
analogysemi(类比半导体)
上海类比半导体技术有限公司由来自德州仪器(Ti)和亚德诺(ADI)等领先模拟设计公司的资深团队创立,平均拥有超过15年的集成电路市场、设计、测试及运营经验。公司致力于成为一流的模拟与混合信号设计企业。主要生产模拟及混合信号芯片。
上海类比半导体技术有限公司由来自德州仪器(Ti)和亚德诺(ADI)等领先模拟设计公司的资深团队创立,平均拥有超过15年的集成电路市场、设计、测试及运营经验。公司致力于成为一流的模拟与混合信号设计企业。主要生产模拟及混合信号芯片。
描述最大输入偏置电压(?V) ±15 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) ±0.6 最大增益误差(%) ±0.1 误差温漂ppm/?C ±6 共模抑制比(dB) 160 带宽(kHz) 550 静态电流(mA) 1.4
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近期成交30单
描述最大输入偏置电压(?V) ±15 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) ±0.6 最大增益误差(%) ±0.1 误差温漂ppm/?C ±6 共模抑制比(dB) 160 带宽(kHz) 550 静态电流(mA) 1.4
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描述电流采样放大器 汽车级,具有增强型 PWM 抑制,双向超精密电流检测放大器
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近期成交24单
描述通道 1 增益类型 RG 增益 1-10000 工作温度范围
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描述最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
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描述接口 I?C,SMBus 最大输入偏置电压(?V) ±2.5 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.02 最大增益误差(%) 0.1 增益温漂误差(ppm/?C) 20 共模抑制比(dB) 160 静态电流(?A) 330 分辨率(bits) 16
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近期成交22单
描述ADX111(Q)是一款精密、低功耗、16位分辨率、兼容I2C的小型3mm×3mmMSOP封装的模数转换器(ADC),采用MSOP-10和QFN-10封装。
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描述通道 1 使能管脚 No 偏移电压(uV) ±10 温漂 ±0.03 共模抑制比(dB) 153 供电电压(V) 4.5-40 静态电流(uA) 300 带宽(kHz) 1000 压摆率(V/us) 2.8 噪声谱密度(nV/rtHz) 17.6 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
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近期成交4单
描述通道 2 分辨率 24 数据输出速率 125/8k 噪声 8.6 特性 ERM,HPF,FIFO,CRC&ECC 工作温度范围 -40℃~85℃·
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近期成交8单
描述通道 1 静态电流/通道(uA) 3.2 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 260 失调电压漂移(uV/℃) 1 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.065 压摆率(V/uS) 0.02 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 100 IN/OUT -40℃~125℃·
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近期成交13单
描述REF3xx是一种低功耗、精密、低压降电压基准系列,采用SOT23 -3封装。小尺寸和低功耗使REF3xx成为各种便携式和电池供电应用的理想选择。在正常负载条件下,REF3xx可以在比指定输出电压高2mV的电源电压下运行,但REF312除外,它的最小电源电压为1.8V。所有型号均指定用于−40°C至125°C的宽温度范围。
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近期成交46单
描述通道 1 静态电流/通道(uA) 0.57 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 210 失调电压漂移(uV/℃) 1.2 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.011 压摆率(V/uS) 0.003 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 214 IN/OUT -40℃~125℃·
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近期成交6单
描述最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
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近期成交4单
描述通道 2 使能管脚 No 偏移电压(uV) ±10 温漂 ±0.03 共模抑制比(dB) 148 供电电压(V) 4.5-40 静态电流(uA) 600 带宽(kHz) 2200 压摆率(V/us) 3.8 噪声谱密度(nV/rtHz) 11.6 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
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近期成交6单
描述精密放大器 单通道,36V高性能支持轨到轨输入输出的运算放大器
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近期成交10单
描述通道 1 使能管脚 No 偏移电压(uV) ±15 温漂 ±0.03 共模抑制比(dB) 154 供电电压(V) 4.5-40 静态电流(uA) 150 带宽(kHz) 300 压摆率(V/us) 0.8 噪声谱密度(nV/rtHz) 35 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
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近期成交3单
描述最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
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近期成交15单
描述通道 1 使能管脚 No 偏移电压(uV) ±10 温漂 ±0.03 共模抑制比(dB) 148 供电电压(V) 4.5-40 静态电流(uA) 600 带宽(kHz) 2200 压摆率(V/us) 3.8 噪声谱密度(nV/rtHz) 11.6 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
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近期成交4单
描述通道 1 静态电流/通道(uA) 0.57 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 210 失调电压漂移(uV/℃) 1.2 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.011 压摆率(V/uS) 0.003 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 214 IN/OUT -40℃~125℃·
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近期成交4单
描述通道 1 静态电流/通道(uA) 0.24 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 2200 失调电压漂移(uV/℃) 3.5 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.004 压摆率(V/uS) 0.0013 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 347 IN/OUT -40℃~125℃·
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近期成交3单
描述通道 1 使能管脚 No 偏移电压(uV) ±10 温漂 ±0.03 共模抑制比(dB) 133 供电电压(V) 1.7-5.5 静态电流(uA) 3.9 带宽(kHz) 83 压摆率(V/us) 30 噪声谱密度(nV/rtHz) 93 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
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近期成交1单
描述最大输入偏置电压(?V) 8 输入偏置电压典型温漂(?V/?C) 0.16 最大增益误差(%) 0.1 误差温漂ppm/?C NA 共模抑制比(dB) 159 带宽(kHz) 90 静态电流(mA) 560
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近期成交7单
描述单H桥驱动器 针对汽车应用的智能单H 桥驱动器, 可同时驱动四个外部N 沟道MOSFET 以实现双向有刷直 流电机
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近期成交7单
描述超小型、低功耗、16位、I2C兼容模数转换器(ADC),具有内部参考电压、振荡器和可编程比较器。
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近期成交6单
描述通道 1 静态电流/通道(uA) 3.2 输入偏置电流(pA) 0.1 失调电压(uV) 260 失调电压漂移(uV/℃) 1 共模抑制比(dB) 95 供电电压(V) 1.6-5.5 带宽(MHz) 0.065 压摆率(V/uS) 0.02 增益(dB) 120 噪声谱密度(nV/rtHz) 100 IN/OUT -40℃~125℃·
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近期成交1单
描述通道 2 偏移电压(uV) 300 温漂(uV/℃) ±800 共模抑制比(dB) 133 供电电压(V) 4-36 静态电流(uA) 550 带宽(kHz) 2500 压摆率(V/us) 1.6 噪声谱密度(nV/rtHz) 17 轨到轨 IN/OUT 工作温度范围 -40℃~125℃·
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