AGMSEMI(芯控源)

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深圳市芯控源电子科技有限公司成立于2015年，主要生产机械设备、电子产品、计算机及软件辅助设备、通讯设备和集成电路。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- IGBT管/模块
多选
封装
- DFN-8(5x6)
- TO-252
- DFN-8(3.3x3.3)
- TO-220
- SOP-8
- SOT-23(TO-236)
- TO-263
- TO-220F
- TOLL-8L
- SOT-23-6
- TO-247
- TO-252-4
- DFN-6(2x2)
- DFN-8(2x2)
- DFN-8(3x3)
- PDFN(5x6)
- SOT-89
- TO-251
- QFN-8(5x6)
- QFN-8-EP(3.3x3.3)
多选

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数据手册

自营结果数609

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

AGM30P05AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6719406

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

5+￥1.2903
50+￥1.0131
150+￥0.8943
500+￥0.7461
2500+￥0.6612
5000+￥0.6215

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

AGM500P20D

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701063

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 12A

导通电阻(RDS(on)): 500mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+

5+￥1.68
50+￥1.3274
150+￥1.1763
500+￥0.9877
2500+￥0.827
5000+￥0.7766

现货最快4小时发货

广东仓: 11K+

江苏仓: 2810

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交51单

AGM60P100A

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5373096

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 140A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V；6.5mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5893

9.5折

1+￥4.8925
10+￥3.952
30+￥3.477
100+￥3.0115
500+￥2.641
1000+￥2.4985

现货最快4小时发货

广东仓: 5837

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交100单+

AGM015N10LL

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5297508

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 300A

导通电阻(RDS(on)): 1.2mΩ@10V,50A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4333

9折

1+￥10.62
10+￥9.027
30+￥8.019
100+￥6.561
500+￥6.102
1000+￥5.904

现货最快4小时发货

广东仓: 3978

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交81单

AGM6014AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6719405

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 72A

导通电阻(RDS(on)): 4.3mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+

9折

5+￥2.133
50+￥1.674
150+￥1.485
500+￥1.215
2500+￥1.107
5000+￥1.044

现货最快4小时发货

广东仓: 10K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交44单

AGM30P08AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5349152

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 60A

导通电阻(RDS(on)): 7.2mΩ@10V；11.5mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5660

5+￥1.156
50+￥0.9139
150+￥0.8101
500+￥0.6807
2500+￥0.6016
5000+￥0.567

现货最快4小时发货

广东仓: 5660

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交73单

AGM405AP1

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5340050

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 45A

导通电阻(RDS(on)): 5.7mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6366

9折

5+￥1.21527
50+￥0.96579
150+￥0.85887
500+￥0.72549
2500+￥0.61983
5000+￥0.5841

现货最快4小时发货

广东仓: 6030

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交83单

AGM612AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5349119

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 11mΩ@10V；15mΩ@4.5V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存13K+

9折

5+￥1.29249
50+￥1.02033
150+￥0.90369
500+￥0.75816
2500+￥0.67617
5000+￥0.6372

现货最快4小时发货

广东仓: 12K+

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交37单

AGM628MAP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22364308

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 21A

导通电阻(RDS(on)): 30mΩ@10V；44mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

5+￥1.4182
50+￥1.1158
150+￥0.9862
500+￥0.8245
2500+￥0.7315
5000+￥0.6883

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 8150

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

AGM12N10AP

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN3.3x3.3-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701055

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 9.3mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3387

5+￥2.0527
50+￥1.6092
150+￥1.4191
500+￥1.182
2500+￥1.0138

现货最快4小时发货

广东仓: 3305

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交75单

AGM40P100A

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5297499

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 130A

导通电阻(RDS(on)): 4.6mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4687

9折

1+￥3.393
10+￥2.736
30+￥2.457
100+￥2.106
500+￥1.656
1000+￥1.557

现货最快4小时发货

广东仓: 4526

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交46单

AGM035N10A

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN5x6-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5297509

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 112A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3621

9折

1+￥4.743
10+￥3.906
30+￥3.492
100+￥3.069
500+￥2.421
1000+￥2.295

现货最快4小时发货

广东仓: 3621

江苏仓: 1

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交47单

AGM12T05A

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5184856

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 4.8mΩ@10V

描述通用料（低压MOSFET 电源、储能电源等）,Vds=120V Id=100A Rds=5.5mΩ(7.0mΩ最大)DFN5x6封装；

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1605

9折

1+￥5.058
10+￥4.122
30+￥3.663
100+￥3.195
500+￥2.709
1000+￥2.565

现货最快4小时发货

广东仓: 1553

3000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交52单

AGM15T03LL

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C17701044

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 220A

导通电阻(RDS(on)): 3.1mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1172

9.2折

1+￥13.4412
10+￥11.4448
30+￥10.1936
100+￥8.1144
500+￥7.544
1000+￥7.2864

现货最快4小时发货

广东仓: 957

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

AGM18N10MNA

品牌: AGMSEMI(芯控源)

封装: PDFN5x6-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42372674

数量: 2个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 35A

导通电阻(RDS(on)): 25mΩ@4.5V

描述类型：双N沟道漏源电压(Vdss)：100V连续漏极电流（Id）：35A功率(Pd）：50W导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id：18mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.6@250uA 栅极电荷（Qg@Vgs）：26nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.08nF@50V ,工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)