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  • NDS96PT4-16IT TR
  • 品牌: Insignis
  • 封装: TSOPII-50
  • 描述: 16Mb SDR SDRAM 是一款高速CMOS同步DRAM,内部配置为双bank,每个bank为512K x 16位,支持快速访问时间和时钟速率。
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    • 品牌: Insignis
    • 封装: TSOP-54-10.2mm
    • 描述: 64Mb SDR Synchronous DRAM 是一款高速CMOS同步DRAM,包含64Mbits。内部配置为4个1M x 16 DRAM,具有同步接口。支持可编程读写突发长度,自动刷新和自刷新功能,以及多种工作模式。
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    • NDS63PT9-16IT TR
    • 品牌: Insignis
    • 封装: TFSOP-86-10.2mm
    • 描述: 这是一款64Mb x32位的SDR Synchronous DRAM,具有四组内部存储体,支持多种突发长度和时序模式。工作电压为3.3V±0.3V,支持扩展测试(ET)和工业温度范围。
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    • NDB56PFC-4DET
    • 品牌: Insignis
    • 封装: FBGA-84(8x12.5)
    • 描述: 512Mb (x16) DDR2 Synchronous DRAM是一款四bank架构的同步动态随机存取存储器,支持DDR2的关键特性,如延迟CAS#,写延迟等于读延迟减1,片外驱动器阻抗调整和片上终端。该设备设计用于在各种环境条件下高效运行。
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    • NDL16PFJ-9MET
    • 品牌: Insignis
    • 封装: FBGA-96(8x13)
    • 描述: 1Gb (x16) DDR3/3L Synchronous DRAM 是一款高速双数据速率架构的存储器,支持高达1866 Mb/sec/pin的数据传输速率。该芯片设计符合所有DDR3L DRAM的关键特性,包括与DDR3的完全向后兼容性。所有控制和地址输入都与外部提供的差分时钟同步,输入在差分时钟交叉点处锁存。所有I/O都与差分DQS对源同步。该存储器支持多种操作模式,包括扩展测试和工业温度范围。
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    • 品牌: Insignis
    • 封装: TFSOP-86-10.2mm
    • 描述: 128Mb SDR Synchronous DRAM 是一种高速CMOS同步DRAM,包含128 Mbits。内部配置为4个1M x 32位的bank,每个bank组织为4096行 x 256列 x 32位。支持可编程读写突发长度,具有自动预充电和刷新功能。
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    • 品牌: Insignis
    • 封装: FBGA-90(8x13)
    • 描述: 128Mb SDRAM是一种高速CMOS同步DRAM,包含128M位。内部配置为4个1Mx32位的bank,每个bank组织为4096行x256列x32位。支持可编程的读写突发长度,具有自动预充电功能和多种刷新模式。
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    • 品牌: Insignis
    • 封装: TSOPII-54
    • 描述: 256Mb SDR Synchronous DRAM是一款高速CMOS同步DRAM,内部配置为4个8M字节x8位的DRAM,支持突发读写访问,具有可编程的读写突发长度和自动刷新功能。
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    • NDS38PT5-20IT
    • 品牌: Insignis
    • 封装: TSOPII-54
    • 描述: 256Mb SDR Synchronous DRAM是一款高速CMOS同步DRAM,内部配置为4个8M字节x8位的DRAM,支持突发读写访问,具有可编程的读写突发长度和自动刷新功能。
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    • 品牌: Insignis
    • 封装: TSOPII-54
    • 描述: 128Mb SDR Synchronous DRAM,支持16位数据宽度,具有高速CMOS同步DRAM,包含128Mbits,内部配置为四个2M x 16位 x 4bank。支持可编程读写突发长度,适用于高带宽内存应用,特别是高性能PC应用。支持AEC-Q100认证。
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    • NDB18PFB-4DET
    • 品牌: Insignis
    • 封装: FBGA-60(8x10)
    • 描述: 1Gb (x8) - DDR2 Synchronous DRAM 是一款高性能的动态随机存取存储器,支持JEDEC标准,具有1.8V I/O接口,支持多种工作模式和温度范围。该存储器适用于需要高速数据传输和低功耗的应用场景。
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    • NDS66PBA-20AT
    • 品牌: Insignis
    • 封装: FBGA-54(8x8)
    • 描述: 64Mb SDR Synchronous DRAM是一款高速CMOS同步DRAM,包含64Mbits。内部配置为4个1M字x16 DRAM,具有同步接口。读写访问以突发方式启动,从选定位置开始。
    • 时钟频率(fc): 200MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • NDD58PFD-2AET TR
    • 品牌: Insignis
    • 封装: FBGA-60(8x13)
    • 描述: 512Mb DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM,内部配置为四组 8M x16 或 16M x8 DRAM,具有同步接口。数据输出在时钟信号 CK 的每个上升沿发生。支持可编程读写突发长度为 2, 4, 或 8。提供自动刷新和自刷新功能,适用于高带宽内存和图形应用。
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    • 工作电压: 2.3V~2.7V
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    • NDS76PT5-16ET TR
    • 品牌: Insignis
    • 封装: TSOP-54-10.2mm
    • 描述: 128Mb SDR Synchronous DRAM,具有128Mb存储容量,支持多种突发长度,适用于高性能PC应用。
    • 时钟频率(fc): 166MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • NDS76PT5-20ET
    • 品牌: Insignis
    • 封装: TSOP-54-10.2mm
    • 描述: 128Mb SDR Synchronous DRAM,具有128Mb存储容量,支持多种突发长度,适用于高性能PC应用。
    • 时钟频率(fc): 200MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • NDS66PT5-16ET TR
    • 品牌: Insignis
    • 封装: TSOP-54-10.2mm
    • 描述: 64Mb SDR Synchronous DRAM 是一款高速CMOS同步DRAM,包含64Mbits。内部配置为4个1M x 16 DRAM,具有同步接口。支持可编程读写突发长度,自动刷新和自刷新功能,以及多种工作模式。
    • 时钟频率(fc): 166MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • 时钟频率(fc): 533MHz
    • 工作电压: 1.7V~1.9V
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    • NDS76PBA-16ET
    • 品牌: Insignis
    • 封装: FBGA-54(8x8)
    • 描述: INSIGNIS Technology Corporation生产的128Mb SDR Synchronous DRAM,适用于需要高带宽内存的应用,特别是高性能PC应用。该存储器支持可编程读写突发长度,具有自动刷新和自刷新功能,支持AEC-Q100认证。
    • 时钟频率(fc): 200MHz
    • 工作电压: 3V~3.6V
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    • NDD58PT6-2AET TR
    • 品牌: Insignis
    • 封装: TSSOP-66-10.2mm
    • 描述: 512Mb DDR SDRAM 是一款高速 CMOS 双倍数据速率同步 DRAM,内部配置为四组 8M x16 或 16M x8 DRAM,具有同步接口。数据输出在时钟信号 CK 的每个上升沿发生。支持可编程读写突发长度为 2, 4, 或 8。提供自动刷新和自刷新功能,适用于高带宽内存和图形应用。
    • 时钟频率(fc): 250MHz
    • 工作电压: 2.3V~2.7V
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