电阻和快速开关功能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,实现高效、稳定的功率转换与控制,是现代电子产品理想的节能组件。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.8A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 55mΩ@4.5V,2.8A
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流为2.8A。具有低导通电阻和快速开关功能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,实现高效、稳定的功率转换与控制,是现代电子产品理想的节能组件。
        • 距结束剩
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    • 192000+: 

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    • XC6206P332MR
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款SOT-23封装的LDO线性稳压器,具有稳定的3.3V输出电压及0.3A电流承载能力,在8V最大输入电压下表现优异。设计紧凑且高效,专为低功耗电子设备打造,确保提供精准、可靠的电源转换和稳压功能,是各类嵌入式系统和小型化应用的理想解决方案。
    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 8V
    • 输出电压: 3.3V
    • 输出电流: 300mA
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    • 广东仓: 113K+
      江苏仓: 87K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
      已加购
    • 封装:  SOT-23
      描述: 这款SOT-23封装的LDO线性稳压器,具有稳定的3.3V输出电压及0.3A电流承载能力,在8V最大输入电压下表现优异。设计紧凑且高效,专为低功耗电子设备打造,确保提供精准、可靠的电源转换和稳压功能,是各类嵌入式系统和小型化应用的理想解决方案。
        • 距结束剩
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    • 180000+: 

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    • 1N5819W
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 此款肖特基二极管采用SOD-123封装,具有40V的反向耐压和0.35A正向电流能力,其卓越的正向导通电压VF低至0.6V,确保了高效率与低功耗表现。适用于开关电源、高频转换器及电池保护等精密电路中。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 350mA
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    • 广东仓: 199K+
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    • LL4148
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: LL-34
    • 描述: 此款LL-34封装开关二极管,具备100V反向耐压及0.2A正向电流容量,其1V的正向导通电压VF确保了高效能运行。适用于电源转换、信号切换及电路保护等各类电子设备中,提供稳定可靠的开关功能。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1V@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 整流电流: 200mA
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    • 订单数量按照以下:
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      • ¥0.022041
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      • ¥0.018321
      • ¥0.017391
      • 原价
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      • ¥0.0215
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    • ZMM5V1
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: LL-34
    • 描述: 本款LL-34封装稳压二极管,专为5.1V电压提供精密稳压功能,其0.1uA超低反向电流(IR)确保设备运行节能且稳定。5mA瞬态IZT电流赋予器件卓越的响应速度和负载适应性。最大功率耗散0.5W,适用于各类高精度稳压及电路保护场合,以出众性能满足您的设计需求。
    • 二极管配置: 独立式
    • 稳压值(标称值): 5.1V
    • 反向电流(Ir): 100nA@1V
    • 稳压值(范围): 4.8V~5.4V
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    • 广东仓: 39K+
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    • S8050
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此款SOT-23封装的NPN型三极管,具有25V的高耐压值VCEO及0.5A的集电极电流IC,其放大倍数稳定在200至300之间,适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 广东仓: 176K+
      江苏仓: 170K+
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    • S8550
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款SOT-23封装PNP三极管,具备25V的高耐压VCEO和0.5A集电极电流承载力,放大倍数稳定在200至300之间,专为精密电子设备设计,提供高效、稳定的信号放大及开关控制功能。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 51000+: 

      ¥0.0186
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    • 广东仓: 112K+
      江苏仓: 83K
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • AO3401-ED
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性,应用于充电器、电源转换等场合,提供高效能、稳定可靠的功率控制方案,是各类电子设备的理想选择。
    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 3A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 172mΩ@2.5V,1.6A
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  • SMT扩展库
    • 50+: 

      ¥0.1076
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      ¥0.087
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      ¥0.0752
    • 6000+: 

      ¥0.0683
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      ¥0.0623
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      ¥0.0591
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    • 广东仓: 105K+
      江苏仓: 161K+
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    • 近期成交100单+
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    • 封装:  SOT-23
      描述: 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性,应用于充电器、电源转换等场合,提供高效能、稳定可靠的功率控制方案,是各类电子设备的理想选择。
        • 距结束剩
          000小时 0000
        • 备注: 
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    • 72000+: 

      ¥0.0486
    支付后6-8工作日
      • 剩余库存: 
        7200000
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    • 1N5819WS
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-323
    • 描述: 此款SOD-323封装肖特基二极管,具备40V反向耐压和0.35A正向电流,尤其突出的是其超低的0.32V正向导通电压VF,确保了卓越的电源转换效率和高速开关性能。适用于电池保护、高频整流以及低压降应用场合。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 整流电流: 350mA
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  • SMT扩展库
    • 50+: 

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    • 500+: 

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    • 24000+: 

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    • 51000+: 

      ¥0.0239
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    • 广东仓: 77K+
      江苏仓: 112K+
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • MMBT3904
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 本款SOT-23封装NPN型三极管,具有40V高耐压VCEO及0.2A集电极电流,放大倍数在100至300之间可调,专为中等电压、微至小电流应用环境设计,是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
  • 领券
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  • SMT扩展库
    • 100+: 

      ¥0.0385
    • 1000+: 

      ¥0.032
    • 3000+: 

      ¥0.0235
    • 9000+: 

      ¥0.0213
    • 51000+: 

      ¥0.0195
    • 99000+: 

      ¥0.0184
    现货最快4H发
    • 广东仓: 79K+
      江苏仓: 87K+
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
      已优惠0元!
    • 近期成交100单+
      已加购
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    • SD103AW
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 这款SOD-123封装肖特基二极管,设计用于高效能、低损耗应用。具备40V反向耐压及0.35A正向电流承载力,其优越的VF值仅为0.6V,确保快速切换和高效率整流表现。适用于电源转换、续流保护及其他小型化电路需求,紧凑型封装方便空间有限的设计方案。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
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    • S9013
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该SOT-23封装的NPN型三极管,具备25V的VCEO耐压和0.5A的集电极电流,放大倍数在120至400之间,适合于低功耗、高增益应用场合,适用于各类精密电子设备及电路设计,是您微型化项目中的理想半导体元件。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • AO3400-HXY
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装,额定电压30V,可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.8A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 30mΩ@10V,5.8A
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