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借鉴网上常见的远程更新QSPI FLASH的相关示例，对表贴式SD卡的应用程序进行了在线更新的操作适配，便于ZYNQ设备进行远程更新保存在表贴式SD卡中的固化程序。

湖南静芯同时推出5V、14V、18V、22V、27V、33V等各种电压等级的TDS平缓浪涌抑制器，可为系统提供更全面保护。

TITAN Haptics 泰坦触觉是一家专注于触觉技术解决方案的科技公司，致力于为全球消费电子设备提供先进的触觉反馈方案，涵盖游戏、VR、可穿戴设备等多个领域，助力企业提升产品体验，为用户带来更真实、更沉浸的交互体验。

在单板设计中，无论是涉及到一个简易的CPU、MCU小系统或者是复杂的单板设计，都离不开存储器设计，本文为大家详细介绍存储器！

NOR 与 NAND 各有特点，应用场景与应用难度也不同，SD NAND 在保留了NAND架构优质特性的同时改进了不足之处，内置的控制器能自行管理NAND Flash，用户无需在外部处理ECC和进行坏块管理，免去了MTD层，用户不需要写繁琐的驱动代码。这些特性也使得NOR用户升级NAND 成为可能。

湖南静芯半导体的TDS具有显著的性能优势，可保护USB-PD VBUS线路免受ESD和浪涌事件的影响。一个优点是TDS工作在额定峰值脉冲电流范围内几乎恒定的钳位电压。

SD NAND 也称之为贴片式TF卡，贴片式SD卡，采用标准的SDIO接口，兼容SPI接口。下图所示为CS 新一代CS SD NAND NP1GCR01-AOW 大小为128M，对比128M的SD卡，可以看到贴片SD卡尺寸更小，不要SD卡座，占用更小的PCB面积；也可以节省PCB板层数，2层板即可使用。而且兼容可替代普通TF卡/SD卡，硬件电路软件程序通用。本案例基于RT-Thread物联网操作系统，更是不需要编写任何复杂的驱动代码就可以SD NAND读写操作。

该SD卡支持SDIO读写和SPI读写，最高读写速度可达25MB/s，实际读写速度要结合MCU和接口情况实测获得。通常在简单嵌入式系统并对读写速度要求不高的情况下，会使用SPI协议进行读写。但不管使用SDIO还是SPI都需要符合相关的协议规范，才能建立相应的文件系统。

湖南静芯推出国内首款0.1pF深回扫型静电保护器件SEUCS2X3V1BA 。SEUCS2X3V1BA是一款保护高速数据接口的超低电容深回扫型ESD保护器件，专门设计用于保护连接到数据传输线的敏感电子元件，使之免受ESD(静电放电)引起的过压而损坏，可适用于HDMI 2.0/2.1和USB 3.X/4.0的高速差分信号线防护。根据IEC61000-4-2和IEC610000-4-5规范，SEUCS2X3V1BA可提供高达±10kV(接触放电)、±10kV(空气放电)的ESD保护，可承受高达5A(8/20us

CSNP4GCR01-DPW是一种基于NAND闪存和SD控制器的4Gb密度嵌入式存储；而CSNP32GCR01-AOW是一种基于NAND闪存和SD控制器的32Gb密度嵌入式存储。与原始NAND相比其具有嵌入式坏块管理和更强的嵌入式ECC。即使在异常断电，它仍然可以安全地保存数据。

SD NAND是储存卡的延伸及强化版本，使用的标准芯片封装工艺使其可以轻松过回流焊，可直接贴片，又名贴片式TF卡、SD Flash，除此之外其他物理抗性也比普通SD卡强得多，其内部集成高性能的闪存控制器及SLC架构的闪存，兼容 SD 协议，满足客户小型化、差异化、高可靠性的设计需求。

本次实验我依然选用的是深圳雷龙公司的一款SD NAND产品----CSNP32GCR01-AOW。 这款SD NAND开发板设计得很巧妙，把对外接口设计成了通用的micro接口，兼容性非常强，不管是插读卡器还是直接插FPGA开发板，都是即插即用，十分方便。