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华轩阳电子,专注为数码产品、消费类电器、5G通信、汽车新能源、医疗设备等领域客户提供高性能功率器件解决方案。我们致力于为中国芯片崛起而努力,提供可靠、经济实惠的产品,助力客户实现本土器件替代进口的目标。 产品范围涵盖:MOSFET、ESD、LDO、二极管、三极管、IGBT以及电源芯片等多种功率器件。特别推荐我们的碳化硅MOSFET和碳化硅二极管,具备卓越的性能和可靠性,适用于多个领域的高要求应用。 我们拥有超过10年研发经验的技术团队,不断创新提升产品质量,确保满足客户的需求。我们采用ISO质量管理体系,以确保产品达到最高标准。我们深知客户的独特需求,致力于建立长期合作关系。提供忠诚可靠的服务,为客户提供定制化解决方案,以满足其特定应用的需求。
综合排序 价格 库存 销量
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清空
2030
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • SI2301-ZE
  • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
  • 封装: SOT-23
  • 描述: 这款消费级P沟道MOSFET采用紧凑型SOT-23封装,专为20V电压系统设计,额定电流2.3A。具备低导通电阻与快速开关性能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,提供高效、精准的功率控制解决方案。
  • 类型: 1个P沟道
  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 2.3A
  • 功率(Pd): 700mW
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    • 广东仓: 478K+
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    • SI2302-HXY
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,适用于20V电压系统,额定电流为2.8A。具有低导通电阻和快速开关功能,广泛应用于充电器、电源管理及各类电子设备中,实现高效、稳定的功率转换与控制,是现代电子产品理想的节能组件。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 2.8A
    • 功率(Pd): 900mW
  • 领券
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    • 广东仓: 151K+
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    • AO3400-HXY
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用紧凑SOT-23封装,额定电压30V,可承载5.8A大电流。具备卓越的低导通电阻和快速开关性能,广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中,提供高效稳定的功率转换与控制功能。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 5.8A
    • 功率(Pd): 1.4W
  • 领券
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    • 广东仓: 157K+
      江苏仓: 146K+
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    • 1N4148WS
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-323
    • 描述: 这款SOD-323封装二极管,适用于精密电子电路设计。具备100V的高反向耐压,提供0.3A的正向电流能力,且具有较低的正向导通电压VF为1.25V,确保高效能与低功耗表现。紧凑型SOD-323封装适应现代小型化需求,广泛应用于信号保护、稳压及高频整流场景。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 平均整流电流(Io): 150mA
  • 领券
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  • 9.4 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯9.4
    • 第三阶梯9.4
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    • 第五阶梯9.4
    • 第六阶梯9.4
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      • ¥0.028675
      • ¥0.023466
      • ¥0.021103
      • ¥0.020157
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      • ¥0.020774
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    • 24000+: 

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    • 51000+: 

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    • 广东仓: 387K+
      江苏仓: 28K+
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    • 1N5819W
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 此款肖特基二极管采用SOD-123封装,具有40V的反向耐压和0.35A正向电流能力,其卓越的正向导通电压VF低至0.6V,确保了高效率与低功耗表现。适用于开关电源、高频转换器及电池保护等精密电路中。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 平均整流电流(Io): 350mA
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    • 广东仓: 714K
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    • LL4148
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: LL-34
    • 描述: 此款LL-34封装开关二极管,具备100V反向耐压及0.2A正向电流容量,其1V的正向导通电压VF确保了高效能运行。适用于电源转换、信号切换及电路保护等各类电子设备中,提供稳定可靠的开关功能。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1V@10mA
    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 平均整流电流(Io): 200mA
  • 领券
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  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
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    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
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    • 9.5 折
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      • 5000+: 
      • 25000+: 
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      • ¥0.036102
      • ¥0.029333
      • ¥0.022563
      • ¥0.020307
      • ¥0.018352
      • ¥0.0173
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      • ¥0.038002
      • ¥0.030877
      • ¥0.023751
      • ¥0.021376
      • ¥0.019318
      • ¥0.01821
    • 50+: 

      ¥0.036102
    • 500+: 

      ¥0.029333
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      ¥0.022563
    • 5000+: 

      ¥0.020307
    • 25000+: 

      ¥0.018352
    • 50000+: 

      ¥0.0173
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    • 广东仓: 227K+
      江苏仓: 305K+
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    • ZMM5V1
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: LL-34
    • 描述: 本款LL-34封装稳压二极管,专为5.1V电压提供精密稳压功能,其0.1uA超低反向电流(IR)确保设备运行节能且稳定。5mA瞬态IZT电流赋予器件卓越的响应速度和负载适应性。最大功率耗散0.5W,适用于各类高精度稳压及电路保护场合,以出众性能满足您的设计需求。
    • 二极管配置: 独立式
    • 稳压值(标称值): 5.1V
    • 反向电流(Ir): 100nA@1V
    • 稳压值(范围): 4.8V~5.4V
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      ¥0.03717
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    • 25000+: 

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    • 50000+: 

      ¥0.019187
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    • 广东仓: 213K+
      江苏仓: 430K+
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    • PC817C
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SMD-4
    • 描述: 此款SMD-4封装光电耦合器,采用先进的光电晶体管输出技术,实现高效的电气隔离与信号传输。适用于DC输入环境,其正向电压低至1.2V,能有效降低功耗;同时提供50mA的稳定输出电流能力,确保高效能运行。器件具备6V高反向电压保护,确保在多种工作条件下保持卓越的性能和稳定性,是电源转换及信号隔离的理想选择。
    • 输入电压类型: DC
    • 输出类型: 光电三极管
    • 正向电压: 1.2V
    • 输出电流: 50mA
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    • 10+: 

      ¥0.226303
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    • 10000+: 

      ¥0.117034
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    • 广东仓: 47K+
      江苏仓: 6190
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    • 2000个/圆盘
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    • MMBT3904
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 本款SOT-23封装NPN型三极管,具有40V高耐压VCEO及0.2A集电极电流,放大倍数在100至300之间可调,专为中等电压、微至小电流应用环境设计,是您进行精密放大与开关电路的理想半导体器件。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 200mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 40V
    • 功率(Pd): 200mW
  • 领券
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    • 50+: 

      ¥0.034417
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      ¥0.029314
    • 3000+: 

      ¥0.022115
    • 6000+: 

      ¥0.020414
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      ¥0.01894
    • 51000+: 

      ¥0.018146
    现货最快4H发
    • 广东仓: 302K+
      江苏仓: 421K+
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    • 3000个/圆盘
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    • 1N4148W
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 这款SOD-123封装开关二极管,拥有高达100V的反向耐压和0.3A正向电流能力,其正向导通电压VF为1.25V。专为要求高效率与小型化的应用设计,适用于电源保护、信号开关及电子设备控制电路中,提供卓越的性能与可靠性,是现代紧凑型电子系统不可或缺的组件。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 平均整流电流(Io): 150mA
  • 领券
    200-40
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  • 9.3 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.3
    • 第二阶梯9.3
    • 第三阶梯9.3
    • 第四阶梯9.3
    • 第五阶梯9.3
    • 第六阶梯9.3
  • SMT扩展库
    • 9.3 折
      • 50+: 
      • 500+: 
      • 3000+: 
      • 6000+: 
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      • ¥0.039522
      • ¥0.032112
      • ¥0.024702
      • ¥0.022232
      • ¥0.020091
      • ¥0.018939
      • 原价
      • ¥0.042497
      • ¥0.034529
      • ¥0.026561
      • ¥0.023905
      • ¥0.021603
      • ¥0.020364
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      ¥0.039522
    • 500+: 

      ¥0.032112
    • 3000+: 

      ¥0.024702
    • 6000+: 

      ¥0.022232
    • 24000+: 

      ¥0.020091
    • 51000+: 

      ¥0.018939
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    • 广东仓: 202K+
      江苏仓: 324K
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    • 3000个/圆盘
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    • XC6206P332MR
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款SOT-23封装的LDO线性稳压器,具有稳定的3.3V输出电压及0.3A电流承载能力,在8V最大输入电压下表现优异。设计紧凑且高效,专为低功耗电子设备打造,确保提供精准、可靠的电源转换和稳压功能,是各类嵌入式系统和小型化应用的理想解决方案。
    • 输出类型: 固定
    • 最大输入电压: 8V
    • 输出电压: 3.3V
    • 最大输出电流: 300mA
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    • 24000+: 

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    • 51000+: 

      ¥0.044796
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    • 广东仓: 2400
      江苏仓: 57K+
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • S8050
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 此款SOT-23封装的NPN型三极管,具有25V的高耐压值VCEO及0.5A的集电极电流IC,其放大倍数稳定在200至300之间,适用于低功耗、高增益电路设计,是各类精密电子设备和小型化项目的优质选择。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
  • 领券
    200-40
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  • SMT扩展库
    • 50+: 

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    • 500+: 

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    • 广东仓: 255K+
      江苏仓: 20K+
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交100单+
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    • S8550
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款SOT-23封装PNP三极管,具备25V的高耐压VCEO和0.5A集电极电流承载力,放大倍数稳定在200至300之间,专为精密电子设备设计,提供高效、稳定的信号放大及开关控制功能。
    • 晶体管类型: PNP
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • ZMM5V6
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: LL-34
    • 描述: 此款LL-34封装稳压二极管,具备5.6V精准电压稳定性能(VZ),搭载超低0.1uA反向电流(IR),确保电路在微功耗状态下高效稳定运行。5mA瞬态IZT电流能力,使器件在负载变化时迅速响应并保持输出稳定。最大功率耗散0.5W,适用于各类精密稳压及电路保护应用场景,以出色的效能满足您的设计需求。
    • 二极管配置: 独立式
    • 稳压值(标称值): 5.6V
    • 反向电流(Ir): 100nA@1V
    • 稳压值(范围): 5.2V~6V
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    • PSM712
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该ESD静电防护二极管采用紧凑型SOT-23封装,内含两个高性能双向通道。额定VRWM为7V,每通道可承受高达10A的瞬态冲击电流IPP,同时保持超低结电容仅为15pF。专为保护高速数据接口设计,有效防止ESD静电放电对电路造成损害,确保信号稳定传输,是高集成度系统中理想的静电防护解决方案。
    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 12V;7V
    • 最大钳位电压: 12V;20V
    • 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us: 10A
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    • MC34063
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 这款SOP-8封装的升降压型DC-DC电源芯片适用于宽范围输入电压3V至40V,灵活输出1.25V至40V连续可调电压,并提供高达1.3A的最大稳定输出电流。该器件专为高效电源转换而设计,能有效应对各类复杂供电环境,确保电子设备获得稳定、可靠的电力支持,是电池供电系统、物联网应用的理想选择。
    • 功能类型: 升降压型
    • 输出类型: 可调
    • 输入电压: 3V~40V
    • 输出电压: 1.25V~40V
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    • LM258
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 这款双路运算放大器采用标准SOP-8封装,具有卓越的性能指标。其输入失调电压仅为5mV,确保了高精度信号处理能力。每路放大器的输入偏置电流低至250nA,有效降低了系统噪声并提升了整体稳定性。压摆率0.3V/us设计,使得器件具备适中的响应速度,特别适合于需要兼顾精准度与稳定性的模拟信号放大应用场景,是各类仪器仪表和消费电子设备的理想选择。
    • 放大器数: 双路
    • 输入偏置电流(Ib): 250nA
    • 输入失调电压(Vos): 5mV
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    • 1N4148WT
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-523
    • 描述: 这款SOD-523封装开关二极管,具备100V高反向耐压和0.15A正向电流容量,具有1.25V的低正向导通电压,确保了高效能及快速切换性能。尤其适用于空间有限的电子设备、电源转换器以及低功耗电路中,其微型封装设计利于实现紧凑型应用布局。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 1.25V@150mA
    • 直流反向耐压(Vr): 75V
    • 平均整流电流(Io): 150mA
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    • 第四阶梯9
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    • SD103AW
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-123
    • 描述: 这款SOD-123封装肖特基二极管,设计用于高效能、低损耗应用。具备40V反向耐压及0.35A正向电流承载力,其优越的VF值仅为0.6V,确保快速切换和高效率整流表现。适用于电源转换、续流保护及其他小型化电路需求,紧凑型封装方便空间有限的设计方案。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 平均整流电流(Io): 350mA
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    • 2N7002-HXY
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款消费级N沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压60V,最大连续电流为0.3A。具备低导通电阻和快速开关特性,适用于电池保护、负载切换等应用场景,是小型电子设备中实现精细功率控制的理想半导体元件。
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 300mA
    • 功率(Pd): 350mW
  • 领券
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  • 9.1 折
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      • ¥0.048268
      • ¥0.042261
      • ¥0.033104
      • ¥0.02998
      • ¥0.028298
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      • ¥0.032945
      • ¥0.031097
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      ¥0.059082
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      ¥0.048268
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      ¥0.033104
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      ¥0.028298
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    • BC817-25
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 本款SOT-23封装NPN型三极管,具有45V高耐压VCEO及0.5A集电极电流能力,放大倍数范围160至400,适用于中等电压、中等电流环境下的高效放大与开关应用,是电子设备设计和制造的理想半导体器件。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 500mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 300mW
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    • 1N5819WS
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-323
    • 描述: 此款SOD-323封装肖特基二极管,具备40V反向耐压和0.35A正向电流,尤其突出的是其超低的0.32V正向导通电压VF,确保了卓越的电源转换效率和高速开关性能。适用于电池保护、高频整流以及低压降应用场合。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 平均整流电流(Io): 350mA
  • 领券
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      ¥0.049031
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    • 广东仓: 57K+
      江苏仓: 15K+
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    • 1N5819WT
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOD-523
    • 描述: 这款SOD-523封装肖特基二极管,设计用于高效能低损耗应用。它具备40V反向耐压及0.35A正向电流承载能力,其超低的0.6V正向导通电压VF确保了出色的电源转换效率和快速响应速度,适用于开关电源、高频信号整流及电池保护电路中。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 600mV@200mA
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 平均整流电流(Io): 350mA
  • 领券
    200-40
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  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
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    • 9.5 折
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      • 600+: 
      • 3000+: 
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      • 21000+: 
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      • ¥0.062016
      • ¥0.050388
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      • ¥0.031525
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      • 原价
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      ¥0.043928
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      ¥0.034884
    • 9000+: 

      ¥0.031525
    • 21000+: 

      ¥0.029716
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    • 广东仓: 63K+
      江苏仓: 33K+
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • SS54
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SMB
    • 描述: 这款SMB封装二极管具备40V的高反向耐压和强大的5A正向电流承载能力,其超低正向导通电压VF仅为0.55V,确保高效能与低损耗。适用于电源转换、高频整流及大电流电路保护场合。
    • 二极管配置: 独立式
    • 正向压降(Vf): 550mV@5A
    • 直流反向耐压(Vr): 40V
    • 平均整流电流(Io): 5A
  • 领券
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    • 广东仓: 33K+
      江苏仓: 35K+
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    • AO3401-ED
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装,额定电压20V,可承载3A电流。具备低导通电阻与快速开关特性,应用于充电器、电源转换等场合,提供高效能、稳定可靠的功率控制方案,是各类电子设备的理想选择。
    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 20V
    • 连续漏极电流(Id): 3A
    • 功率(Pd): 700mW
  • 领券
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    • NUP2105LT1G
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 这款SOT-23封装的双向ESD静电防护二极管适用于双通道保护,具有高达24V的VRWM耐压值,有效防止过电压冲击。器件每通道可承受瞬态峰值电流IPP达4A,并且拥有低至10pF的结电容CJ,确保在提供强大ESD防护的同时维持高速信号传输质量,是理想的双通道接口防静电解决方案。
    • 极性: 双向
    • 反向截止电压(Vrwm): 24V
    • 最大钳位电压: 40V
    • 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us: 4A
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    • 74HC595D
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOP-16
    • 描述: 这款8位移位寄存器采用紧凑型SOP-16封装,专为高效数据处理设计。其工作电压范围在2V至6V之间,可实现灵活的串行至串行或串行至并行数据转换功能,满足不同系统配置需求。每个器件含8个独立的数据存储位,能有效管理和传输大量信息流,是嵌入式系统、高速通信设备的理想选择,以卓越性能提升系统整体效率。
    • 功能: 串行至串行或并行
    • 电源电压: 2V~6V
    • 每个元件位数: 8
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    • AT24C02
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 这款小巧的2Kbit EEPROM芯片采用SOP-8封装,专为紧凑型设计和高效数据存储打造。集成I2C接口,实现简单快速的数据读写操作,时钟频率范围400kHz至1MHz,确保高速通信能力。尤其适用于低功耗嵌入式系统、智能设备及物联网应用,提供稳定可靠的非易失性数据存储解决方案。
    • 接口类型: I2C
    • 存储容量: 2Kbit
    • 时钟频率(fc): 400kHz~1MHz
    • 工作电压: 1.8V~5.5V
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    • SMBJ33CA
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SMB(DO-214AA)
    • 描述: 这款SMB封装的TVS瞬态抑制二极管为Bi双向设计,适用于中高压电路的全面保护。具备33V的稳定双向反向工作电压VRWM,在正负过压事件下表现出色,可承受高达11.3A的峰值脉冲电流IPP,有效吸收并快速钳位瞬态电压,为电源线、信号线及敏感电子设备提供卓越的双向浪涌防护能力,确保系统免受雷击、静电等瞬态冲击的影响。
    • 反向截止电压(Vrwm): 33V
    • 最大钳位电压: 53.3V
    • 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us: 11.3A
    • 击穿电压: 36.7V
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    • S9014
    • 品牌: HXY MOSFET(华轩阳电子)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 该款SOT-23封装NPN型三极管,具有45V高击穿电压VCEO及0.1A集电极电流承载力,放大倍数范围宽广(200-400),特别适用于要求高增益、低功耗的电子电路中,提供精密信号放大功能。
    • 晶体管类型: NPN
    • 集电极电流(Ic): 100mA
    • 集射极击穿电压(Vceo): 45V
    • 功率(Pd): 200mW
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