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首页 > 品牌列表 > REASUNOS(瑞森半导体) >
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瑞森半导体(REASUNOS)成立于2007年,2013年注册成立广东晟日半导体科技有限公司,并于2017年更名为“瑞森半导体”,2022年成立瑞森半导体科技(湖南)有限公司。公司专注于功率半导体器件与功率集成芯片的设计、研发及系统解决方案,主要生产SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超级结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD和TVS静电保护器件等。
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127
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 800V
  • 连续漏极电流(Id): 7A
  • 导通电阻(RDS(on)): 740mΩ@10V,1.6A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)): 160mΩ@10V,10A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 12A
    • 导通电阻(RDS(on)): 390mΩ@10V,6A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 900V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3Ω@10V,2A
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    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 45A
    • 导通电阻(RDS(on)): 80mΩ@10V,22.5A
    • 耗散功率(Pd): 260W
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    • RSF60R099F
    • 品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
    • 封装: TO-220F
    • 描述: 超结MOS,OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 31A
    • 导通电阻(RDS(on)): 86mΩ@10V,13A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 560mΩ@10V,3.5A
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 9A
    • 导通电阻(RDS(on)): 950mΩ@10V,4.5A
    • 耗散功率(Pd): 170W
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 4.2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 90mΩ@2.5V,1A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 115mΩ@10V,15A
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    • 漏源电压(Vdss): 1.6kV
    • 连续漏极电流(Id): 3A
    • 导通电阻(RDS(on)): 5.2Ω@10V,1.5A
    • 耗散功率(Pd): 69W
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    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 45A
    • 导通电阻(RDS(on)): 105mΩ@10V,22.5A
    • 耗散功率(Pd): 250W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 2A
    • 导通电阻(RDS(on)): 3.5Ω@10V,1A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)): 210mΩ@10V,10A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 7A
    • 导通电阻(RDS(on)): 1.1Ω@10V,3.5A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 12A
    • 导通电阻(RDS(on)): 420mΩ@10V,6A
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    • 类型: 1个P沟道
    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 10A
    • 导通电阻(RDS(on)): 34mΩ@4.5V
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    • 漏源电压(Vdss): 30V
    • 连续漏极电流(Id): 180A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2mΩ@10V,30A
    • 耗散功率(Pd): 80W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 880mΩ@10V,2A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 800V
    • 连续漏极电流(Id): 18A
    • 导通电阻(RDS(on)): 220mΩ@10V,5.3A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 600V
    • 连续漏极电流(Id): 47A
    • 导通电阻(RDS(on)): 60mΩ@10V,23A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 85mΩ@10V,15A
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    • 连续漏极电流(Id): 4A
    • 导通电阻(RDS(on)): 2.4Ω@10V,2A
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    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 5A
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    • RS85N150S
    • 品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
    • 封装: TO-263
    • 描述: 低压MOS-SGT,电机控制,电动工具,逆变器,储能BMS,同步整流,金牌电源,服务器电源,工业电源,无人机
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    • 连续漏极电流(Id): 150A
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    • RS100N135T
    • 品牌: REASUNOS(瑞森半导体)
    • 封装: TO-220
    • 描述: 低压MOS-SGT,同步整流,逆变器,电机控制,金牌电源,服务器电源,工业电源,无人机,PD快充,无线充,LED驱动电源,储能BMS
    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 135A
    • 导通电阻(RDS(on)): 4.5mΩ@4.5V,20A
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