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首页 > 品牌列表 > MOT(仁懋) >
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广东仁懋电子有限公司成立于2011年,是专注于功率半导体领域的高新技术企业,自主品牌为MOT,并获得国家级专精特新“小巨人”称号。公司主要生产全系列MOSFET、二极管和三极管等半导体芯片和功率器件。
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410
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • MOT13007MA
  • 品牌: MOT(仁懋)
  • 封装: TO-220
  • 描述: 集电极-基极反向击穿电压700V,集电极-发射极反向击穿电压400V,放大系数8-40, 集电极电流IC8A
  • 晶体管类型: NPN
  • 集电极电流(Ic): 8A
  • 集射极击穿电压(Vceo): 400V
  • 耗散功率(Pd): 80W
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    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 5A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.2Ω@10V,2.5A
    • 耗散功率(Pd): 50W
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    • 正向压降(Vf): 800mV@20A
    • 直流反向耐压(Vr): 100V
    • 整流电流: 40A
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 38A
    • 导通电阻(RDS(on)): 11.6mΩ@10V,20A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 300A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.1mΩ@10V,150A
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    • 整流电流: 20A
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    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 900mΩ@10V,5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 462A
    • 导通电阻(RDS(on)): 0.72mΩ@10V,462A
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    • 正向压降(Vf): 920mV@15A
    • 直流反向耐压(Vr): 200V
    • 整流电流: 30A
    • 反向电流(Ir): 50uA@200V
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 7.4mΩ@10V,15A
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    • 广东仓: 4320
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    • 近期成交8单
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 700V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.6Ω@10V,2A
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    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
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      • ¥0.6793
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      ¥0.984675
    • 140+: 

      ¥0.863645
    • 490+: 

      ¥0.712595
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      ¥0.60496
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    • 广东仓: 3460
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    • 近期成交9单
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 69A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.3mΩ@10V,20A
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    • 近期成交24单
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 170A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.35mΩ@10V,85A
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    • MOT1113T
    • 品牌: MOT(仁懋)
    • 封装: TOLL-8
    • 描述: 电压VDSS 100V,导通电阻Rds1.1毫欧,电荷量Qg131nC,电流ID 399A
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 399A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.1mΩ@10V,50A
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      ¥7.65
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      ¥7.4
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    • 广东仓: 265
      江苏仓: 0
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    • 近期成交54单
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 150V
    • 连续漏极电流(Id): 220A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V,50A
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      ¥10.7
    • 100+: 

      ¥8.89
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      ¥8.24
    • 1000+: 

      ¥7.95
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    • 广东仓: 2000
      江苏仓: 147
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 2000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交1单
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 120A
    • 导通电阻(RDS(on)): 5mΩ@4.5V,20A
    • 耗散功率(Pd): 120W
  • 领券
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  • SMT扩展库
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    • 150+: 

      ¥0.6832
    • 500+: 

      ¥0.57
    • 2500+: 

      ¥0.5196
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    • 广东仓: 4535
      江苏仓: 0
    • 圆盘
    • 圆盘
    • 5000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 40V
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    • 品牌: MOT(仁懋)
    • 封装: SOT-23
    • 描述: 集电极-基极反向击穿电压40V,集电极-发射极反向击穿电压25V,集电极电流IC1500mA,
    • 晶体管类型: NPN
    • 集射极击穿电压(Vceo): 25V
    • 直流电流增益(hFE): 400@10mA,5V
    • 特征频率(fT): 100MHz
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    • 整流电流: 20A
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    • 二极管配置: 独立式
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    • 反向电流(Ir): 100nA@8V
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    • 稳压值(标称值): 36V
    • 反向电流(Ir): 40nA@25V
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    • 二极管配置: 独立式
    • 稳压值(标称值): 12V
    • 反向电流(Ir): 100nA@8V
    • 稳压值(范围): 11.4V~12.6V
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    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 15A
    • 导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V,15A
    • 耗散功率(Pd): 25W
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