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Long-Tek(龙夏)

Long-Tek(龙夏)

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福建龙夏电子科技有限公司,是福建省重点扶持的半导体科技企业,龙岩市首家集成电路设计和封装测试企业。拥有国际一流、国内领先的功率器件芯片研发能力,同时拥有封装制造和芯片销售的高新技术企业。公司研发团队现有博士1名,硕士4名,2018年公司入选第六批福建省引才“百人计划”企业创新团队。公司总部位于福建省龙岩国家经济技术开发区(高新区), 占地1500 ㎡,建有功率器件芯片CP测试净化车间和成品测试实验室,在上海、深圳设有服务于华南和华东市场的办事处。在晶圆代工方面和国内外知名晶圆厂形成战略合作,尤其在 SGT MOS 和 LOW VF沟槽SBD(TMBS)进口替代方面取得显著成果。 福建龙夏电子研发团队致力于动力锂电池保护、新能源汽车电子、消费电子、电动工具等领域的功率器件新产品的研发。主要销售功率器件芯片种类有 MOSFET、SBD 芯片,提供6寸和8寸晶圆,以及不同封装形式成品。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
  • 封装
    • TO-220
    • TO-263
    • TOLL-8L
    • DFN(5x6)
    • TO-247
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  • 型号/品牌/封装/类目

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  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

LR067N08S8
LR067N08S8
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
DFN(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186608
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
连续漏极电流
80A
导通电阻
5.3mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比
LR046N08S8
LR046N08S8
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
DFN(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186610
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
连续漏极电流
100A
导通电阻
3.8mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比
耐压:80V 电流:80A
LR063N08S2
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186594
漏源电压
80V
连续漏极电流
80A
导通电阻
5.1mΩ
  • 收藏
  • 对比
LR032N08S2
LR032N08S2
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186598
漏源电压
80V
耗散功率
227W
  • 收藏
  • 对比
LR042N10S2
LR042N10S2
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186600
  • 收藏
  • 对比
LR065N08S3
LR065N08S3
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186586
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
耗散功率
158W
阈值电压
2V
  • 收藏
  • 对比
LR120N08SA3
LR120N08SA3
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186593
  • 收藏
  • 对比
LR032N08S10
LR032N08S10
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186604
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
连续漏极电流
200A
导通电阻
2.3mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比
LR049N08SA3
LR049N08SA3
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186588
  • 收藏
  • 对比
LR037N10S10
LR037N10S10
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186606
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
200A
导通电阻
3.1mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比
耐压:80V 电流:160A
LR032N08S1
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186601
漏源电压
80V
连续漏极电流
160A
导通电阻
2.6mΩ@10V,50A
耗散功率
284W
  • 收藏
  • 对比
LR041N08SA3
LR041N08SA3
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186589
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
连续漏极电流
120A
  • 收藏
  • 对比
LR045N10S3
LR045N10S3
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186592
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
120A
阈值电压
4V
  • 收藏
  • 对比
LR045N10S1
LR045N10S1
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186602
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
160A
导通电阻
3.5mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比
LR020N08S2
LR020N08S2
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186599
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
连续漏极电流
160A
  • 收藏
  • 对比
LR022N08S3
LR022N08S3
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186591
  • 收藏
  • 对比
LR020N08S10
LR020N08S10
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186605
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
连续漏极电流
240A
导通电阻
1.4mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比
LR022N10S10
LR022N10S10
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186607
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
240A
导通电阻
1.6mΩ@10V,50A
  • 收藏
  • 对比
LR055N08SA8
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
DFN(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186609
漏源电压
80V
连续漏极电流
90A
导通电阻
4.8mΩ@10V,50A
耗散功率
220W
  • 收藏
  • 对比
LR055N08SA3
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186587
漏源电压
80V
连续漏极电流
120A
导通电阻
4.7mΩ
  • 收藏
  • 对比
LR052N08SA2
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186595
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
连续漏极电流
120A
阈值电压
4V
  • 收藏
  • 对比
LR046N08SA2
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186596
数量
1个N沟道
漏源电压
80V
连续漏极电流
120A
栅极电荷量
67nC@10V
  • 收藏
  • 对比
LR038N08SA2
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186597
漏源电压
80V
连续漏极电流
120A
导通电阻
2.9mΩ
  • 收藏
  • 对比
LR035N08S3
品牌
Long-Tek(龙夏)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5186590
漏源电压
80V
连续漏极电流
120A
导通电阻
2.9mΩ
  • 收藏
  • 对比