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上海类比半导体技术有限公司核心团队主要来自行业领先的模拟设计公司德州仪器(Ti)和亚德诺(ADI)，平均具有超过15年的集成电路市场，设计，测试，运营，量产经验，拥有大量集成电路设计发明专利，公司的愿景是成为一流的模拟，混合信号设计公司，为国家的半导体产业添芯加瓦，为客户和员工实现价值。公司将专注于模拟，混合信号细分领域，持续耕耘，为市场提供可靠性一致性一流的产品，同时公司非常重视人才培养，如果你足够优秀，想不断挑战自我和实现自我，且认同公司的理念，欢迎加入我们。
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ADX111AMSOP10
  • ADX111AMSOP10
  • 品牌: analogysemi(类比半导体)
  • 封装: MSOP-10
  • 描述: 通道 2(4) 分辨率 16 数据输出速率 860 接口 I2C 输入类型 Diferential/Single-Ended 可编程增益放大器 8/4/2/1/0.5/0.33 温度传感器 No 工作温度范围 -40℃~125℃
  • 接口: I2C
  • 通道数: 2
  • 分辨率: 16位
  • 工作温度: -40℃~125℃
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    • CSA240LCSOIC8
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) ±15 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) ±0.6 最大增益误差(%) ±0.1 误差温漂ppm/?C ±6 共模抑制比(dB) 160 带宽(kHz) 550 静态电流(mA) 1.4
    • 放大器数: 单路
    • 共模电压: 6V~80V
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    • CSA220NASOT235
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT23-5
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) 5 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 50 静态电流(mA) 300
    • 放大器数: 单路
    • 共模电压: 0V~76V
    • 增益: 50V/V
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    ADX112AMSOP10
    • ADX112AMSOP10
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: MSOP-10
    • 描述: 通道 2(4) 分辨率 16 数据输出速率 860 接口 SPI 输入类型 Diferential/Single-Ended 可编程增益放大器 8/4/2/1/0.5/0.33 温度传感器 Yes 工作温度范围 -40℃~125℃
    • 接口: SPI
    • 通道数: 2
    • 分辨率: 16位
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    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT23-5
    • 描述: 通道 1 静态电流/通道(uA) 3.2 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 260 失调电压漂移(uV/℃) 1 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.065 压摆率(V/uS) 0.02 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 100 IN/OUT -40℃~125℃·
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    • OPA503ASOT235
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT23-5
    • 描述: 通道 1 静态电流/通道(uA) 0.57 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 210 失调电压漂移(uV/℃) 1.2 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.011 压摆率(V/uS) 0.003 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 214 IN/OUT -40℃~125℃·
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    • OPZ3022BSOIC8
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 通道 2 使能管脚 No 偏移电压(uV) ±10 温漂 ±0.03 共模抑制比(dB) 148 供电电压(V) 4.5-40 静态电流(uA) 600 带宽(kHz) 2200 压摆率(V/us) 3.8 噪声谱密度(nV/rtHz) 11.6 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
    • 输入失调电压(Vos): 10uV
    • 压摆率(SR): 3.8V/us
    • 工作电压: 4.5V~40V
    • 带宽(-3db): 2.2MHz
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    • CSA230MASOT235
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT23-5
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
    • 放大器数: 单路
    • 共模电压: 0V~76V
    • 增益: 20V/V
    • 供电电压: 2.7V~5.5V
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    通道 2(4) 分辨率 16 数据输出速率 860
    • 接口: SPI
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    • 分辨率: 16位
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    • OPA506ASOT236
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT23-6
    • 描述: 通道 1 静态电流/通道(uA) 3.2 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 260 失调电压漂移(uV/℃) 1 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.065 压摆率(V/uS) 0.02 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 100 IN/OUT -40℃~125℃·
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    • CSA231MATSSOP8
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: TSSOP-8
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
    • 放大器数: 单路
    • 共模电压: 0V~76V
    • 增益: 20V/V
    • 供电电压: 2.7V~5.5V
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    • CSA220LASOT235
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT-23-5
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) 5 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 50 静态电流(mA) 300
    • 放大器数: 单路
    • 共模电压: 0V~76V
    • 增益: 10V/V
    • 供电电压: 2.7V~5.5V
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    CSA240LQCSOIC8
    • 共模电压: -6V~80V
    • 供电电压: 2.7V~5.5V
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      ￥11.83
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    ADX923AQFN32
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    • CSD202CMSOP10
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: MSOP-10
    • 描述: 接口 I?C,SMBus 最大输入偏置电压(?V) ±2.5 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.02 最大增益误差（%） 0.1 增益温漂误差(ppm/?C) 20 共模抑制比(dB) 160 静态电流(?A) 330 分辨率(bits) 16
    • 共模电压: 0V~36V
    • 供电电压: 2.7V~5.5V
    • 工作温度: -40℃~+125℃
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    DR703QAQFN32
    • DR703QAQFN32
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: QFN-32
    • 描述: 单H桥驱动器 针对汽车应用的智能单H 桥驱动器， 可同时驱动四个外部N 沟道MOSFET 以实现双向有刷直 流电机
    • 负载类型: MOSFET
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    通道 2 偏移电压(uV) 300 温漂(uV/℃) ±800
    • OPA3052ASOIC8
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 通道 2 偏移电压(uV) 300 温漂(uV/℃) ±800 共模抑制比(dB) 133 供电电压(V) 4-36 静态电流(uA) 550 带宽(kHz) 2500 压摆率(V/us) 1.6 噪声谱密度(nV/rtHz) 17 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
    • 共模抑制比(CMRR): 133dB
    • 压摆率(SR): 1.6V/us
    • 工作电压: 4V~36V
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    • 接口: I2C
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    • OPZ1022BSOIC8
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 通道 2 使能管脚 No 偏移电压(uV) ±15 温漂 ±0.03 共模抑制比(dB) 154 供电电压(V) 4.5-40 静态电流(uA) 150 带宽(kHz) 300 压摆率(V/us) 0.8 噪声谱密度(nV/rtHz) 35 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
    • 输入失调电压(Vos): 15uV
    • 压摆率(SR): 0.8V/us
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    OPA504ASOT236
    • OPA504ASOT236
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT23-6
    • 描述: 通道 1 静态电流/通道(uA) 0.57 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 210 失调电压漂移(uV/℃) 1.2 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.011 压摆率(V/uS) 0.003 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 214 IN/OUT -40℃~125℃·
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    • CSA231LATSSOP8
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: TSSOP-8
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
    • 放大器数: 单路
    • 共模电压: 0V~76V
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    • OPZ503ASOT235
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT23-5
    • 描述: 通道 1 使能管脚 No 偏移电压(uV) ±10 温漂 ±0.03 共模抑制比(dB) 133 供电电压(V) 1.7-5.5 静态电流(uA) 3.9 带宽(kHz) 83 压摆率(V/us) 30 噪声谱密度(nV/rtHz) 93 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
    • 输入失调电压(Vos): 10uV
    • 压摆率(SR): 30V/us
    • 工作电压: 1.7V~5.5V
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    REF325SOT233
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    • CSA231NATSSOP8
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: TSSOP-8
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
    • 放大器数: 单路
    • 共模电压: 0V~76V
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    ADX920AQFN32
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    • CSA220MASOT235
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOT23-5
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) 5 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 50 静态电流(mA) 300
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    • CSA231LASOIC8
    • 品牌: analogysemi(类比半导体)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
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