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PCB/SMT 工业品面板定制

MOT(仁懋)

进入品牌官网

广东仁懋电子有限公司成立于2011年，是专注于功率半导体领域的高新技术企业，自主品牌为MOT，并获得国家级专精特新“小巨人”称号。公司主要生产全系列MOSFET、二极管和三极管等半导体芯片和功率器件。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 稳压二极管
- 肖特基二极管
- 三极管(BJT)
- 开关二极管
- 通用二极管
- 快恢复/高效率二极管
- 电池管理
多选
封装
- TO-252
- SOT-23(TO-236)
- TO-220F
- DFN-8(3x3)
- TOLL-8L
- SOD-323(SC-90)
- SOD-123
- DFN-8(5x6)
- SOD-523(SC-79)
- TO-220
- TO-251
- PDFN5x6-8L
- SMA(DO-214AC)
- PDFN3x3
- TO-247
- TO-263
- SOP-8
- SOT-23-6
- TO-3P
- SMB(DO-214AA)
多选

综合排序

价格

总库存

销量

价格/库存筛选

现货

折扣

数据手册

自营结果数423

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

耐压:100V 电流:38A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495192

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 38A

导通电阻(RDS(on)): 11.6mΩ@10V,20A

耗散功率(Pd): 32W

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.66098
50+￥1.287535
150+￥1.12746
500+￥0.92777
2500+￥0.83885
5000+￥0.78546

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3725

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

电压:100V 电流:40A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-220

类目: 肖特基二极管

编号: C5143116

正向压降(Vf): 800mV@20A

直流反向耐压(Vr): 100V

整流电流: 40A

反向电流(Ir): 50uA@100V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2590

5+￥1.7998
50+￥1.3588
150+￥1.1899
500+￥0.9791
2000+￥0.8853
5000+￥0.829

现货最快4小时发货

广东仓: 2590

江苏仓: 8510

50个/管

个

总额￥0

近期成交47单

1个N沟道耐压:30V 电流:100A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5143197

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 3.4mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7082

9.5折

5+￥0.78527
50+￥0.62111
150+￥0.53903
500+￥0.47747
2500+￥0.40774
5000+￥0.38304

现货最快4小时发货

广东仓: 6310

江苏仓: 475

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交69单

N沟道MOSFET

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C33129541

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 69A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6356

5+￥2.0762
50+￥1.6176
150+￥1.421
500+￥1.1758
2500+￥1.0666
5000+￥1.001

现货最快4小时发货

广东仓: 6340

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交18单

1个N沟道耐压:650V 电流:15A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5143205

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 230mΩ@10V,7.5A

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

1+￥4.5885
10+￥4.142
30+￥3.8855
100+￥3.61
500+￥3.4865
1000+￥3.4295

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2146

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

1个N沟道耐压:100V 电流:399A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6533572

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 399A

导通电阻(RDS(on)): 1.1mΩ@10V,50A

描述电压VDSS 100V,导通电阻Rds1.1毫欧，电荷量Qg131nC，电流ID 399A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存855

1+￥13.08
10+￥11.09
30+￥9.85
100+￥8.22
500+￥7.65
1000+￥7.4

现货最快4小时发货

广东仓: 742

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交76单

耐压:500V 电流:5A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5143155

漏源电压(Vdss): 500V

连续漏极电流(Id): 5A

导通电阻(RDS(on)): 1.2Ω@10V,2.5A

耗散功率(Pd): 50W

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2

9.5折

5+￥1.130785
50+￥0.889485
150+￥0.78603
500+￥0.65702
2500+￥0.57076
5000+￥0.53637

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3405

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

1个P沟道耐压:30V 电流:30A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495148

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 7.4mΩ@10V,15A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4012

9.5折

5+￥1.36553
50+￥1.063905
150+￥0.93461
500+￥0.7733
2500+￥0.70148
5000+￥0.65835

现货最快4小时发货

广东仓: 4010

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

1个N沟道耐压:60V 电流:300A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39832747

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 300A

导通电阻(RDS(on)): 1.2mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1391

1+￥6.53
10+￥5.42
30+￥4.8
100+￥4.11
500+￥3.8
1000+￥3.66

现货最快4小时发货

广东仓: 1215

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

电压:45V 电流:20A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-252

类目: 肖特基二极管

编号: C5143091

正向压降(Vf): 570mV@10A

直流反向耐压(Vr): 45V

整流电流: 20A

反向电流(Ir): 50uA@45V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3559

9.5折

5+￥0.831915
50+￥0.654075
150+￥0.565155
500+￥0.498465
2500+￥0.42294
5000+￥0.396245

现货最快4小时发货

广东仓: 3555

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

1个N沟道耐压:40V 电流:90A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN5X6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495184

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 4.2mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.337125
50+￥1.04994
150+￥0.92682
500+￥0.7733
2500+￥0.7049
5000+￥0.66386

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4655

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

2个N沟道耐压:40V 电流:40A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495161

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 10mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.648155
50+￥1.28421
150+￥1.128315
500+￥0.933755
2500+￥0.847115
5000+￥0.79515

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 5655

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

1个N沟道耐压:30V 电流:170A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495178

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 170A

导通电阻(RDS(on)): 1.35mΩ@10V

收藏
对比

9.5折

1+￥2.565
10+￥2.014
30+￥1.786
100+￥1.4915
500+￥1.3585
1000+￥1.273

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4811

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交31单

1个N沟道耐压:80V 电流:500A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6533567

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 80V

连续漏极电流(Id): 500A

导通电阻(RDS(on)): 0.7mΩ@10V,50A

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥14.6
10+￥12.17
30+￥10.65
100+￥8.74
500+￥8.03
1000+￥7.73

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1855

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

耐压:40V 电流:15A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495153

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@10V,15A

耗散功率(Pd): 25W

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥0.82707
50+￥0.65379
150+￥0.56715
500+￥0.50217
2500+￥0.450205
5000+￥0.424175

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4625

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交3单

1个N沟道耐压:40V 电流:45A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495136

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@10V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥0.958645
50+￥0.752685
150+￥0.664525
500+￥0.55442
2500+￥0.5054
5000+￥0.47595

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3410

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

耐压:30V 电流:65A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495127

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 65A

导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@10V,20A

耗散功率(Pd): 65W

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥0.82707
50+￥0.65379
150+￥0.56715
500+￥0.50217
2500+￥0.450205
5000+￥0.424175

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4830

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

N沟道MOSFET

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42401882

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 6.1mΩ@10V

收藏
对比

5+￥2.38
50+￥1.88
150+￥1.66
500+￥1.4

现货最快4小时发货

广东仓: 2370

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

N沟道MOSFET，100V、1.2mΩ、399A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42375297

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 399A

导通电阻(RDS(on)): 1.4mΩ@10V

耗散功率(Pd): 455W

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1616

1+￥11.45
10+￥9.64
30+￥8.51
100+￥7.35
500+￥6.83
1000+￥6.6

现货最快4小时发货

广东仓: 1516

江苏仓: 23

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交30单

1个N沟道耐压:30V 电流:25A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495159

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 7.5mΩ@10V,25A

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥0.718295
50+￥0.567815
150+￥0.492575
500+￥0.436145
2500+￥0.39102
5000+￥0.36841

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 5000

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交12单

电压:150V 电流:20A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-220

类目: 肖特基二极管

编号: C5143098

正向压降(Vf): 850mV@10A

直流反向耐压(Vr): 150V

整流电流: 20A

反向电流(Ir): 50uA@150V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2490

9.5折

5+￥1.18883
50+￥0.91029
150+￥0.80351
500+￥0.670415
2000+￥0.611135
5000+￥0.575605

现货最快4小时发货

广东仓: 2490

50个/管

个

总额￥0

近期成交8单

NPN 电流:8A 电压:400V

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-220

类目: 三极管(BJT)

编号: C5143125

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 8A

集射极击穿电压(Vceo): 400V

耗散功率(Pd): 80W

描述集电极－基极反向击穿电压700V,集电极－发射极反向击穿电压400V,放大系数8-40，集电极电流IC8A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存773

9.5折

5+￥1.36857
50+￥1.041675
150+￥0.91656
500+￥0.76038
2000+￥0.69084
5000+￥0.649135

现货最快4小时发货

广东仓: 770

50个/管

个

总额￥0

近期成交34单

耐压:100V 电流:38A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3X3-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495145

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 38A

导通电阻(RDS(on)): 11.6mΩ@10V,20A

耗散功率(Pd): 32W

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对比

SMT扩展库

5+￥1.8098
50+￥1.4211
150+￥1.2545
500+￥1.0466
2500+￥0.9541
5000+￥0.8985

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4345

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

电压:200V 电流:30A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TO-220F

类目: 肖特基二极管

编号: C5143114

正向压降(Vf): 920mV@15A

直流反向耐压(Vr): 200V

整流电流: 30A

反向电流(Ir): 50uA@200V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2434

5+￥1.9133
50+￥1.4621
150+￥1.2893
500+￥1.0737
2000+￥0.9777
5000+￥0.92

现货最快4小时发货

广东仓: 2430

50个/管

个

总额￥0

近期成交11单

1个N沟道耐压:85V 电流:220A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39832749

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 220A

导通电阻(RDS(on)): 2.5mΩ@10V,30A

收藏
对比

SMT扩展库

1+￥6.36
10+￥5.21
30+￥4.57
100+￥3.86
500+￥3.54
1000+￥3.4

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1919

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:100V 电流:250A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6533570

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 250A

导通电阻(RDS(on)): 2.2mΩ@10V,20A

描述电压VDSS 100V,导通电阻Rds2.2毫欧，电荷量Qg131nC，电流ID 250A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1564

1+￥7.91
10+￥6.54
30+￥5.79
100+￥4.94
500+￥4.56
1000+￥4.39

现货最快4小时发货

广东仓: 1564

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

1个N沟道耐压:150V 电流:226A

品牌: MOT(仁懋)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6533578

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 226A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V,50A

描述电压VDSS150V,导通电阻Rds3毫欧，电流ID226A,

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存33

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广东仓: 31

江苏仓: 256

2000个/圆盘

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近期成交31单

NPN 电压:25V

品牌: MOT(仁懋)

封装: SOT-23

类目: 三极管(BJT)

编号: C5143143

晶体管类型: NPN

集电极电流(Ic): 1.5A

集射极击穿电压(Vceo): 25V

耗散功率(Pd): 300mW

描述集电极－基极反向击穿电压40V,集电极－发射极反向击穿电压25V,集电极电流IC1500mA,

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SMT补贴嘉立创库存8272

50+￥0.0543
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24000+￥0.0252
51000+￥0.0231

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广东仓: 3950

江苏仓: 9850

3000个/圆盘

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总额￥0

近期成交100单+

耐压:20V 电流:55A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3x3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495121

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 5.2mΩ@4.5V,20A

耗散功率(Pd): 30W

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150+￥0.381235
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广东仓: 5340

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近期成交10单

1个N沟道耐压:20V 电流:60A

品牌: MOT(仁懋)

封装: PDFN3x3

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7495122

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 4.6mΩ@4.5V,30A

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9.5折

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江苏仓: 3635

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近期成交5单