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AGMSEMI(芯控源)

AGMSEMI(芯控源)

进入品牌官网

深圳市芯控源电子科技有限公司成立于2015年,主要生产机械设备、电子产品、计算机及软件辅助设备、通讯设备和集成电路。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • IGBT管/模块
    多选
  • 封装
    • DFN-8(5x6)
    • TO-252
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • TO-220
    • SOP-8
    • SOT-23(TO-236)
    • TO-263
    • TO-220F
    • TOLL-8L
    • SOT-23-6
    • TO-247
    • TO-252-4
    • DFN-6(2x2)
    • DFN-8(2x2)
    • DFN-8(3x3)
    • PDFN(5x6)
    • SOT-89
    • TO-251
    • QFN-8(5x6)
    • QFN-8-EP(3.3x3.3)
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数609
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
AGM30P05AP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6719406
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
5.5mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 1.2903
  • 1.0131
  • 0.8943
  • 0.7461
  • 0.6612
  • 0.6215
现货最快4小时发货
广东仓
10K+

5000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个P沟道 耐压:200V 电流:12A
AGM500P20D
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C17701063
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
200V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
500mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 1.68
  • 1.3274
  • 1.1763
  • 0.9877
  • 0.827
  • 0.7766
现货最快4小时发货
广东仓
11K+
江苏仓
2810

2500/圆盘

总额0

近期成交51单

1个P沟道 耐压:60V 电流:140A
AGM60P100A
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5373096
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
140A
导通电阻(RDS(on))
5.5mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5893
9.5
  • 4.8925
  • 3.952
  • 3.477
  • 3.0115
  • 2.641
  • 2.4985
现货最快4小时发货
广东仓
5837

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

1个N沟道 耐压:100V 电流:300A
AGM015N10LL
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
TOLL-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5297508
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
300A
导通电阻(RDS(on))
1.2mΩ@10V,50A
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4333
9
  • 10.62
  • 9.027
  • 8.019
  • 6.561
  • 6.102
  • 5.904
现货最快4小时发货
广东仓
3978

2000/圆盘

总额0

近期成交81单

1个N沟道 耐压:60V 电流:72A
AGM6014AP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6719405
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
72A
导通电阻(RDS(on))
4.3mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
9
  • 2.133
  • 1.674
  • 1.485
  • 1.215
  • 1.107
  • 1.044
现货最快4小时发货
广东仓
10K+

5000/圆盘

总额0

近期成交44单

1个P沟道 耐压:30V 电流:60A
AGM30P08AP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5349152
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
60A
导通电阻(RDS(on))
7.2mΩ@10V;11.5mΩ@4.5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5660
  • 1.156
  • 0.9139
  • 0.8101
  • 0.6807
  • 0.6016
  • 0.567
现货最快4小时发货
广东仓
5660

5000/圆盘

总额0

近期成交73单

1个N沟道 耐压:40V 电流:45A
AGM405AP1
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5340050
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
45A
导通电阻(RDS(on))
5.7mΩ@10V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6366
9
  • 1.21527
  • 0.96579
  • 0.85887
  • 0.72549
  • 0.61983
  • 0.5841
现货最快4小时发货
广东仓
6030

5000/圆盘

总额0

近期成交83单

1个N沟道 耐压:60V 电流:50A
AGM612AP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5349119
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
50A
导通电阻(RDS(on))
11mΩ@10V;15mΩ@4.5V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+
9
  • 1.29249
  • 1.02033
  • 0.90369
  • 0.75816
  • 0.67617
  • 0.6372
现货最快4小时发货
广东仓
12K+

5000/圆盘

总额0

近期成交37单

1个N沟道+1个P沟道 耐压:60V 电流:21A
AGM628MAP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22364308
数量
1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
21A
导通电阻(RDS(on))
30mΩ@10V;44mΩ@10V
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  • 对比

SMT扩展库

  • 1.4182
  • 1.1158
  • 0.9862
  • 0.8245
  • 0.7315
  • 0.6883
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
8150

5000/圆盘

总额0

近期成交25单

1个N沟道 耐压:100V 电流:55A
AGM12N10AP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN3.3x3.3-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C17701055
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
55A
导通电阻(RDS(on))
9.3mΩ@10V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3387
  • 2.0527
  • 1.6092
  • 1.4191
  • 1.182
  • 1.0138
现货最快4小时发货
广东仓
3305

5000/圆盘

总额0

近期成交75单

1个P沟道 耐压:40V 电流:130A
AGM40P100A
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN5x6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5297499
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
130A
导通电阻(RDS(on))
4.6mΩ@10V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4687
9
  • 3.393
  • 2.736
  • 2.457
  • 2.106
  • 1.656
  • 1.557
现货最快4小时发货
广东仓
4526

3000/圆盘

总额0

近期成交46单

1个N沟道 耐压:100V 电流:112A
AGM035N10A
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN5x6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5297509
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
112A
导通电阻(RDS(on))
3mΩ@10V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3621
9
  • 4.743
  • 3.906
  • 3.492
  • 3.069
  • 2.421
  • 2.295
现货最快4小时发货
广东仓
3621
江苏仓
1

3000/圆盘

总额0

近期成交47单

1个N沟道 耐压:120V 电流:100A
AGM12T05A
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5184856
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
120V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
4.8mΩ@10V

描述通用料( 低压MOSFET 电源、储能电源等),Vds=120V Id=100A Rds=5.5mΩ(7.0mΩ最大)DFN5x6封装;

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1605
9
  • 5.058
  • 4.122
  • 3.663
  • 3.195
  • 2.709
  • 2.565
现货最快4小时发货
广东仓
1553

3000/圆盘

总额0

近期成交52单

1个N沟道 耐压:150V 电流:220A
AGM15T03LL
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
TOLL-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C17701044
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
220A
导通电阻(RDS(on))
3.1mΩ@10V
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1172
9.2
  • 13.4412
  • 11.4448
  • 10.1936
  • 8.1144
  • 7.544
  • 7.2864
现货最快4小时发货
广东仓
957

2000/圆盘

总额0

近期成交23单

2个N沟道 耐压:100V 电流:35A
AGM18N10MNA
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C42372674
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
35A
导通电阻(RDS(on))
25mΩ@4.5V

描述类型:双N沟道 漏源电压(Vdss):100V连续漏极电流(Id):35A功率(Pd):50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id:18mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.6@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):26nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.08nF@50V ,工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3025
  • 2.1273
  • 1.6737
  • 1.4793
  • 1.2368
  • 1.0568
现货最快4小时发货
广东仓
3025

3000/圆盘

总额0

近期成交28单

1个N沟道 耐压:40V 电流:120A
AGM403A1
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5184861
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
40V
连续漏极电流(Id)
120A
导通电阻(RDS(on))
2.3mΩ@10V

描述BLDC(无刷电机)推荐料,Vds=40V Id=120A Rds=2.7mΩ(3.6mΩ最大)DFN5*6封装;

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1411
9.5
  • 2.215115
  • 1.760255
  • 1.565315
  • 1.20023
  • 1.09193
  • 1.02695
现货最快4小时发货
广东仓
1410

3000/圆盘

总额0

近期成交33单

耐压:85V 电流:142A
AGMH056N08A
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19193068
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
142A
导通电阻(RDS(on))
4.8mΩ@10V
耗散功率(Pd)
288W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2218
9.5
  • 2.565
  • 2.033
  • 1.8145
  • 1.5295
  • 1.311
  • 1.235
现货最快4小时发货
广东仓
2218

3000/圆盘

总额0

近期成交27单

1个N沟道 耐压:60V 电流:80A
AGM6014A
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5349120
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
80A
导通电阻(RDS(on))
4.6mΩ@10V;6.5mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3192
9.5
  • 2.6695
  • 2.147
  • 1.919
  • 1.634
  • 1.5105
  • 1.235
现货最快4小时发货
广东仓
3145

3000/圆盘

总额0

近期成交98单

1个P沟道 耐压:60V 电流:90A
AGM60P90A
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5373095
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
60V
连续漏极电流(Id)
90A
导通电阻(RDS(on))
9.6mΩ@10V;13mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3780
9.5
  • 2.926
  • 2.3085
  • 2.033
  • 1.7005
  • 1.5485
  • 1.463
现货最快4小时发货
广东仓
3717

3000/圆盘

总额0

近期成交54单

1个N沟道 耐压:100V 电流:110A
AGM042N10D
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5447818
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
110A
导通电阻(RDS(on))
4.1mΩ@10V;6.2mΩ@4.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2830
9.2
  • 3.1924
  • 2.5852
  • 2.2816
  • 1.978
  • 1.7664
  • 1.6744
现货最快4小时发货
广东仓
2830

2500/圆盘

总额0

近期成交52单

1个N沟道 耐压:150V 电流:99A
AGM15T13D
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19193078
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
99A
导通电阻(RDS(on))
9mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2642
  • 5.02
  • 4.07
  • 3.6
  • 3.13
  • 3.04
  • 2.9
现货最快4小时发货
广东仓
2642

2500/圆盘

总额0

近期成交35单

1个N沟道 耐压:150V 电流:160A
AGM15T06H
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C6719418
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
160A
导通电阻(RDS(on))
6mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1438
9.5
  • 8.2745
  • 6.9065
  • 6.156
  • 5.301
  • 4.921
  • 4.75
现货最快4小时发货
广东仓
1438

800/圆盘

总额0

近期成交18单

1个P沟道 耐压:100V 电流:4.3A
AGM01P15E
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
SOT-23-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C20625929
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
4.3A
导通电阻(RDS(on))
270mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1466
  • 0.6804
  • 0.5412
  • 0.4716
  • 0.4194
  • 0.3559
  • 0.335
现货最快4小时发货
广东仓
1465
江苏仓
5495

3000/圆盘

总额0

近期成交56单

1个N沟道 耐压:100V 电流:35A
AGM18N10AP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7509649
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
35A
导通电阻(RDS(on))
17mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 1.063
  • 0.8558
  • 0.7671
  • 0.6563
  • 0.6461
  • 0.6165
现货最快4小时发货
广东仓
10K+
江苏仓
3830

5000/圆盘

总额0

近期成交70单

1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
AGM14N10AP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN3.3x3.3-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7466535
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
40A
导通电阻(RDS(on))
12mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4142
9.5
  • 1.654045
  • 1.2901
  • 1.134205
  • 0.939645
  • 0.867445
  • 0.815385
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5000/圆盘

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近期成交19单

1个N沟道 耐压:30V 电流:139A
AGM3012AP-CP
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN-8(3.3x3.3)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22400167
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
139A
导通电阻(RDS(on))
1.1mΩ@10V
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5000/圆盘

总额0

近期成交23单

N+N沟道 30V 110A 3.5mΩ
AGM303MNA
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C41349459
数量
2个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
110A
导通电阻(RDS(on))
5.5mΩ@10V
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3000/圆盘

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近期成交4单

1个N沟道 耐压:150V 电流:180A
AGM15T05LL
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
TOLL-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18221382
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
150V
连续漏极电流(Id)
180A
导通电阻(RDS(on))
5mΩ@10V
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2000/圆盘

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近期成交10单

1个N沟道 耐压:85V 电流:170A
AGM028N08A
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
PDFN5x6-8L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5381835
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
85V
连续漏极电流(Id)
170A
导通电阻(RDS(on))
2.8mΩ@10V
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3000/圆盘

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近期成交20单

1个N沟道 耐压:120V 电流:125A
AGMH12H05H
品牌
AGMSEMI(芯控源)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7509635
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
120V
连续漏极电流(Id)
125A
导通电阻(RDS(on))
4.5mΩ@10V
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800/圆盘

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