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Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)

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无锡明芯微电子有限公司成立于2019年9月,位于滨湖区国家集成电路设计中心,由多名来自知名外企的创业团队共同出资创建。公司主要生产高速驱动芯片、高速比较器、E-Fuse保护芯片、保护开关及电源芯片。

  • 类目
    • 理想二极管/ORing控制器
    • AC-DC控制器和稳压器
    • 栅极驱动芯片
    • 开发板
    • 浪涌保护器
    • 功率电子开关
    • 电源变压器
    • 场效应管(MOSFET)
    • 比较器
    • 电荷泵
    • 变压器驱动器
    • DC-DC电源芯片
    • 缓冲器/驱动器/收发器
    • 激光驱动
    • 线性稳压器(LDO)
    • 专业电源管理(PMIC)
    • RS-485/RS-422芯片
    多选
  • 封装
    • SOT-23-6
    • SOP-8
    • -
    • DFN-10(3x3)
    • DFN-6(2x2)
    • SOT-23-5
    • DFN-8(2x3)
    • MSOP-10
    • SMD-8P,12.1x8.3mm
    • SOP-8-EP
    • TOLL-8L
    • DFN-8(3.3x3.3)
    • DFN-8(5x6)
    • MSOP-8
    • MSOP-8-EP
    • QFN-24(4x4)
    • SMD,81x71mm
    • SMD-6P,7.1x6.5mm
    • SMD-6P,7.1x6.6mm
    • SOP-7
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数73
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

4.5ns,轨到轨,高速比较器
MX3501T23
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOT23-6L
类目
比较器
编号
C5359092
比较器数
单路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
2pA
传播延迟(tpd)
4.5ns

描述推挽输出比较器MX3501T23具有4.5ns的快速传播延迟,工作电压范围为2.7V至5V。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1010
  • 1.1508
  • 0.8988
  • 0.7908
  • 0.6561
  • 0.5961
现货最快4小时发货
广东仓
975
江苏仓
4430

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

MX5050L
输入电压(Vin)
1V~40V
FET类型
外置FET
栅极驱动电压
14V
正向压降(Vf)
60mV

描述MX5050L高侧理想二极管控制器与外部MOSFET配合使用,当与电源串联时用作理想二极管整流器。该理想二极管控制器可使MOSFET替换主回路中的防反二极管,从而降低功耗和压降。MX5050L控制器为外部N沟道MOSFET和快速响应比较器提供电荷泵栅极驱动,在电流反向时关断MOSFET。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存9584
  • 2.92
  • 2.22
  • 1.92
  • 1.55
  • 1.39
  • 1.29
现货最快4小时发货
广东仓
9520

3000/圆盘

总额0

近期成交96单

轨到轨,双通道高速比较器
MX3502S
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOP-8L
类目
比较器
编号
C19269867
比较器数
双路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
2pA
传播延迟(tpd)
5ns

描述推挽输出比较器MX3502S具有5ns的快速传播延迟,可在2.7V至5.5V电压下工作。超出电源轨的输入共模范围使其成为低压应用的理想选择。轨到轨输出可直接驱动CMOS或TTL逻辑

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2122
  • 1.2995
  • 1.1315
  • 1.0595
  • 0.9696
现货最快4小时发货
广东仓
2110
江苏仓
190

3000/圆盘

总额0

近期成交76单

单路7.6A峰值电流,低端栅极驱动器
MX5114T
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOT-23-6L
类目
栅极驱动芯片
编号
C5341119
驱动配置
低边
负载类型
MOSFET
工作电压
4V~18V
上升时间(tr)
6ns

描述MX5114T 旨在驱动升压型配置中的低端 MOSFET,或驱动隔离拓扑中的次级同步 MOSFET。凭借强大的灌电流能力,MX5114T 能够并联驱动多个 MOSFET。MX5114T 还具备驱动低端增强型氮化镓(GaN)FET 所需的特性

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存20K+
  • 1.9297
  • 1.5012
  • 1.3175
  • 1.0884
  • 0.9864
  • 0.9251
现货最快4小时发货
广东仓
20K+
江苏仓
14K+

3000/圆盘

总额0

近期成交16单

功率电子开关
输入电压(Vin)
3.2V~100V
反向耐压
100V
导通电流(Imax)
2.3A
FET类型
外置FET

描述MX74700T与外部N沟道MOSFET配合工作,可作为理想二极管整流器并利用20mV正向压降实现低损耗反向保护。3.2V至100V的宽电源输入范围可实现对众多常用直流总线电压(例如:12V、24V和48V汽车电池系统)的控制。该器件可耐受低至 -100V的负电源电压,并提供负载保护。

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 3.52
  • 2.7
  • 2.35
  • 1.92
  • 1.72
  • 1.61
现货最快4小时发货
广东仓
10K+
江苏仓
11K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

电子保险丝
MX26631DL
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
QFN-24(4x4)
类目
浪涌保护器
编号
C18197523

描述电子保险丝 过流保护,过压保护,防止电流倒灌,5A 40V耐压

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存11K+
  • 5
  • 4.04
  • 3.57
  • 3.09
  • 2.8
  • 2.66
现货最快4小时发货
广东仓
11K+

3000/圆盘

总额0

近期成交54单

MXPP8-30-1250
MXPP8-30-1250
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SMD-8P,12.1x8.3mm
类目
电源变压器
编号
C19943837

描述3kv推挽变压器,5V转12V 3W

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2455
  • 5.3
  • 4.22
  • 3.68
  • 3.14
  • 2.82
  • 2.65
现货最快4小时发货
广东仓
2455
江苏仓
278

1000/圆盘

总额0

近期成交27单

LMX5069MS
LMX5069MS
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
MSOP-10
类目
浪涌保护器
编号
C47967145

描述浪涌保护器

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存17K+
  • 6.91
  • 5.75
  • 5.12
  • 4.4
  • 4.08
  • 3.93
现货最快4小时发货
广东仓
17K+
江苏仓
15K+

3000/圆盘

总额0

近期成交100单+

100V低损耗带反极性保护过压保护的负载开关
MX74502D23
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
DFN-8L(2x3)
类目
功率电子开关
编号
C41433189
类型
负载开关
通道数
1
输入控制逻辑
低电平有效
最大连续电流
2.3A

描述具有负载断开、OVP 和高栅极驱动功能的 3.2V 至 90V 工业 RPP 控制器,超低静态功耗EN=0V关断,静态功耗小于2uA,防止电压反接的耐负压90V能力

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存25K+
  • 5.15
  • 4.07
  • 3.53
  • 2.99
  • 2.67
  • 2.5
现货最快4小时发货
广东仓
25K+
江苏仓
8512

3000/圆盘

总额0

近期成交78单

MXPP8-30-1103
MXPP8-30-1103
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SMD-8P,12.1x8.3mm
类目
电源变压器
编号
C19943836

描述3kv推挽变压器,12V转12V 5W

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4
  • 6.16
  • 5.04
  • 4.43
  • 3.74
  • 3.43
  • 3.29
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1922

1000/圆盘

总额0

近期成交26单

低边驱动
MX5134T
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOT-23-6L
类目
栅极驱动芯片
编号
C19078228
负载类型
MOSFET
驱动通道数
1
工作电压
4V~15V
上升时间(tr)
4ns

描述低边驱动 单通道, 低边驱动,大电流,SOT23-6

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2266
  • 2.16
  • 1.89
  • 1.77
  • 1.62
  • 1.56
  • 1.52
现货最快4小时发货
广东仓
2260
江苏仓
2319

3000/圆盘

总额0

近期成交4单

耐压:100V 电流:186A
MX10T03AHT
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
TO-263-3L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22468154
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
186A
导通电阻(RDS(on))
3.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)
254W
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存10K+
  • 3.34
  • 2.69
  • 2.37
  • 2.05
  • 1.85
  • 1.75
现货最快4小时发货
广东仓
10K+
江苏仓
19K+

1000/圆盘

总额0

近期成交15单

低边驱动
MX27517
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOT-23-6L
类目
栅极驱动芯片
编号
C19078226
驱动配置
低边
负载类型
MOSFET
驱动通道数
1
工作电压
4V~18V

描述低边驱动 单通道,低边驱动,耐压20V,SOT23-6

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存5101
  • 0.9439
  • 0.7423
  • 0.6559
  • 0.5481
  • 0.4529
现货最快4小时发货
广东仓
5100

3000/圆盘

总额0

近期成交61单

高边驱动
MX5014S
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOP-8L
类目
栅极驱动芯片
编号
C5359091
驱动配置
高边;低边
负载类型
MOSFET
工作电压
2.75V~50V
上升时间(tr)
500us

描述高边驱动,50v高边驱动, 高侧驱动,高边开关控制器

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3010
  • 2.2945
  • 1.8157
  • 1.6105
  • 1.3545
现货最快4小时发货
广东仓
2985

3000/圆盘

总额0

近期成交37单

E-Fuse,过压过流保护电子保险丝
MX25924D33
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
DFN3x3-10L
类目
浪涌保护器
编号
C5875699

描述MX25924系列电子保险丝是采用小型封装的高度集成的电路保护和电源管理解决方案。该器件仅需极少的外部元件,且具备多种保护模式。它们能有效应对过载、短路、电压浪涌、过大浪涌电流和反向电流等问题

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1627
  • 2.62
  • 2.02
  • 1.76
  • 1.44
  • 1.29
  • 1.2
现货最快4小时发货
广东仓
1615
江苏仓
4840

4000/圆盘

总额0

近期成交27单

高边开关
MX26631S
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOP-8
类目
浪涌保护器
编号
C34376142

描述MX26631S是一款40V工业级eFuse解决方案。该器件可为所有由4.5V至40V电源供电的系统和应用提供强大的保护。对于热插拔电路板,该器件可提供带浪涌电流控制的热插拔电源管理。它具备多种可编程特性,包括过流和欠压保护,可对负载、电源和器件进行保护。精确的过流限制有助于减少输入电源的过度设计,而快速响应的短路保护在检测到短路时可立即将故障负载与输入电源隔离。MX26631S内部强大的保护控制模块及其40V额定电压,有助于简化工业浪涌合规性的系统设计,确保负载和器件得到全面保护。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2374
  • 5.3
  • 4.35
  • 3.87
  • 3.4
  • 3.12
  • 2.97
现货最快4小时发货
广东仓
2369
江苏仓
235

3000/圆盘

总额0

近期成交35单

单通道,峰值电流15A激光驱动器
输出类型
开漏
工作电压
4V~20V
工作温度
-40℃~+125℃
静态电流(Iq)
250uA

描述MX5114D 旨在通过内部 N 沟道 MOSFET 以强大的灌电流能力驱动垂直腔面发射激光器(VCSEL)。MX5114D 提供反相和同相输入,以满足反相和同相输入要求

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4334
  • 1.83
  • 1.6
  • 1.5
  • 1.37
  • 1.32
  • 1.29
现货最快4小时发货
广东仓
4333
江苏仓
2802

3000/圆盘

总额0

近期成交4单

E-Fuse,过流过压保护电子保险丝

描述过流保护,电流可调最大5A,外置过压OVP

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2898
  • 2.62
  • 2.02
  • 1.76
  • 1.44
  • 1.29
  • 1.2
现货最快4小时发货
广东仓
2895

3000/圆盘

总额0

近期成交47单

LMX5069DL
LMX5069DL
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
DFN-10L(3x3)
类目
浪涌保护器
编号
C47967144

描述LMX5069正电压热插拔控制器可在从带电系统背板或其他热插拔电源插入和移除电路板期间,为电源连接提供智能控制。LMX5069可提供浪涌电流控制以限制系统电压下降和瞬变。外部串行导通N沟道MOSFET中的电流限制和功率耗散可进行编程,从而确保其在安全工作区(SOA)内工作。当输出电压低于1.5V输入电压时,会显示电源正常输出。输入欠压和过压锁定电平和迟滞,以及初始插入延迟时间和故障监测时间均可进行编程。在故障监测之后LMX5069以固定占空比自动重启。

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  • 对比

SMT扩展库

  • 6.81
  • 5.66
  • 5.03
  • 4.31
  • 3.99
  • 3.85
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2324

3000/圆盘

总额0

近期成交19单

MX1025D
MX1025D
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
DFN-6L(2x2)
类目
栅极驱动芯片
编号
C5341121

描述低边驱动@@单通道

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2075
  • 1.3806
  • 1.1916
  • 1.1106
  • 1.0095
现货最快4小时发货
广东仓
2070
江苏仓
805

3000/圆盘

总额0

近期成交37单

单通道,峰值电流15A激光驱动器
MX5114E
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOT-23-6L
类目
激光驱动
编号
C5341120
工作电压
4V~20V
工作电流
70uA
工作温度
-40℃~+125℃
峰值输出电流
15A

描述MX5114E旨在通过内部N沟道MOSFET以强大的灌电流能力驱动垂直腔面发射激光器(VCSEL)。MX5114E提供反相和同相输入,以满足反相和同相输入的要求。MX5114E的输入与TTL/CMOS逻辑兼容,且无论VDD电压如何,都能承受高达18 V的输入电压

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2076
  • 1.71
  • 1.48
  • 1.38
  • 1.26
  • 1.2
  • 1.17
现货最快4小时发货
广东仓
2073
江苏仓
2550

3000/圆盘

总额0

近期成交9单

MX16171D

描述防电流倒灌控制器

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存6974
  • 2.99
  • 2.3
  • 2.01
  • 1.64
  • 1.47
  • 1.37
现货最快4小时发货
广东仓
6959
江苏仓
1992

3000/圆盘

总额0

近期成交49单

4.5ns 轨到轨高速比较器
MX7219T
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOT-23-5L
类目
比较器
编号
C20882980
比较器数
单路
输入失调电压(Vos)
1mV
输入偏置电流(Ib)
2pA
传播延迟(tpd)
5ns

描述推挽输出比较器MX7219T的特点是具有4.5ns的快速传播延迟,工作电压范围为+2.7V至+5V。

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  • 对比

SMT扩展库

  • 2.19
  • 1.68
  • 1.47
  • 1.2
  • 1.08
  • 1
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1035

3000/圆盘

总额0

近期成交13单

耐压:100V 电流:393A
漏源电压(Vdss)
100V
连续漏极电流(Id)
393A
导通电阻(RDS(on))
1.3mΩ@10V
耗散功率(Pd)
429W
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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1076
  • 8.74
  • 7.16
  • 6.29
  • 5.3
  • 4.87
  • 4.67
现货最快4小时发货
广东仓
1058

2000/圆盘

总额0

近期成交19单

低功耗DC隔离电压
MX6505T
品牌
Wuxi Maxinmicro(无锡明芯微)
封装
SOT-23-6
类目
变压器驱动器
编号
C20882984
输入电压
2.25V~5.5V
功率管耐压
36V
功率管耐流
1A
功率管导通电阻
300mΩ;350mΩ

描述隔离电压 相比 MX6501T 产品,MX6505T 增加了外接振荡器来调节振荡频率的选项, 是一款低噪声推挽式变压器驱动,专为小尺寸隔离式电源设计。它采用 3.3V~5V 直流电源供电,增加了 EN 控制,当客户想低静态功耗时候可以关断改芯片, 由于 D1 和 D2 耐压 36V, 这款新品也可以采用 12V 供电这时候,只要把 12v 采用分压电阻的方式给 VCC 提供 5V 供电就可以实现 12V 转 12V 的功能。 MX6505T 由一个振荡器和一个栅极驱动电路组成,栅极驱动电路提供互补信号驱动相应的 N-MOS。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存8691
  • 0.9854
  • 0.8594
  • 0.8054
  • 0.738
  • 0.708
  • 0.69
现货最快4小时发货
广东仓
8665

3000/圆盘

总额0

近期成交31单

氮化镓高速驱动

描述MX1020W 是一款单通道低侧增强型 GaN FET 和逻辑电平 MOSFET 驱动器,适用于高开关频率应用。窄脉冲宽度能力、快速开关规格和小脉冲失真相结合,可显著提升激光雷达、飞行时间测量(ToF)和功率转换器的性能。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2690
  • 1.2126
  • 0.9522
  • 0.8405
  • 0.7013
现货最快4小时发货
广东仓
2685

3000/圆盘

总额0

近期成交24单

电源
工作电压
9V~24V
开关频率
72kHz
耗散功率(Pd)
1.1W
晶体管耐压
650V

描述18W PSR ,宽输出电压

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  • 对比
  • 1.75
  • 1.52
  • 1.43
  • 1.31
  • 1.26
  • 1.23
现货最快4小时发货
广东仓
2960
江苏仓
2940

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

理想二极管控制器
输入电压(Vin)
0V~55V
反向耐压
65V
FET类型
外置FET
栅极驱动电压
6.3V

描述60V理想二极管,零静态功耗二极管

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近期成交100单+

理想二极管
反向耐压
60V
FET类型
外置FET
栅极驱动电压
6.3V
正向压降(Vf)
480mV

描述理想二极管 零静态功耗理想二极管,60V耐压,电流通过外接MOS可调

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近期成交100单+

集成MOS Oring功率管
输入电压(Vin)
1V~40V
反向耐压
60V
FET类型
内置FET
正向压降(Vf)
40mV

描述MX5052SL高端或电路与内部MOSFET协同工作,在与电源串联连接时可作为理想的二极管整流器。该或电路使MOSFET能够在配电网络中替代二极管整流器,从而降低功率损耗和电压降。MX5052SL控制器为内部N沟道MOSFET提供电荷泵栅极驱动,并配备快速响应比较器,当电流反向流动时可关断FET

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