类目
场效应管(MOSFET)
氮化镓晶体管(GaN HEMT)
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 漏源电压(Vdss)
- 160V
- 连续漏极电流(Id)
- 1A
- 阈值电压(Vgs(th))
- 3.1V@1mA
- ¥606.31
- ¥241.93
- ¥233.84
- ¥229.85
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 耗散功率(Pd)
- 15W
- ¥643.01
- ¥256.57
- ¥247.99
- ¥243.76
- 漏源电压(Vdss)
- 160V
- 连续漏极电流(Id)
- 1A
- 阈值电压(Vgs(th))
- 3.1V@1mA
- ¥1079.17
- ¥430.6
- ¥416.21
- ¥409.1
- ¥1472.53
- ¥587.55
- ¥567.92
- ¥558.22
- ¥1472.55
- ¥587.56
- ¥567.93
- ¥558.23
- 漏源电压(Vdss)
- 160V
- 连续漏极电流(Id)
- 1A
- 阈值电压(Vgs(th))
- 3.5V@1mA
- ¥2279.35
- ¥909.48
- ¥879.09
- ¥864.07
- ¥2571.58
- ¥1026.08
- ¥991.79
- ¥974.85
- ¥3711.57
- ¥3485.91
- ¥3369.42
- ¥3311.86
- ¥2225.62
- ¥888.04
- ¥858.36
- ¥843.7