SemiQ
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- 类目
- 肖特基二极管
- 碳化硅二极管
- IGBT管/模块
- 场效应管(MOSFET)
- 通用二极管
- 碳化硅场效应管(MOSFET)
- 整流桥
多选 - 封装
- SOT-227
- -
- TO-247-2
- TO-247
- TO-220-2
- TO-247-4
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数127
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥209.63
- ￥83.65
- ￥80.85
- ￥79.47
需订货
- 广东仓
- 0
13个/管
个
总额￥0
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥245.51
- ￥97.96
- ￥94.69
- ￥93.07
需订货
- 广东仓
- 0
10个/管
个
总额￥0
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
- ￥335.64
- ￥133.93
- ￥129.45
- ￥127.24
需订货
- 广东仓
- 0
10个/管
个
总额￥0
- 整流电流
- 21A
- 正向压降(Vf)
- 1.65V@5A
- 直流反向耐压(Vr)
- 1.7kV
- 反向电流(Ir)
- 20uA@1700V
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@20V,20A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@20V,20A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 63A
- 导通电阻(RDS(on))
- 52mΩ@20V,40A
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 63A
- 导通电阻(RDS(on))
- 52mΩ@20V,40A
- 收藏
- 对比
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@20V,20A
- 耗散功率(Pd)
- 142W
- 收藏
- 对比
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 1.2kV
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 100mΩ@20V,20A
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 2个独立式
- 正向压降(Vf)
- 880mV@50A
- 直流反向耐压(Vr)
- 120V
- 反向电流(Ir)
- 3mA@120V
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 2个独立式
- 正向压降(Vf)
- 840mV@60A
- 直流反向耐压(Vr)
- 80V
- 反向电流(Ir)
- 1mA@80V
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 2个独立式
- 正向压降(Vf)
- 840mV@30A
- 直流反向耐压(Vr)
- 80V
- 反向电流(Ir)
- 1mA@80V
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 2个独立式
- 正向压降(Vf)
- 840mV@30A
- 直流反向耐压(Vr)
- 100V
- 反向电流(Ir)
- 1mA@100V
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 2个独立式
- 正向压降(Vf)
- 750mV@30A
- 直流反向耐压(Vr)
- 60V
- 整流电流
- 30A
- 收藏
- 对比
- 二极管配置
- 2个独立式
- 正向压降(Vf)
- 840mV@50A
- 直流反向耐压(Vr)
- 80V
- 反向电流(Ir)
- 1mA@80V
- 收藏
- 对比