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PCB/SMT 工业品

Cmos(广东场效应半导体)

进入品牌官网

广东场效应半导体有限公司拥有近20年经验的团队，专注于MOSFET的研发、设计、生产和销售，致力于为安全和智能领域提供可靠的半导体集成电路。

类目
- 场效应管(MOSFET)
- 肖特基二极管
- 三极管(BJT)
- 快恢复/高效率二极管
- 晶闸管(可控硅)/模块
- 达林顿管
- 线性稳压器(LDO)
- IGBT管/模块
多选
封装
- TO-252
- TO-220
- DFN-8(5x6)
- TO-220F
- TO-263
- DFN-8(3.3x3.3)
- SOP-8
- SOT-23(TO-236)
- TO-247
- TO-251
- TO-3P
- TO-252-4L
- SOT-89
- TOLL-8L
- DFN-8(8x8)
- SOT-23-6
- TO-262
- TO-263-7
- TO-220F-2
- DFN-8(3x3)
多选

综合排序

价格

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现货

折扣

数据手册

自营结果数1052

型号/品牌/封装/类目
参数/描述
优惠券/标签
价格梯度(含税)
库存交期
操作

1个P沟道耐压:150V 电流:25A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C18198747

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 25A

导通电阻(RDS(on)): 150mΩ@10V,12.5A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8425

9.5折

1+￥3.0685
10+￥2.432
30+￥2.166
100+￥1.824
500+￥1.539
1000+￥1.4535

现货最快4小时发货

广东仓: 8248

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交48单

1个P沟道耐压:60V 电流:90A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-263

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5337969

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 6.6mΩ@10V

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1760

1+￥10.13
10+￥8.44
30+￥7.51
100+￥6.46
500+￥5.83
800+￥5.62

现货最快4小时发货

广东仓: 1624

800个/圆盘

个

总额￥0

近期成交35单

1个P沟道耐压:60V 电流:80A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C22364965

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 80A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2689

9.5折

1+￥2.5365
10+￥1.976
30+￥1.729
100+￥1.425
500+￥1.406
1000+￥1.3205

现货最快4小时发货

广东仓: 2571

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交58单

P沟道 -60V -15A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C42388491

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 75mΩ@10V

描述MOS管，DFN-8 3.3x3.3，P沟道，耐压：-60V，电流：-15A，10V内阻:75mΩ,4.5V内阻：115mΩ,功率：40W,CISS(Typ)：870pF

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4110

9.5折

5+￥1.408565
50+￥1.092595
150+￥0.957125
500+￥0.788215
2500+￥0.775675
5000+￥0.730455

现货最快4小时发货

广东仓: 4100

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交33单

1个P沟道耐压:30V 电流:150A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C19188068

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 5mΩ@4.5V,25A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2677

1+￥2.76
10+￥2.2
30+￥1.96
100+￥1.67
500+￥1.37
1000+￥1.29

现货最快4小时发货

广东仓: 2622

江苏仓: 1

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交43单

1个P沟道耐压:30V 电流:150A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203754

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 150A

导通电阻(RDS(on)): 5.8mΩ@4.5V,20A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2353

9.5折

1+￥3.382
10+￥2.679
30+￥2.3275
100+￥1.9855
500+￥1.862
1000+￥1.748

现货最快4小时发货

广东仓: 2341

江苏仓: 147

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交27单

1个N沟道耐压:200V 电流:40A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203928

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@10V,20A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2633

9.5折

1+￥4.712
10+￥3.743
30+￥3.268
100+￥2.7835
500+￥2.7645
1000+￥2.622

现货最快4小时发货

广东仓: 2607

江苏仓: 9

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交20单

1个P沟道耐压:150V 电流:30A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203726

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 30A

导通电阻(RDS(on)): 78mΩ@4.5V,8A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4077

9.5折

1+￥5.833
10+￥4.7215
30+￥4.1705
100+￥3.6195
500+￥3.154
1000+￥2.983

现货最快4小时发货

广东仓: 4077

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交35单

MJD122G

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252(DPAK)

类目: 达林顿管

编号: C6939781

类型: NPN

集射极击穿电压(Vceo): 100V

集电极电流(Ic): 8A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3201

9.5折

5+￥1.553345
50+￥1.218185
150+￥1.074545
500+￥0.895375
2500+￥0.81225
5000+￥0.76437

现货最快4小时发货

广东仓: 3000

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交44单

1个N沟道耐压:30V 电流:85A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5371902

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 85A

导通电阻(RDS(on)): 1.8mΩ@10V,28A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4356

9.5折

1+￥1.843
10+￥1.615
30+￥1.52
100+￥1.3965
500+￥1.292
1000+￥1.254

现货最快4小时发货

广东仓: 4355

江苏仓: 4858

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

1个N沟道耐压:150V 电流:15A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C7470630

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 15A

导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@4.5V,10A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3044

9.5折

1+￥1.843
10+￥1.805
30+￥1.7765
100+￥1.748

现货最快4小时发货

广东仓: 3024

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交21单

1个N沟道耐压:650V 电流:14A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203967

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 14A

导通电阻(RDS(on)): 300mΩ@10V,6A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存49

9.5折

1+￥4.921
10+￥4.4365
30+￥4.18
100+￥3.876
500+￥3.458
1000+￥3.401

现货最快4小时发货

广东仓: 21

江苏仓: 1540

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交28单

N沟道 120V 100A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C41410518

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 5.6mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2252

9.5折

1+￥6.384
10+￥5.282
30+￥4.674
100+￥3.99
500+￥3.686
1000+￥3.5435

现货最快4小时发货

广东仓: 2249

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交24单

N沟道 200V 120A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TOLL-8L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C39840891

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 9mΩ@10V

收藏
对比

9.5折

1+￥9.633
10+￥8.0465
30+￥7.0585
100+￥6.5645
500+￥6.1085
1000+￥5.909

现货最快4小时发货

广东仓: 1310

江苏仓: 1

2000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交22单

1个N沟道+1个P沟道耐压:40V 电流:17A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252-4L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203834

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 17A

导通电阻(RDS(on)): 18mΩ@10V,17A

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对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2101

9.5折

1+￥2.28
10+￥1.995
30+￥1.862
100+￥1.71
500+￥1.5105
1000+￥1.4725

现货最快4小时发货

广东仓: 2093

江苏仓: 1090

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

1个N沟道+1个P沟道耐压:100V 电流:14A 10A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252-4L

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203896

数量: 1个N沟道+1个P沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 14A；10A

导通电阻(RDS(on)): 200mΩ@10V,10A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3004

9.5折

1+￥2.489
10+￥1.9285
30+￥1.6815
100+￥1.3775
500+￥1.273
1000+￥1.197

现货最快4小时发货

广东仓: 2962

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

1个P沟道耐压:20V 电流:85A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203773

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 20V

连续漏极电流(Id): 85A

导通电阻(RDS(on)): 3mΩ@2.5V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3243

9.5折

1+￥2.527
10+￥2.2325
30+￥2.09
100+￥1.9475
500+￥1.7575
1000+￥1.7195

现货最快4小时发货

广东仓: 3219

江苏仓: 2766

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交5单

1个N沟道耐压:120V 电流:55A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203915

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 120V

连续漏极电流(Id): 55A

导通电阻(RDS(on)): 15mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

1+￥2.7455
10+￥2.432
30+￥2.2705
100+￥2.1185
500+￥1.919
1000+￥1.8715

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 2050

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

1个N沟道耐压:30V 电流:90A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(3.3x3.3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5444318

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 6mΩ@4.5V,20A

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1423

9.5折

5+￥0.91352
50+￥0.815765
150+￥0.77387
500+￥0.721525
2500+￥0.50274
5000+￥0.488775

现货最快4小时发货

广东仓: 1410

江苏仓: 4100

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个N沟道耐压:60V 电流:20A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(3x3)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203854

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 60V

连续漏极电流(Id): 20A

耗散功率(Pd): 50W

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

5+￥1.22835
50+￥1.08072
150+￥1.01745
500+￥0.938505
2500+￥0.840085
5000+￥0.818995

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3400

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

1个N沟道耐压:30V 电流:120A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C6939757

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 30V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 3.3mΩ@10V；7.5mΩ@4.5V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4379

9.5折

1+￥1.418065
10+￥1.226545
30+￥1.144465
100+￥1.042055
500+￥0.996455
1000+￥0.969095

现货最快4小时发货

广东仓: 4378

江苏仓: 4927

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交8单

1个N沟道耐压:200V 电流:20A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203926

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 200V

连续漏极电流(Id): 20A

导通电阻(RDS(on)): 170mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

1+￥2.622
10+￥2.0615
30+￥1.8145
100+￥1.5105
500+￥1.387
1000+￥1.311

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 5066

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交10单

1个N沟道耐压:650V 电流:8A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203964

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 550mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2062

9.5折

1+￥2.793
10+￥2.489
30+￥2.337
100+￥2.1945
500+￥2.0045
1000+￥1.957

现货最快4小时发货

广东仓: 2062

江苏仓: 21

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交2单

1个N沟道耐压:85V 电流:120A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C20625148

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 120A

导通电阻(RDS(on)): 5mΩ@10V

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2163

9.5折

1+￥2.9735
10+￥2.337
30+￥2.0615
100+￥1.7195
500+￥1.5675
1000+￥1.4725

现货最快4小时发货

广东仓: 2163

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交7单

1个N沟道耐压:650V 电流:8A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203962

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 650V

连续漏极电流(Id): 8A

导通电阻(RDS(on)): 365mΩ@10V,5A

收藏
对比

SMT扩展库

9.5折

1+￥4.0565
10+￥3.6005
30+￥3.3725
100+￥3.154
500+￥2.7455
1000+￥2.6695

现货最快4小时发货

广东仓: 0

江苏仓: 3995

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交6单

N沟道 85V 180A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TOLL-8

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C45385351

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 85V

连续漏极电流(Id): 180A

导通电阻(RDS(on)): 3.8mΩ@10V,50A

描述MOS管，TOLL，N沟道，耐压：85V,电流：180A,10V内阻：0.0043mΩ, 功率：300W，Ciss（Typ）：4150pF

收藏
对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2000

9.5折

1+￥4.161
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广东仓: 1965

江苏仓: 30

2000个/圆盘

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近期成交8单

1个N沟道耐压:150V 电流:40A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203917

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 150V

连续漏极电流(Id): 40A

导通电阻(RDS(on)): 37mΩ@10V,20A

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广东仓: 0

江苏仓: 1678

2500个/圆盘

个

总额￥0

近期成交4单

1个N沟道耐压:40V 电流:100A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203836

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 100A

导通电阻(RDS(on)): 4.8mΩ@4.5V

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SMT补贴嘉立创库存4914

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广东仓: 4914

江苏仓: 30

5000个/圆盘

个

总额￥0

近期成交1单

1个N沟道耐压:100V 电流:50A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: DFN-8(5x6)

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203902

数量: 1个N沟道

漏源电压(Vdss): 100V

连续漏极电流(Id): 50A

导通电阻(RDS(on)): 13.5mΩ@45V

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SMT补贴嘉立创库存1536

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1+￥3.2965
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广东仓: 1422

5000个/圆盘

个

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近期成交21单

1个P沟道耐压:40V 电流:90A

品牌: Cmos(广东场效应半导体)

封装: TO-252

类目: 场效应管(MOSFET)

编号: C5203748

数量: 1个P沟道

漏源电压(Vdss): 40V

连续漏极电流(Id): 90A

导通电阻(RDS(on)): 5.6mΩ@10V

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1806

9.5折

1+￥2.2705
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2500个/圆盘

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近期成交21单