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MASPOWER(麦思浦)

MASPOWER(麦思浦)

进入品牌官网

该品牌总部位于深圳,在上海设立研发中心。专注于半导体集成电路、功率器件及MCU等产品的研发与设计。主要生产半导体集成电路、功率器件、MCU。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • IGBT管/模块
    • 快恢复/高效率二极管
    • 电压基准芯片
    • 稳压二极管
    • 肖特基二极管
    多选
  • 封装
    • TO-247
    • TO-220F
    • TO-220
    • TO-3P
    • SOT-227
    • TO-263
    • TO-264
    • TO-247-2
    • TO-220-2
    • TO-252
    • FD-5
    • SOP-8
    • TO-3PF
    • FD-7
    • DIP-7
    • FD-3
    • FD-4
    • TO-220F-2
    • -
    • DIP-8
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数263
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:3.5kV 电流:2A
MS2N350HGC0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C37635850
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
3.5kV
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
19Ω@10V

描述MOSFET 2A 3500V TO-247封装 超高压 高压 场效应管 国产

  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 241.376
  • 229.4155
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
26

30/

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:1kV 电流:5A
MS5N100FD
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5139245
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
3.5Ω@10V

描述超高压MOS管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存906
9.5
  • 3.28
  • 2.99
  • 2.85
  • 2.565
  • 2.014
  • 1.9665
现货最快4小时发货
广东仓
877

2500/圆盘

总额0

近期成交45单

1个N沟道 耐压:1000V 电流:3A
MS3N100HGD0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5353709
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
5.2Ω@10V,1A

描述高压MOS管 单管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存259
  • 3.5
  • 2.75
  • 2.42
  • 2.02
  • 1.69
  • 1.58
现货最快4小时发货
广东仓
235

2500/圆盘

总额0

近期成交14单

1个N沟道 耐压:1.5kV 电流:4A
MS4N1350S
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5139256
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.5kV
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
5.5Ω@10V

描述超高压MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存320
8.8
  • 9.636
  • 7.656
  • 6.5736
  • 5.3416
现货最快4小时发货
广东仓
320

50/

总额0

近期成交4单

MOSFET MS05N250HGE0
MS05N250HGE0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C37635857
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
2.5kV
连续漏极电流(Id)
500mA
导通电阻(RDS(on))
45Ω@10V

描述MOSFET 0.5A 2500V TO-263封装 超高压 高压 场效应管 贴片封装 国产

  • 收藏
  • 对比
  • 92
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
455

500/圆盘

总额0

近期成交8单

MSG15T120FPE
MSG15T120FPE
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-263
类目
IGBT管/模块
编号
C5353636
集射极击穿电压(Vces)
1.2kV
集电极电流(Ic)
15A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存800
  • 7.59
  • 6.05
  • 5.21
  • 4.26
现货最快4小时发货
广东仓
800

800/圆盘

总额0

近期成交9单

1200 30A 65ns
ESTF30S120U
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-247-2
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C5278498
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存253
7
  • 5.026
  • 4.557
  • 4.137
  • 3.85
  • 3.717
  • 3.654
现货最快4小时发货
广东仓
253
江苏仓
396

30/

总额0

近期成交1单

MOSFET MS66N85IDB3
MS66N85IDB3
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-264
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41417734
漏源电压(Vdss)
850V
连续漏极电流(Id)
66A
导通电阻(RDS(on))
83mΩ@15V
耗散功率(Pd)
1.25kW

描述850V 66A 70mΩ TO-264 MOSFET 高压大电流

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存100
9.4
  • 71.1486
  • 61.429
  • 55.507
  • 50.5438
现货最快4小时发货
广东仓
100
江苏仓
6

25/

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:2.5kV 电流:4A
MS4N250HGC0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C37635841
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
2.5kV
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
19Ω@10V

描述MOSFET 4A 2500V TO-247封装 超高压 高压 场效应管 国产

  • 收藏
  • 对比
  • 269.1
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
26

30/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:1.5kV 电流:4A
MS4N1350E
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C3825162
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.5kV
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
5.5Ω@10V

描述超高压MOSFET mos管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存442
  • 9.62
  • 8.25
  • 7.51
  • 6.66
  • 4.82
  • 4.65
现货最快4小时发货
广东仓
375

800/圆盘

总额0

近期成交19单

IGBT单管 2000V 55A 高压 大电流 TO-264
MSG55T200HLB3
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-264
类目
IGBT管/模块
编号
C42445166
集射极击穿电压(Vces)
2kV
集电极电流(Ic)
130A
耗散功率(Pd)
625W
集射极饱和电压(VCE(sat))
7.7V@55A,15V

描述IGBT单管 2000V 55A 高压 大电流 TO-264

  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 193.4485
  • 183.863
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
19

25/

总额0

近期成交4单

1个N沟道 耐压:3kV 电流:2A
MS2N300HGC0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C37635849
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
3kV
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
19Ω@10V

描述MOSFET 2A 3000V TO-247封装 超高压 高压 场效应管 国产

  • 收藏
  • 对比
  • 220.14
  • 212.74
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
17

30/

总额0

近期成交1单

耐压:1950V 电流:8A 反向恢复时间:0.72us
ESTF8SS195UP
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-220F-2
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C5278090
二极管配置
独立式
正向压降(Vf)
1.34V@8A
直流反向耐压(Vr)
1.95kV
整流电流
8A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存14
9.5
  • 13.1005
  • 10.697
  • 9.196
  • 7.657
现货最快4小时发货
广东仓
14
江苏仓
70

50/

总额0

近期成交8单

MSG20T65HPE0
MSG20T65HPE0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-263
类目
IGBT管/模块
编号
C7424059
集射极击穿电压(Vces)
650V
集电极电流(Ic)
20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存718
  • 4.92
  • 3.97
  • 3.5
  • 3.03
  • 2.75
  • 2.61
现货最快4小时发货
广东仓
700

800/圆盘

总额0

近期成交19单

5件套 MOSFET MS330N15JDF4
MS330N15JDF4
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
SOT-227
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41417736
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
330A
导通电阻(RDS(on))
4.5mΩ@10V

描述150V 330A 3.8mΩ SOT-227 低压大电流MOS 模块

  • 收藏
  • 对比
  • 125.15
  • 119.24
  • 108.99
现货最快4小时发货
广东仓
30
江苏仓
1

12/

总额0

近期成交1单

IGBT单管 3000V 55A 高压大电流 TO-264  国产
MSG55T300HLB3
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-264
类目
IGBT管/模块
编号
C42445168
集射极击穿电压(Vces)
3kV
集电极电流(Ic)
130A
耗散功率(Pd)
625W
集射极饱和电压(VCE(sat))
7.7V@55A,15V

描述IGBT单管 3000V 55A 高压大电流 TO-264 国产

  • 收藏
  • 对比
  • 339.38
  • 322.56
现货最快4小时发货
广东仓
15
江苏仓
2

25/

总额0

近期成交1单

MOSFET MS55N100HGB3
MS55N100HGB3
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-264
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41417733
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
55A
导通电阻(RDS(on))
280mΩ@10V
耗散功率(Pd)
1.042kW

描述1000V 55A 211mΩ TO-264 高压MOS 大电流

  • 收藏
  • 对比
9.5
  • 66.9275
  • 57.5035
  • 51.7655
  • 46.9585
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
20

25/

总额0

近期成交1单

MOSFET MS5N200HGC0
MS5N200HGC0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C37635840
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
2kV
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
10Ω@10V

描述MOSFET 5A 2000V TO-247封装 超高压 高压 场效应管 国产

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存30
  • 190.49
  • 181.49
现货最快4小时发货
广东仓
30

30/

总额0

电流:100A 反向恢复时间:120ns
正向压降(Vf)
1.6V@100A
整流电流
100A
反向恢复时间(Trr)
120ns
工作结温范围
-40℃~+150℃
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 5.47
  • 4.49
  • 3.88
  • 3.25
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
240

30/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:1000V 电流:15A
MS15N100HGC0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5353714
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
15A
导通电阻(RDS(on))
900mΩ@10V

描述高压MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 12.5495
  • 10.488
  • 9.196
  • 7.8755
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
49

30/

总额0

近期成交5单

1个N沟道 耐压:1kV 电流:18A
MS18N100HGC0
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5139250
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
550mΩ@10V

描述高压mos管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

5
  • 18.61
  • 16.495
  • 15.235
  • 13.96
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
43

30/

总额0

近期成交2单

耐压:600V 电流:200A 反向恢复时间:160ns
正向压降(Vf)
1.3V
直流反向耐压(Vr)
600V
整流电流
200A
反向电流(Ir)
1.3mA

描述600V 200A FD5 二极管模块

  • 收藏
  • 对比
  • 141.45
现货最快4小时发货
广东仓
15
江苏仓
2

10/

总额0

近期成交1单

IGBT MSG70T170HLB3
MSG70T170HLB3
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-264
类目
IGBT管/模块
编号
C37635843

描述IGBT 70A 1700V TO-264封装 高压晶体管 大电流

  • 收藏
  • 对比
  • 301.3
现货最快4小时发货
广东仓
75

25/

总额0

1个N沟道 耐压:60V 电流:5A
MSN4688
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5353690
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V;45V
连续漏极电流(Id)
5A;3.5A
导通电阻(RDS(on))
55mΩ@4.5V;100mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1445
  • 1.4402
  • 1.1378
  • 1.0082
  • 0.8465
  • 0.7423
  • 0.699
现货最快4小时发货
广东仓
1445

2500/圆盘

总额0

近期成交4单

1个N沟道 耐压:1kV 电流:5A
MS5N100FT
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5139246
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1kV
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
3.5Ω@10V

描述超高压MOS管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存67
9.4
  • 4.2676
  • 3.5156
  • 2.7918
  • 2.4158
  • 2.1902
  • 2.0774
现货最快4小时发货
广东仓
67

50/

总额0

近期成交6单

耐压:1200V 电流:30A 反向恢复时间:65ns
ESTF30SS120C
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-220AC
类目
快恢复/高效率二极管
编号
C41417721
正向压降(Vf)
2.2V
直流反向耐压(Vr)
1.2kV
整流电流
30A
反向电流(Ir)
100uA

描述1200V 30A TO-220AC 快恢复二极管

  • 收藏
  • 对比
9.4
  • 6.0536
  • 5.0384
  • 4.4838
  • 3.854
  • 3.572
  • 3.4404
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3

50/

总额0

近期成交5单

MOSFET MS8N120FS
MS8N120FS
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41417591
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
8A
导通电阻(RDS(on))
3.8Ω@10V

描述1200V 8A 2.9Ω TO-220F 高压MOS 超高压mos管

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.4
  • 7.7926
  • 6.4766
  • 5.7528
  • 4.935
  • 4.5684
  • 4.3992
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
50

50/

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:1500V 电流:4A
MS4N1350B
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-3PB
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5139254
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.5kV
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
5.8Ω@10V,1.3A

描述超高压MOSFET

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

9.5
  • 9.063
  • 7.5715
  • 6.6405
  • 5.6905
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
93

30/

总额0

近期成交4单

MOSFET 国产 高压 900V 15A TO-220F塑封
MS15N90ICT1
品牌
MASPOWER(麦思浦)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42445163
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
15A
导通电阻(RDS(on))
450mΩ@15V
耗散功率(Pd)
67.9W

描述MOSFET 国产 高压 900V 15A TO-220F塑封

  • 收藏
  • 对比
9.4
  • 10.1238
  • 8.6104
  • 7.661
  • 6.6834
  • 6.2416
  • 6.0536
现货最快4小时发货
广东仓
50
江苏仓
19

50/

总额0

近期成交2单

耐压:650V 电流:100A 反向恢复时间:60ns
正向压降(Vf)
1.45V
直流反向耐压(Vr)
650V
整流电流
100A
反向电流(Ir)
800uA

描述600V 100A TO-247 超快恢复二极管

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