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- 类目
- 同步动态随机存取内存(SDRAM)
- DDR SDRAM
- eMMC
- NAND FLASH
- EEPROM
多选 - 封装
- BGA-200(10x14.5)
- TSOPII-54
- BGA-54(8x8)
- BGA-96(7.5x13)
- BGA-153(11.5x13)
- -
- BGA-78(7.5x10.6)
- BGA-84(8x12.5)
- BGA-96(7.5x13.5)
- TSOPII-86
- BGA-100(14x18)
- BGA-96(8x13)
- BGA-90(8x13)
- TSSOP-66-10.2mm
- BGA-96(9x13)
- BGA-78(7.5x10.5)
- BGA-78(9x10.6)
- BGA-78(8x10.5)
- BGA-60(8x10)
- BGA-60(8x13)
多选
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自营结果数354
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
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操作
描述16Mb SDR SDRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为双bank，每个bank为512K x 16位，支持快速访问时间和时钟速率。
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- ￥20.07
- ￥8.01
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描述16Mb SDR SDRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为双bank，每个bank为512K x 16位，支持快速访问时间和时钟速率。
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- ￥20.67
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描述16Mb SDR SDRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为双bank，每个bank为512K x 16位，支持快速访问时间和时钟速率。
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描述64Mb SDR Synchronous DRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，包含64Mbits。内部配置为4个1M x 16 DRAM，具有同步接口。支持可编程读写突发长度，自动刷新和自刷新功能，以及多种工作模式。
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- ￥24.42
- ￥9.75
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描述16Mb SDR SDRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，内部配置为双bank，每个bank为512K x 16位，支持快速访问时间和时钟速率。
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- 时钟频率(fc)
- 200MHz
- 工作电压
- 3V~3.6V
描述64Mb SDR Synchronous DRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，包含64Mbits。内部配置为4个1M x 16 DRAM，具有同步接口。支持可编程读写突发长度，自动刷新和自刷新功能，以及多种工作模式。
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- ￥26.89
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- 200MHz
- 工作电压
- 3V~3.6V
描述64Mb SDR Synchronous DRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，包含64Mbits。内部配置为4个1M x 16 DRAM，具有同步接口。支持可编程读写突发长度，自动刷新和自刷新功能，以及多种工作模式。
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- 时钟频率(fc)
- 200MHz
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- 3V~3.6V
描述64Mb SDR Synchronous DRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，包含64Mbits。内部配置为4个1M x 16 DRAM，具有同步接口。支持可编程读写突发长度，自动刷新和自刷新功能，以及多种工作模式。
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- 时钟频率(fc)
- 166MHz
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- 3V~3.6V
描述64Mb SDR Synchronous DRAM 是一款高速CMOS同步DRAM，包含64Mbits。内部配置为4个1M x 16 DRAM，具有同步接口。支持可编程读写突发长度，自动刷新和自刷新功能，以及多种工作模式。
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- ￥27.22
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描述512Mb (x16) DDR2 Synchronous DRAM是一款四bank架构的同步动态随机存取存储器，支持DDR2的关键特性，如延迟CAS#，写延迟等于读延迟减1，片外驱动器阻抗调整和片上终端。该设备设计用于在各种环境条件下高效运行。
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- ￥34.39
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描述512Mb (x16) DDR2 Synchronous DRAM是一款四bank架构的同步动态随机存取存储器，支持DDR2的关键特性，如延迟CAS#，写延迟等于读延迟减1，片外驱动器阻抗调整和片上终端。该设备设计用于在各种环境条件下高效运行。
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- ￥38.48
- ￥15.35
- ￥14.84
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描述512Mb (x16) DDR2 Synchronous DRAM是一款四bank架构的同步动态随机存取存储器，支持DDR2的关键特性，如延迟CAS#，写延迟等于读延迟减1，片外驱动器阻抗调整和片上终端。该设备设计用于在各种环境条件下高效运行。
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描述256Mb DDR Synchronous DRAM，支持JEDEC标准，具备自动刷新和自刷新功能，支持AEC-Q100认证，时钟频率为200MHz，供电电压为2.5V±0.2V。
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描述256Mb DDR Synchronous DRAM，支持JEDEC标准，具备自动刷新和自刷新功能，支持AEC-Q100认证，时钟频率为200MHz，供电电压为2.5V±0.2V。
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- ￥41.01
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描述512Mb DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM，内部配置为四组 8M x16 或 16M x8 DRAM，具有同步接口。数据输出在时钟信号 CK 的每个上升沿发生。支持可编程读写突发长度为 2, 4, 或 8。提供自动刷新和自刷新功能，适用于高带宽内存和图形应用。
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- ￥42.45
- ￥16.94
- ￥16.38
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描述512Mb DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM，内部配置为四组 8M x16 或 16M x8 DRAM，具有同步接口。数据输出在时钟信号 CK 的每个上升沿发生。支持可编程读写突发长度为 2, 4, 或 8。提供自动刷新和自刷新功能，适用于高带宽内存和图形应用。
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描述512Mb DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM，内部配置为四组 8M x16 或 16M x8 DRAM，具有同步接口。数据输出在时钟信号 CK 的每个上升沿发生。支持可编程读写突发长度为 2, 4, 或 8。提供自动刷新和自刷新功能，适用于高带宽内存和图形应用。
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描述512Mb DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM，内部配置为四组 8M x16 或 16M x8 DRAM，具有同步接口。数据输出在时钟信号 CK 的每个上升沿发生。支持可编程读写突发长度为 2, 4, 或 8。提供自动刷新和自刷新功能，适用于高带宽内存和图形应用。
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描述512Mb DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM，内部配置为四组 8M x16 或 16M x8 DRAM，具有同步接口。数据输出在时钟信号 CK 的每个上升沿发生。支持可编程读写突发长度为 2, 4, 或 8。提供自动刷新和自刷新功能，适用于高带宽内存和图形应用。
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- ￥46.48
- ￥18.55
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描述512Mb (x16) DDR2 Synchronous DRAM是一款四bank架构的同步动态随机存取存储器，支持DDR2的关键特性，如延迟CAS#，写延迟等于读延迟减1，片外驱动器阻抗调整和片上终端。该设备设计用于在各种环境条件下高效运行。
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- ￥46.5
- ￥18.56
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描述512Mb DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM，内部配置为四组 8M x16 或 16M x8 DRAM，具有同步接口。数据输出在时钟信号 CK 的每个上升沿发生。支持可编程读写突发长度为 2, 4, 或 8。提供自动刷新和自刷新功能，适用于高带宽内存和图形应用。
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- ￥47.96
- ￥19.14
- ￥18.5
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描述512Mb DDR SDRAM是一款高速CMOS双倍数据速率同步DRAM，内部配置为四组8M x 16或16M x 8 DRAM，具有同步接口。数据输出在每个时钟上升沿发生，读写访问由读写命令控制。支持可编程的读写突发长度2、4、8。提供自动刷新和自刷新功能，适用于高性能主内存和图形应用。
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- ￥50.7
- ￥20.23
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- ￥19.22
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- ￥51.19
- ￥20.43
- ￥19.75
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