Cmos(广东场效应半导体)

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广东场效应半导体有限公司拥有近20年经验的团队，专注于MOSFET的研发、设计、生产和销售，致力于为安全和智能领域提供可靠的半导体集成电路。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 肖特基二极管
- 三极管(BJT)
- 快恢复/高效率二极管
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 达林顿管
- 线性稳压器(LDO)
- IGBT管/模块
多选
封装
- TO-252
- TO-220
- DFN-8(5x6)
- TO-220F
- TO-263
- DFN-8(3.3x3.3)
- SOP-8
- SOT-23(TO-236)
- TO-247
- TO-251
- TO-3P
- TO-252-4L
- SOT-89
- TOLL-8L
- DFN-8(8x8)
- SOT-23-6
- TO-262
- TO-263-7
- TO-220F-2
- DFN-8(3x3)
多选

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价格

总库存

销量

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数据手册

自营结果数1054

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

CMSA5950A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203728

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 52mΩ@10V

描述CMSA5950A采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2422

9.5折

1+￥4.0185
10+￥3.2965
30+￥2.9355
100+￥2.5745
500+￥2.1185
1000+￥2.014

现货最快4小时发货

广东仓: 2386

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交74单

CMD25P15

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18198747

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 150mΩ@10V,12.5A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存7476

9.5折

1+￥3.0685
10+￥2.432
30+￥2.166
100+￥1.824
500+￥1.539
1000+￥1.4535

现货最快4小时发货

广东仓: 7413

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交46单

IRF4905S

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5337969

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 6.6mΩ@10V

描述IRF4905S采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下仍能提供出色的导通电阻RDS(ON)。这些特性相结合，使该设计成为一款极其高效且可靠的器件，适用于各种其他应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1495

9.5折

1+￥9.6235
10+￥8.018
30+￥7.1345
100+￥6.137
500+￥5.5385
800+￥5.339

现货最快4小时发货

广东仓: 1073

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交39单

CMSA120P03A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19188068

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 5mΩ@4.5V,25A

描述CMSA120P03A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2193

9.5折

1+￥2.622
10+￥2.09
30+￥1.862
100+￥1.5865
500+￥1.3015
1000+￥1.2255

现货最快4小时发货

广东仓: 2134

江苏仓: 1

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交40单

CMD40N20

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203928

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@10V,20A

描述40N20采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合PWM、负载开关和通用应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2603

9.5折

1+￥4.712
10+￥3.743
30+￥3.268
100+￥2.7835
500+￥2.7645
1000+￥2.622

现货最快4小时发货

广东仓: 2595

江苏仓: 7

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交17单

CMD5970

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203726

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 78mΩ@4.5V,8A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3936

9.5折

1+￥5.833
10+￥4.7215
30+￥4.1705
100+￥3.6195
500+￥3.154
1000+￥2.983

现货最快4小时发货

广东仓: 3913

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交29单

CMSA050N15

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7470630

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@4.5V,10A

描述这款N沟道MOSFET采用先进的CMOS工艺制造，适用于对效率要求极高的最严苛的DC-DC转换器应用场景。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2827

9.5折

1+￥1.843
10+￥1.805
30+￥1.7765
100+￥1.748

现货最快4小时发货

广东仓: 2788

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交15单

CMB18N20A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203925

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 18A

导通电阻(RDS(on)): 150mΩ@10V,10A

描述CMB18N20A采用先进的沟槽技术和设计，可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。它可应用于各种不同的领域。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4337

9.5折

1+￥3.154
10+￥2.451
30+￥2.147
100+￥1.767
500+￥1.6435
800+￥1.5485

现货最快4小时发货

广东仓: 4019

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

CMSA65R280Q

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203967

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 14A

导通电阻(RDS(on)): 300mΩ@10V,6A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存24

9.5折

1+￥4.921
10+￥4.4365
30+￥4.18
100+￥3.876
500+￥3.458
1000+￥3.401

现货最快4小时发货

广东仓: 1

江苏仓: 1200

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交24单

CMSL107N20

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39840891

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@10V

描述CMSL107N20采用先进的SGT技术，可提供出色的RDS(ON)。该器件非常适合高效率快速开关应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1155

9.5折

1+￥7.1535
10+￥6.4885
30+￥6.08
100+￥6.1845
500+￥5.9945
1000+￥5.909

现货最快4小时发货

广东仓: 1154

江苏仓: 1

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交19单

CMSA150N03L

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6939757

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 3.3mΩ@10V；7.5mΩ@4.5V

描述CMSA150N03L采用先进技术，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件适用于开关电源（SMPS）中的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4378

9.5折

1+￥1.418065
10+￥1.226545
30+￥1.144465
100+￥1.042055
500+￥0.996455
1000+￥0.969095

现货最快4小时发货

广东仓: 4378

江苏仓: 4927

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

MJD122G

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252(DPAK)

类目: 达林顿管

编号: C6939781

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 8A

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1838

9.5折

5+￥1.553345
50+￥1.218185
150+￥1.074545
500+￥0.895375
2500+￥0.81225
5000+￥0.76437

现货最快4小时发货

广东仓: 1835

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交36单

CMSA6504A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5371902

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 85A

导通电阻(RDS(on)): 1.8mΩ@10V,28A

描述CMSA6504A采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)、低栅极电荷，并将电源转换应用中的损耗降至最低。该器件适用于作为开关电源（SMPS）、负载开关和通用应用中的低端场效应晶体管（FET）。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4356

9.5折

1+￥1.843
10+￥1.615
30+￥1.52
100+￥1.3965
500+￥1.292
1000+￥1.254

现货最快4小时发货

广东仓: 4355

江苏仓: 4858

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

CMSA070N10

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41410545

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@10V

描述CMSA070N10采用先进的SGT技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。它可用于多种应用场景。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4867

9.5折

5+￥2.11774
50+￥1.66288
150+￥1.46794
500+￥1.22474
2500+￥1.11644
5000+￥1.05146

现货最快4小时发货

广东仓: 4865

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交38单

CMSA150P03

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203754

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@4.5V,20A

描述CMSA150P03采用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2131

9.5折

1+￥3.382
10+￥2.679
30+￥2.3275
100+￥1.9855
500+￥1.862
1000+￥1.748

现货最快4小时发货

广东仓: 2115

江苏仓: 37

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交23单

CMSA180P04A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41433039

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 5.5mΩ@10V

描述MOS管，DFN-8 5x6，P沟道，耐压：-40V，电流：-100A，10V内阻：5.5mΩ，4.5V内阻：6.5mΩ，功率：120W，CISS(Typ)：10500PF

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9.5折

1+￥4.3415
10+￥3.496
30+￥3.078
100+￥2.6505
500+￥2.4035
1000+￥2.2705

现货最快4小时发货

广东仓: 5027

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

CMD060N12

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41410518

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 5.6mΩ@10V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2058

9.5折

1+￥6.384
10+￥5.282
30+￥4.674
100+￥3.99
500+￥3.686
1000+￥3.5435

现货最快4小时发货

广东仓: 2056

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交25单

CMSC3006

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5444318

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@4.5V,20A

描述Cmos公司的先进功率MOSFET为设计师提供了快速开关和低导通电阻的最佳组合。该器件非常适合笔记本电脑和便携式电池组中常见的电源管理和负载开关应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1413

9.5折

5+￥0.91352
50+￥0.815765
150+￥0.77387
500+￥0.721525
2500+￥0.50274
5000+￥0.488775

现货最快4小时发货

广东仓: 1410

江苏仓: 4085

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

CMSC5006A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42388491

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@10V

描述MOS管，DFN-8 3.3x3.3，P沟道，耐压：-60V，电流：-15A，10V内阻:75mΩ,4.5V内阻：115mΩ,功率：40W,CISS(Typ)：870pF

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3245

9.5折

5+￥1.039205
50+￥0.907535
150+￥0.851105
500+￥0.780615
2500+￥0.749265
5000+￥0.730455

现货最快4小时发货

广东仓: 3190

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交26单

CMD25N20A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203926

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 170mΩ@10V

描述这些MOSFET采用先进的制造工艺，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合快速的开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。

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SMT扩展库

9.5折

1+￥2.622
10+￥2.0615
30+￥1.8145
100+￥1.5105
500+￥1.387
1000+￥1.311

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 4981

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交9单

CMD020N12

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203915

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

描述020N12采用先进的沟槽技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。

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对比

SMT扩展库

9.5折

1+￥2.7455
10+￥2.432
30+￥2.2705
100+￥2.1185
500+￥1.919
1000+￥1.8715

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 1951

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交13单

CMD65R580

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203964

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V

描述65R580系列采用先进的MOSFET技术，具备低导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷、快速开关和出色的雪崩特性。该器件适用于有源功率因数校正和开关模式电源应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2032

9.5折

1+￥2.793
10+￥2.489
30+￥2.337
100+￥2.1945
500+￥2.0045
1000+￥1.957

现货最快4小时发货

广东仓: 2032

江苏仓: 21

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

CMD130N85A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20625148

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 5mΩ@10V

描述130N85A采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2078

9.5折

1+￥2.9735
10+￥2.337
30+￥2.0615
100+￥1.7195
500+￥1.5675
1000+￥1.4725

现货最快4小时发货

广东仓: 2078

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

CMD3N120

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C49208270

漏源电压(Vdss): 1.2kV

连续漏极电流(Id): 3A

导通电阻(RDS(on)): 5.7Ω@10V

耗散功率(Pd): 100W

描述MOS管，封装：TO-252，极性：N场，耐压：1200V，电流：3A，10V内阻：6.4Ω，4.5V内阻：6.Ω，功率：100W，COSS(TYP):950PF

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2500

9.5折

1+￥3.5245
10+￥2.8595
30+￥2.527
100+￥2.204
500+￥2.0045
1000+￥1.9

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广东仓: 2500

江苏仓: 70

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

CMSA65R380Q

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203962

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 365mΩ@10V,5A

描述CMSA65R380Q采用先进技术，具备出色的RDS(ON)。该器件适用于开关模式电源（SMPS）的低端场效应晶体管（FET）、负载开关及通用应用。

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SMT扩展库

9.5折

1+￥4.0565
10+￥3.6005
30+￥3.3725
100+￥3.154
500+￥2.7455
1000+￥2.6695

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广东仓: 0

江苏仓: 3976

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

CMSL130N85A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C45385351

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 180A

导通电阻(RDS(on)): 3.8mΩ@10V,50A

描述MOS管，TOLL，N沟道，耐压：85V,电流：180A,10V内阻：0.0043mΩ, 功率：300W，Ciss（Typ）：4150pF

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2020

9.5折

1+￥4.161
10+￥3.3725
30+￥2.983
100+￥2.5935
500+￥2.356
1000+￥2.242

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广东仓: 2010

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

CMD060N10

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203907

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 7mΩ@10V

描述060N10采用先进的技术和设计，可提供出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于脉宽调制（PWM）、负载开关和通用应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存972

9.5折

1+￥4.199
10+￥3.4485
30+￥3.078
100+￥2.698
500+￥2.185
1000+￥2.071

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广东仓: 937

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交44单

CMSC012N06

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203854

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

耗散功率(Pd): 50W

描述CMSC012N06旨在提供一个高效同步降压功率级，实现最佳布局和电路板空间利用。该器件非常适合用于紧凑型DC/DC转换器应用。

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SMT扩展库

9.5折

5+￥1.22835
50+￥1.08072
150+￥1.01745
500+￥0.938505
2500+￥0.840085
5000+￥0.818995

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广东仓: 0

江苏仓: 2540

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交11单

CMD510B

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252-4L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203896

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 14A；10A

导通电阻(RDS(on)): 200mΩ@10V,10A

描述CMD510B采用先进的沟槽技术MOSFET，可实现出色的RDS(ON)和低栅极电荷。互补MOSFET可用于H桥、逆变器及其他应用。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2954

9.5折

1+￥2.489
10+￥1.9285
30+￥1.6815
100+￥1.3775
500+￥1.273
1000+￥1.197

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广东仓: 2927

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

CMD80P06A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22364952

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存960

9.5折

1+￥2.6125
10+￥2.0805
30+￥1.8525
100+￥1.577
500+￥1.3395
1000+￥1.2635

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广东仓: 960

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交46单

Cmos(广东场效应半导体)

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