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REASUNOS(瑞森半导体)

REASUNOS(瑞森半导体)

进入品牌官网

瑞森半导体(REASUNOS)成立于2007年,2013年注册成立广东晟日半导体科技有限公司,并于2017年更名为“瑞森半导体”,2022年成立瑞森半导体科技(湖南)有限公司。公司专注于功率半导体器件与功率集成芯片的设计、研发及系统解决方案,主要生产SiC碳化硅MOS、SiC碳化硅二极管、硅基平面MOS、超级结MOS、中低压MOS、LED驱动IC、电机驱动IC和系列ESD和TVS静电保护器件等。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 碳化硅二极管
    • LED驱动
    • 碳化硅场效应管(MOSFET)
    多选
  • 封装
    • TO-220F
    • TO-252
    • TO-247
    • TO-220
    • TO-263
    • SOP-14
    • TO-220-2
    • TO-251
    • SOT-223
    • SOT-23(TO-236)
    • DFN-8(5x6)
    • DFN5x6
    • SOP-8
    • TO-247-2
    • TO-247-4
    • TO-262
    • TO-3PF
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
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自营结果数148
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  • 操作

1个N沟道 耐压:900V 电流:4A
RS4N90D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7465277
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
900V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
3Ω@10V,2A

描述超高压MOS,伺服驱动,工控辅助电源,工业电表

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存12K+
  • 1.9237
  • 1.4953
  • 1.3117
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广东仓
12K+
江苏仓
2410

2500/圆盘

总额0

近期成交38单

1个N沟道 耐压:800V 电流:7A
RSE80R850D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7465272
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
740mΩ@10V,1.6A

描述超结MOS,高浪涌要求LED驱动、适配器(印度市场等),设备电源

  • 收藏
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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2060
  • 3.02
  • 2.5
  • 2.24
  • 1.99
  • 1.83
  • 1.75
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广东仓
2028

2500/圆盘

总额0

近期成交23单

1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
RSU12N65D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371940
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
390mΩ@10V,6A

描述超结MOS,LED驱动,适配器,充电器,工控电源

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  • 对比

SMT扩展库

  • 3.34
  • 2.73
  • 2.43
  • 2.13
  • 1.95
  • 1.86
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广东仓
0
江苏仓
1719

2500/圆盘

总额0

近期成交3单

1个N沟道 耐压:500V 电流:20A
RS20N50S
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22364769
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
270mΩ@10V

描述高压MOS,PC电源,防雨电源,PFC控制,LED驱动(谐振)

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SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存347
  • 4.15
  • 3.31
  • 2.88
  • 2.46
  • 2.21
  • 2.08
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广东仓
347
江苏仓
1880

800/圆盘

总额0

近期成交8单

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
RSU7N65D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371939
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
560mΩ@10V,3.5A

描述超结MOS,LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.37
  • 1.92
  • 1.72
  • 1.48
  • 1.37
  • 1.31
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广东仓
0
江苏仓
2096

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

耐压:500V 电流:45A
RSF45N50W
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-247-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22364763
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
45A
导通电阻(RDS(on))
120mΩ@10V
耗散功率(Pd)
250W

描述内置FRD高压MOS,音响电源,电机驱动,逆变器

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  • 对比

SMT扩展库

  • 13.39
  • 12.26
  • 11.55
  • 10.83
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
431

30/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:650V 电流:5A
RS5N65D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371921
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
5A
导通电阻(RDS(on))
1.8Ω@10V,2.5A

描述高压MOS,LED驱动,适配器,充电器,工控电源

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2500
  • 1.2202
  • 0.9582
  • 0.8458
  • 0.7057
  • 0.6433
现货最快4小时发货
广东仓
2500

2500/圆盘

总额0

近期成交3单

RS65R380BD
RS65R380BD
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49317659
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 3.28
  • 2.6
  • 2.31
  • 1.94
  • 1.78
  • 1.68
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2500

2500/圆盘

总额0

RS65R280BD
RS65R280BD
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49317678
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 4.01
  • 3.25
  • 2.88
  • 2.5
  • 2.28
  • 2.16
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2500

2500/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:650V 电流:20A
RS65R190T
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7465268
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
20A
导通电阻(RDS(on))
160mΩ@10V,10A

描述超结MOS,LED驱动,适配器,基站电源,电瓶车充电器,电瓶车换电柜,PC电源

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 7.01
  • 5.95
  • 5.36
  • 4.7
  • 4.41
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
637

50/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:600V 电流:31A
RSF60R099F
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7465261
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
31A
导通电阻(RDS(on))
86mΩ@10V,13A

描述超结MOS,OBC充电机,化成电源,医疗电源,金牌PC电源,服务器电源,TV电源,充电桩,通讯电源,谐振方案,工控

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  • 对比

SMT扩展库

  • 12.03
  • 10.49
  • 9.52
  • 8.53
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
359

50/

总额0

近期成交3单

耐压:30V 电流:180A
RS30N180D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22364777
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
180A
导通电阻(RDS(on))
4.3mΩ@4.5V
耗散功率(Pd)
80W

描述低压MOS-Trench,适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2240
  • 1.5487
  • 1.2161
  • 1.0735
  • 0.8957
现货最快4小时发货
广东仓
2240

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
RSU4N65D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371938
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
880mΩ@10V,2A

描述超结MOS,LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.1119
  • 1.6583
  • 1.4639
  • 1.2214
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1455

2500/圆盘

总额0

近期成交3单

RS65R190S
RS65R190S
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49317671
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 6.62
  • 5.37
  • 4.75
  • 4.13
  • 3.76
  • 3.57
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
800

800/圆盘

总额0

1个N沟道 耐压:600V 电流:2A
RS2N60C
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
SOT-223
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22364772
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
2A
导通电阻(RDS(on))
4.2Ω@10V

描述高压MOS,LED驱动,适配器,充电器

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.5643
  • 0.4903
  • 0.4533
  • 0.4255
  • 0.4033
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3280

4000/圆盘

总额0

近期成交7单

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A
RS30N100D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371932
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
100A
导通电阻(RDS(on))
7mΩ@5V

描述低压MOS-Trench,适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS,电动工具

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.408
  • 1.1056
  • 0.976
  • 0.8143
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2100

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:600V 电流:12A
RS12N60F
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371949
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
600V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
500mΩ@10V,6A

描述高压MOS,按摩椅电源,适配器,充电器,LED驱动,PC电源

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存750
  • 2.62
  • 2.12
  • 1.91
  • 1.64
  • 1.52
现货最快4小时发货
广东仓
750

50/

总额0

近期成交5单

耐压:500V 电流:45A
RS45N50W
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-247-3
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22364762
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
45A
导通电阻(RDS(on))
100mΩ@10V
耗散功率(Pd)
260W

描述高压MOS,大功率PC电源,逆变器,户外屏电源,PFC控制

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 9.97
  • 9.13
  • 8.6
  • 8.06
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
411

30/

总额0

近期成交3单

1个P沟道 耐压:30V 电流:10A
RS4435
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
SOP-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371933
数量
1个P沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
10A
导通电阻(RDS(on))
34mΩ@4.5V

描述低压MOS-Trench,控制板,电子开关,保护板,电子烟

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.8706
  • 0.6882
  • 0.597
  • 0.5286
  • 0.4739
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3830

4000/圆盘

总额0

近期成交1单

RS7N65BD
RS7N65BD
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C49317675
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.479
  • 1.1716
  • 1.0398
  • 0.8754
  • 0.8022
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2500

2500/圆盘

总额0

耐压:650V 电流:9A
RS9N65D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7465279
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
9A
导通电阻(RDS(on))
950mΩ@10V,4.5A
耗散功率(Pd)
170W

描述高压MOS,LED驱动,适配器,充电器,工控电源

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.7599
  • 1.3819
  • 1.2199
  • 1.0178
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2380

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:500V 电流:13A
RS13N50F
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371956
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
13A
导通电阻(RDS(on))
390mΩ@10V,6.5A

描述高压MOS,PC电源,户外屏电源,PFC控制

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存918
  • 2.39
  • 1.93
  • 1.74
  • 1.5
  • 1.39
现货最快4小时发货
广东仓
918

50/

总额0

近期成交7单

1个N沟道 耐压:500V 电流:18A
RS18N50F
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371958
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
280mΩ@10V,9A

描述高压MOS,PC电源,逆变器,户外屏电源,PFC控制

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存492
  • 3.12
  • 2.59
  • 2.32
  • 2.05
现货最快4小时发货
广东仓
492
江苏仓
7

50/

总额0

近期成交5单

1个N沟道 耐压:800V 电流:18A
RSE80R250F
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7465271
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
800V
连续漏极电流(Id)
18A
导通电阻(RDS(on))
220mΩ@10V,5.3A

描述超结MOS,高浪涌要求LED驱动、适配器(印度市场等),设备电源

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 8.73
  • 7.46
  • 6.77
  • 5.98
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
239

50/

总额0

近期成交5单

1个N沟道 耐压:20V 电流:90A
RS20N90D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371926
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
20V
连续漏极电流(Id)
90A
导通电阻(RDS(on))
3.7mΩ@4.5V,20A

描述低压MOS-Trench,适配器,充电器,电机驱动,同步整流,负载开关,控制板,BMS

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 0.8248
  • 0.652
  • 0.5656
  • 0.5008
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2185

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:650V 电流:4A
RS4N65D
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371920
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
4A
导通电阻(RDS(on))
2.4Ω@10V,2A

描述高压MOS,LED驱动,适配器,充电器,工控电源

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.0325
  • 0.8108
  • 0.7157
  • 0.5971
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1185

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:650V 电流:7A
RS7N65MD
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-251
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371944
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
7A
导通电阻(RDS(on))
1.1Ω@10V,3.5A

描述高压MOS,LED驱动,适配器,充电器,工控电源

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.4784
  • 1.1608
  • 1.0248
  • 0.855
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1865

80/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:650V 电流:12A
RSU12N65F
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371970
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
650V
连续漏极电流(Id)
12A
导通电阻(RDS(on))
420mΩ@10V,6A

描述超结MOS,LED驱动,适配器,PD快充,仪器仪表,开关电源

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1个N沟道 耐压:500V 电流:30A
RS30N50W
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371963
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
500V
连续漏极电流(Id)
30A
导通电阻(RDS(on))
85mΩ@10V,15A

描述高压MOS,大功率PC电源,逆变器,户外屏电源,PFC控制

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1个N沟道 耐压:30V 电流:5.8A
RS3400E
品牌
REASUNOS(瑞森半导体)
封装
SOT-23
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5371927
数量
1个N沟道
漏源电压(Vdss)
30V
连续漏极电流(Id)
5.8A
导通电阻(RDS(on))
52mΩ@2.5V

描述低压MOS-Trench,控制板,电子开关,保护板

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