
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
进入品牌官网无锡明芯微电子有限公司成立于2019年9月,位于滨湖区国家集成电路设计中心,由多名来自知名外企的创业团队共同出资创建。公司主要生产高速驱动芯片、高速比较器、E-Fuse保护芯片、保护开关及电源芯片。
无锡明芯微电子有限公司成立于2019年9月,位于滨湖区国家集成电路设计中心,由多名来自知名外企的创业团队共同出资创建。公司主要生产高速驱动芯片、高速比较器、E-Fuse保护芯片、保护开关及电源芯片。
描述推挽输出比较器MX3501T23具有4.5ns的快速传播延迟,工作电压范围为2.7V至5V。
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描述MX5050L高侧理想二极管控制器与外部MOSFET配合使用,当与电源串联时用作理想二极管整流器。该理想二极管控制器可使MOSFET替换主回路中的防反二极管,从而降低功耗和压降。MX5050L控制器为外部N沟道MOSFET和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,在电流反向时关断MOSFET。
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描述推挽输出比较器MX3502S具有5ns的快速传播延迟,可在2.7V至5.5V电压下工作。超出电源轨的输入共模范围使其成为低压应用的理想选择。轨到轨输出可直接驱动CMOS或TTL逻辑
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描述MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET,或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。凭借强大的灌电流能力,MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓(GaN)FET 所需的特性
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描述MX74700T与外部N沟道MOSFET配合工作,可作为理想二极管整流器并利用20mV正向压降实现低损耗反向保护。3.2V至100V的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如:12V、24V和48V汽车电池系统)的控制。该器件可耐受低至 -100V的负电源电压,并提供负载保护。
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描述具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 90V 工业 RPP 控制器,超低静态功耗EN=0V关断,静态功耗小于2uA,防止电压反接的耐负压90V能力
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描述低边驱动 单通道, 低边驱动,大电流,SOT23-6
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描述低边驱动 单通道,低边驱动,耐压20V,SOT23-6
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描述高边驱动,50v高边驱动, 高侧驱动,高边开关控制器
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描述MX25924系列电子保险丝是采用小型封装的高度集成的电路保护和电源管理解决方案。该器件仅需极少的外部元件,且具备多种保护模式。它们能有效应对过载、短路、电压浪涌、过大浪涌电流和反向电流等问题
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描述MX26631S是一款40V工业级eFuse解决方案。该器件可为所有由4.5V至40V电源供电的系统和应用提供强大的保护。对于热插拔电路板,该器件可提供带浪涌电流控制的热插拔电源管理。它具备多种可编程特性,包括过流和欠压保护,可对负载、电源和器件进行保护。精确的过流限制有助于减少输入电源的过度设计,而快速响应的短路保护在检测到短路时可立即将故障负载与输入电源隔离。MX26631S内部强大的保护控制模块及其40V额定电压,有助于简化工业浪涌合规性的系统设计,确保负载和器件得到全面保护。
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描述MX5114D 旨在通过内部 N 沟道 MOSFET 以强大的灌电流能力驱动垂直腔面发射激光器(VCSEL)。MX5114D 提供反相和同相输入,以满足反相和同相输入要求
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描述LMX5069正电压热插拔控制器可在从带电系统背板或其他热插拔电源插入和移除电路板期间,为电源连接提供智能控制。LMX5069可提供浪涌电流控制以限制系统电压下降和瞬变。外部串行导通N沟道MOSFET中的电流限制和功率耗散可进行编程,从而确保其在安全工作区(SOA)内工作。当输出电压低于1.5V输入电压时,会显示电源正常输出。输入欠压和过压锁定电平和迟滞,以及初始插入延迟时间和故障监测时间均可进行编程。在故障监测之后LMX5069以固定占空比自动重启。
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描述MX5114E旨在通过内部N沟道MOSFET以强大的灌电流能力驱动垂直腔面发射激光器(VCSEL)。MX5114E提供反相和同相输入,以满足反相和同相输入的要求。MX5114E的输入与TTL/CMOS逻辑兼容,且无论VDD电压如何,都能承受高达18 V的输入电压
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描述推挽输出比较器MX7219T的特点是具有4.5ns的快速传播延迟,工作电压范围为+2.7V至+5V。
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描述隔离电压 相比 MX6501T 产品,MX6505T 增加了外接振荡器来调节振荡频率的选项, 是一款低噪声推挽式变压器驱动,专为小尺寸隔离式电源设计。它采用 3.3V~5V 直流电源供电,增加了 EN 控制,当客户想低静态功耗时候可以关断改芯片, 由于 D1 和 D2 耐压 36V, 这款新品也可以采用 12V 供电这时候,只要把 12v 采用分压电阻的方式给 VCC 提供 5V 供电就可以实现 12V 转 12V 的功能。 MX6505T 由一个振荡器和一个栅极驱动电路组成,栅极驱动电路提供互补信号驱动相应的 N-MOS。
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描述MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器,适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合,可显著提升激光雷达、飞行时间测量(ToF)和功率转换器的性能。
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描述18W PSR ,宽输出电压
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描述60V理想二极管,零静态功耗二极管
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描述理想二极管 零静态功耗理想二极管,60V耐压,电流通过外接MOS可调
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描述MX5052SL高端或电路与内部MOSFET协同工作,在与电源串联连接时可作为理想的二极管整流器。该或电路使MOSFET能够在配电网络中替代二极管整流器,从而降低功率损耗和电压降。MX5052SL控制器为内部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动,并配备快速响应比较器,当电流反向流动时可关断FET
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