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首页 > 品牌列表 > ANHI(安海) >
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2019年12月接受济南市政府投资1.8亿元。 海外实验室:美国加州圣何塞 主营业务: 功率器件产品及模块的设计与生产、工艺开发、销售以及技术服务 在山东科达量产国内第一款商业化的IGBT单管产品 功率器件: MOSFET/ 超结 MOSFET/IGBT/SIC MOSFET 持有沟槽 SiC MOSFET 功率芯片关键专利 自主知识产权之工艺器件技术和产品技术 服务国内新能源,动力系统驱动及能源转换行业 提供从分立器件到模组级解决方案 构建国内首个专注于高效能第三代功率半导体公 司,做高压、特高压功率器件全球最先进的公司。
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  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 655V
  • 连续漏极电流(Id): 89A
  • 导通电阻(RDS(on)): 27mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 655V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 605V
    • 连续漏极电流(Id): 90A
    • 导通电阻(RDS(on)): 25mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 54A
    • 导通电阻(RDS(on)): 60mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 76A
    • 导通电阻(RDS(on)): 6.5mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
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    • 连续漏极电流(Id): 68A
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    • 连续漏极电流(Id): 6A
    • 导通电阻(RDS(on)): 950mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)): 190mΩ
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    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 113mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 655V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 105mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 655V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)): 105mΩ
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