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    • 碳化硅二极管
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  • 操作

P3M06300T3
品牌
PN Junction
封装
TO-220-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7256045
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
导通电阻(RDS(on))
500mΩ@15V,4.5A
耗散功率(Pd)
35W
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  • 52.19
  • 20.83
  • 20.13
  • 19.79
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P3M173K0K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6140969
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
3A
导通电阻(RDS(on))
3.6Ω@15V,600mA
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  • 对比

SMT扩展库

  • 62.11
  • 24.79
  • 23.96
  • 23.55
需订货
广东仓
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总额0

P3M06300K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6249945
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
500mΩ@15V,4.5A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 65.24
  • 26.03
  • 25.16
  • 24.73
需订货
广东仓
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总额0

P3M173K0F3
品牌
PN Junction
封装
TO-220F-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6729735
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
1.97A
耗散功率(Pd)
19W
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  • 对比
  • 70.99
  • 28.33
  • 27.38
  • 26.91
需订货
广东仓
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总额0

P3M171K2K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6140967
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
1.2Ω@15V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 82.99
  • 33.12
  • 32.01
  • 31.46
需订货
广东仓
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1/

总额0

P3M171K0G7
品牌
PN Junction
封装
D2PAK-7
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7023113
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
1.4Ω@15V,2A
  • 收藏
  • 对比
  • 91.67
  • 36.58
  • 35.36
  • 34.75
需订货
广东仓
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1/

总额0

P3M171K0T3
品牌
PN Junction
封装
TO-220-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6729733
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
1.4Ω@15V,2A
  • 收藏
  • 对比
  • 91.67
  • 36.58
  • 35.36
  • 34.75
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M171K0K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7323807
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
1.4Ω@15V,2A
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  • 对比

SMT扩展库

  • 100.15
  • 39.96
  • 38.63
  • 37.97
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M171K0F3
品牌
PN Junction
封装
TO-220F-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6352271
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.7kV
连续漏极电流(Id)
6A
导通电阻(RDS(on))
1.4Ω@15V,2A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 100.15
  • 39.96
  • 38.63
  • 37.97
需订货
广东仓
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1/

总额0

P3M12160K4
品牌
PN Junction
封装
TO-247-4L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5840348
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
19A
导通电阻(RDS(on))
192mΩ@15V,10A
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  • 对比

SMT扩展库

  • 129.55
  • 51.7
  • 49.97
  • 49.11
需订货
广东仓
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1/

总额0

P3M12160K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6249948
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
19A
耗散功率(Pd)
110W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 129.55
  • 51.7
  • 49.97
  • 49.11
需订货
广东仓
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1/

总额0

P3M06120K4
品牌
PN Junction
封装
TO-247-4L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6352267
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
27A
导通电阻(RDS(on))
158mΩ@15V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 150.16
  • 59.92
  • 57.92
  • 56.93
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M06120T3
品牌
PN Junction
封装
TO-220-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7323805
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
29A
导通电阻(RDS(on))
158mΩ@15V,10A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 150.16
  • 59.92
  • 57.92
  • 56.93
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M06120K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6729731
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
27A
导通电阻(RDS(on))
158mΩ@15V,10A
  • 收藏
  • 对比
  • 150.22
  • 59.94
  • 57.94
  • 56.95
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M06060L8
品牌
PN Junction
封装
-
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6140965
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
37A
导通电阻(RDS(on))
79mΩ@15V,20A
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  • 对比

SMT扩展库

  • 172.23
  • 68.73
  • 66.43
  • 65.29
需订货
广东仓
0

1/圆盘

总额0

P3M06060K4
品牌
PN Junction
封装
TO-247-4L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5823476
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
79mΩ@15V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 172.23
  • 68.73
  • 66.43
  • 65.29
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M06060G7
品牌
PN Junction
封装
D2PAK-7
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6625354
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
44A
导通电阻(RDS(on))
79mΩ@15V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 172.23
  • 68.73
  • 66.43
  • 65.29
需订货
广东仓
0

1/圆盘

总额0

P3M06060T3
品牌
PN Junction
封装
TO-220-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7323804
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
46A
导通电阻(RDS(on))
79mΩ@15V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 172.23
  • 68.73
  • 66.43
  • 65.29
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M06060K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6729729
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
79mΩ@15V,20A
  • 收藏
  • 对比
  • 172.3
  • 68.75
  • 66.46
  • 65.32
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M12080G7
品牌
PN Junction
封装
D2PAK-7
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7256048
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
32A
导通电阻(RDS(on))
96mΩ@15V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 178.75
  • 71.33
  • 68.94
  • 67.76
需订货
广东仓
0

1/圆盘

总额0

P3M12080K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7256050
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
38A
耗散功率(Pd)
221W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 178.75
  • 71.33
  • 68.94
  • 67.76
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M12080K4
品牌
PN Junction
封装
TO-247-4L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7023111
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
38A
耗散功率(Pd)
221W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 178.75
  • 71.33
  • 68.94
  • 67.76
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M06040K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7256043
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
68A
耗散功率(Pd)
254W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 190.41
  • 75.98
  • 73.44
  • 72.18
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M06040K4
品牌
PN Junction
封装
TO-247-4L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5706168
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
68A
耗散功率(Pd)
254W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 197.68
  • 78.88
  • 76.24
  • 74.94
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M06025K4
品牌
PN Junction
封装
TO-247-4L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6625351
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
97A
导通电阻(RDS(on))
34mΩ@15V,50A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 277.71
  • 110.81
  • 107.11
  • 105.28
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M12040G7
品牌
PN Junction
封装
D2PAK-7
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7023109
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
63A
导通电阻(RDS(on))
53mΩ@15V,40A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 348.11
  • 138.9
  • 134.26
  • 131.97
需订货
广东仓
0

1/圆盘

总额0

P3M12040K4
品牌
PN Junction
封装
TO-247-4L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6249947
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
63A
耗散功率(Pd)
349W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 348.11
  • 138.9
  • 134.26
  • 131.97
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M12040K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6948746
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
63A
耗散功率(Pd)
349W
  • 收藏
  • 对比
  • 348.26
  • 138.96
  • 134.32
  • 132.02
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M12025K3
品牌
PN Junction
封装
TO-247-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7023107
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
耗散功率(Pd)
524W
阈值电压(Vgs(th))
1.8V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 476.87
  • 190.28
  • 183.92
  • 180.78
需订货
广东仓
0

1/

总额0

P3M12025K4
品牌
PN Junction
封装
TO-247-4L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6352269
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
1.2kV
连续漏极电流(Id)
112A
耗散功率(Pd)
577W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 476.87
  • 190.28
  • 183.92
  • 180.78
需订货
广东仓
0

1/

总额0