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首页 > 品牌列表 > Cmos(广东场效应半导体) >
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广东场效应半导体有限公司拥有近20年经验的团队,专注于MOSFET的研发、设计、生产和销售,致力于为安全和智能领域提供可靠的半导体集成电路。
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    • 连续漏极电流(Id): 20A
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    • 品牌: Cmos(广东场效应半导体)
    • 封装: DFN-8(3.3x3.3)
    • 描述: MOS管,DFN-8 3.3x3.3,P沟道,耐压:-60V,电流:-15A,10V内阻:75mΩ,4.5V内阻:115mΩ,功率:40W,CISS(Typ):870pF
    • 数量: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 60V
    • 连续漏极电流(Id): 15A
    • 导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@10V,6A
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