AGMSEMI(芯控源)
进入品牌官网深圳市芯控源电子科技有限公司成立于2015年，主要生产机械设备、电子产品、计算机及软件辅助设备、通讯设备和集成电路。
- 类目
- 场效应管(MOSFET)
- IGBT管/模块
多选 - 封装
- DFN-8(5x6)
- TO-252
- DFN-8(3.3x3.3)
- TO-220
- SOP-8
- SOT-23(TO-236)
- TO-263
- TO-220F
- TOLL-8L
- SOT-23-6
- TO-247
- TO-252-4
- DFN-6(2x2)
- DFN-8(2x2)
- DFN-8(3x3)
- PDFN(5x6)
- SOT-89
- TO-251
- QFN-8(5x6)
- QFN-8-EP(3.3x3.3)
多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数609
型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 300A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2mΩ@10V,50A
描述AGM015N10LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存6790
9折
- ￥10.62
- ￥9.027
- ￥8.019
- ￥6.561
- ￥6.102
- ￥5.895
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 6528
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交75单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 45A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.7mΩ@10V
描述AGM405AP1将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4511
9折
- ￥1.21527
- ￥0.96579
- ￥0.85887
- ￥0.72549
- ￥0.61983
- ￥0.5841
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4270
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交74单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 50A
- 导通电阻(RDS(on))
- 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V
描述AGM612AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存12K+
9折
- ￥1.29249
- ￥1.02033
- ￥0.90369
- ￥0.75816
- ￥0.67617
- ￥0.6372
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 11K+
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交33单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 110A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.1mΩ@10V；6.2mΩ@4.5V
描述AGM042N10D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存3425
9.2折
- ￥3.1924
- ￥2.5852
- ￥2.2816
- ￥1.978
- ￥1.7664
- ￥1.6744
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3284
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交52单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 130A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.6mΩ@10V
描述AGM40P100A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存3917
9折
- ￥3.492
- ￥2.817
- ￥2.52
- ￥2.16
- ￥1.701
- ￥1.602
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 3642
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交45单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 112A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3mΩ@10V
描述AGM035N10A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4239
9折
- ￥4.815
- ￥3.969
- ￥3.537
- ￥3.114
- ￥2.457
- ￥2.331
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- 广东仓
- 3229
- 江苏仓
- 1
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交51单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 46A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.7mΩ@10V；9.5mΩ@4.5V
描述通用料，Vds=30V Id=46A Rds=5.8mΩ(8.0mΩ最大)DFN3.3*3.3封装；
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存6501
9折
- ￥0.81261
- ￥0.64845
- ￥0.56637
- ￥0.50481
- ￥0.43506
- ￥0.4104
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 6500
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交21单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5.5mΩ@10V
描述AGM30P05AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存9730
- ￥1.2903
- ￥1.0131
- ￥0.8943
- ￥0.7461
- ￥0.6612
- ￥0.6215
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 9370
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单+
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 55A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.8mΩ@10V
描述通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=40V Id=55A Rds=5.7mΩ(8.0mΩ最大)DFN5x6封装；
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存6521
9折
- ￥1.38771
- ￥1.11546
- ￥0.99882
- ￥0.85329
- ￥0.67626
- ￥0.63738
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 6295
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交65单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 120A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.3mΩ@10V
描述BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5*6封装；
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存8463
9.5折
- ￥2.215115
- ￥1.760255
- ￥1.565315
- ￥1.20023
- ￥1.09193
- ￥1.02695
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 7715
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交53单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 8.2mΩ@10V；10mΩ@4.5V
描述AGM60P90D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1799
9.2折
- ￥3.2108
- ￥2.576
- ￥2.254
- ￥1.9412
- ￥1.8308
- ￥1.7388
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1742
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交44单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 120V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.8mΩ@10V
描述通用料（ 低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=120V Id=100A Rds=5.5mΩ(7.0mΩ最大)DFN5x6封装；
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1507
9折
- ￥5.058
- ￥4.122
- ￥3.663
- ￥3.195
- ￥2.709
- ￥2.565
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1465
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交39单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 180A
- 导通电阻(RDS(on))
- 5mΩ@10V
描述AGM15T05LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2521
9.5折
- ￥9.975
- ￥8.303
- ￥7.3815
- ￥6.3365
- ￥5.586
- ￥5.377
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 2521
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交10单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 220A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.1mΩ@10V
描述AGM15T03LL将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2473
9.2折
- ￥13.4412
- ￥11.4448
- ￥10.1936
- ￥8.1144
- ￥7.544
- ￥7.2864
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 2341
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交29单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 35A
- 导通电阻(RDS(on))
- 17mΩ@10V
描述AGM18N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存8562
- ￥1.0551
- ￥0.8495
- ￥0.7614
- ￥0.6515
- ￥0.6413
- ￥0.6119
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 7620
- 江苏仓
- 2125
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交88单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 200V
- 连续漏极电流(Id)
- 12A
- 导通电阻(RDS(on))
- 500mΩ@10V
描述AGM500P20D将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存11K+
- ￥1.68
- ￥1.3274
- ￥1.1763
- ￥0.9877
- ￥0.827
- ￥0.7766
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 11K+
- 江苏仓
- 2160
2500个/圆盘
个
总额￥0
近期成交48单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 55A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9.3mΩ@10V
描述AGM12N10AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4432
- ￥2.0527
- ￥1.6092
- ￥1.4191
- ￥1.182
- ￥1.0138
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4310
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交81单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 90A
- 导通电阻(RDS(on))
- 9.6mΩ@10V；13mΩ@4.5V
描述AGM60P90A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2832
9.5折
- ￥2.926
- ￥2.3085
- ￥2.033
- ￥1.7005
- ￥1.5485
- ￥1.463
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 2793
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交54单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 100V
- 连续漏极电流(Id)
- 100A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.7mΩ@10V
描述通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=100V Id=100A Rds=4.7mΩ(6.5mΩ最大)DFN5x6封装；
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1345
9.2折
- ￥3.91
- ￥3.2292
- ￥2.8888
- ￥2.5576
- ￥1.9688
- ￥1.8676
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1297
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 150V
- 连续漏极电流(Id)
- 160A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6mΩ@10V
描述AGM15T06H 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可提供极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2047
9.5折
- ￥8.2745
- ￥6.9065
- ￥6.156
- ￥5.301
- ￥4.921
- ￥4.75
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1980
800个/圆盘
个
总额￥0
近期成交19单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 10A
- 导通电阻(RDS(on))
- 65mΩ@10V
描述AGM60P20R将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存10K+
- ￥0.7809
- ￥0.6129
- ￥0.5289
- ￥0.4659
- ￥0.4138
- ￥0.3885
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 7740
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交67单
- 数量
- 1个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 60A
- 导通电阻(RDS(on))
- 7.2mΩ@10V；11.5mΩ@4.5V
描述AGM30P08AP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存5139
- ￥1.156
- ￥0.9139
- ￥0.8101
- ￥0.6807
- ￥0.6016
- ￥0.567
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 5105
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交78单
- 数量
- 2个P沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 30V
- 连续漏极电流(Id)
- 21A
- 导通电阻(RDS(on))
- 12.3mΩ@10V
描述AGM30P14MBP将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存6644
- ￥1.408
- ￥1.1056
- ￥0.976
- ￥0.8143
- ￥0.7423
- ￥0.699
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 6350
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交33单
- 漏源电压(Vdss)
- 40V
- 连续漏极电流(Id)
- 125A
- 导通电阻(RDS(on))
- 3.5mΩ@4.5V；2.3mΩ@10V
- 阈值电压(Vgs(th))
- 2.2V@250uA
描述类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：125A 功率(Pd)：74W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.3mΩ@10V,20A 栅极电荷(Qg@Vgs)：23nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.605nF@20V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
- 收藏
- 对比
9.5折
- ￥1.783435
- ￥1.400395
- ￥1.236235
- ￥1.031415
- ￥0.940215
- ￥0.8854
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4980
- 江苏仓
- 5
5000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交10单
- 漏源电压(Vdss)
- 85V
- 连续漏极电流(Id)
- 142A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.8mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 288W
描述AGMH056N08A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存4721
9.5折
- ￥2.565
- ￥2.033
- ￥1.8145
- ￥1.5295
- ￥1.311
- ￥1.235
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 4711
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交17单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 80A
- 导通电阻(RDS(on))
- 4.6mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V
描述AGM6014A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1779
9.5折
- ￥2.6695
- ￥2.147
- ￥1.919
- ￥1.634
- ￥1.5105
- ￥1.235
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1719
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交100单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 85V
- 连续漏极电流(Id)
- 170A
- 导通电阻(RDS(on))
- 2.8mΩ@10V
描述AGM028N08A将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，以提供极低的RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存1369
9.5折
- ￥4.845
- ￥3.9045
- ￥3.4295
- ￥2.964
- ￥2.622
- ￥2.4795
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 1358
3000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交28单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 85V
- 连续漏极电流(Id)
- 385A
- 导通电阻(RDS(on))
- 1.2mΩ@10V
描述AGM01T08LL 将先进的沟槽 MOSFET 技术与低电阻封装相结合，可实现极低的 RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存803
9.2折
- ￥9.3564
- ￥7.7648
- ￥6.9
- ￥5.6396
- ￥5.2072
- ￥5.0048
现货最快4小时发货
- 广东仓
- 762
2000个/圆盘
个
总额￥0
近期成交6单
- 数量
- 1个N沟道
- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 58A
- 导通电阻(RDS(on))
- 6.2mΩ@10V
描述AGM605Q将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可实现极低的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
- 收藏
- 对比
SMT扩展库
SMT补贴嘉立创库存2352
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- 漏源电压(Vdss)
- 60V
- 连续漏极电流(Id)
- 30A
- 导通电阻(RDS(on))
- 26mΩ@-10V；14mΩ@10V
- 耗散功率(Pd)
- 51W
描述类型：一个N沟道一个P沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：30A/-30A 功率(Pd)：51W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：14mΩ@10V,15A;46mΩ@-10V,-15A ; 栅极电荷(Qg@Vgs)：50nC@10V;68nC@-10V 输入电容(Ciss@Vds)：1480pF@30V;3600pF@-30V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
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