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首页 > 品牌列表 > ANHI(安海) >
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2019年12月接受济南市政府投资1.8亿元。 海外实验室:美国加州圣何塞 主营业务: 功率器件产品及模块的设计与生产、工艺开发、销售以及技术服务 在山东科达量产国内第一款商业化的IGBT单管产品 功率器件: MOSFET/ 超结 MOSFET/IGBT/SIC MOSFET 持有沟槽 SiC MOSFET 功率芯片关键专利 自主知识产权之工艺器件技术和产品技术 服务国内新能源,动力系统驱动及能源转换行业 提供从分立器件到模组级解决方案 构建国内首个专注于高效能第三代功率半导体公 司,做高压、特高压功率器件全球最先进的公司。
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101
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 类型: 1个N沟道
  • 漏源电压(Vdss): 655V
  • 连续漏极电流(Id): 89A
  • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 27mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 655V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 110mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 500V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 113mΩ
    • 功率(Pd): 160W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 605V
    • 连续漏极电流(Id): 90A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 25mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 655V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 105mΩ
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9
    • 第二阶梯9
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 655V
    • 连续漏极电流(Id): 80A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 34mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 1.2kV
    • 连续漏极电流(Id): 35A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 80mΩ
    • 功率(Pd): 188W
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    • 30+: 

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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 330mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 395A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 1.2mΩ
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 655V
    • 连续漏极电流(Id): 30A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 105mΩ
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    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9
    • 第二阶梯9
    • 第三阶梯9
    • 第四阶梯9
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      ¥6.777
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    • 1000+: 

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      江苏仓: 589
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    • 漏源电压(Vdss): 700V
    • 连续漏极电流(Id): 80A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 41mΩ
    • 功率(Pd): 500W
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 54A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 60mΩ
    • 功率(Pd): 172W
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  • 9 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9
    • 第二阶梯9
    • 第三阶梯9
    • 第四阶梯9
    • 第五阶梯9
    • 第六阶梯9
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      • ¥15.34
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    • 25+: 

      ¥16.497
    • 100+: 

      ¥14.886
    • 500+: 

      ¥14.139
    • 1000+: 

      ¥13.806
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 85V
    • 连续漏极电流(Id): 65A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.3mΩ
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    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
    • 第五阶梯9.5
    • 第六阶梯9.5
  • SMT扩展库
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    • 30+: 

      ¥2.584
    • 100+: 

      ¥2.28
    • 500+: 

      ¥2.0995
    • 1000+: 

      ¥2.0045
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    • 圆盘
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 15A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 230mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 80V
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
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    • 漏源电压(Vdss): 85V
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 120V
    • 连续漏极电流(Id): 169A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 4.1mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 700V
    • 连续漏极电流(Id): 11A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 350mΩ
    • 功率(Pd): 31W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 850V
    • 连续漏极电流(Id): 8.5A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 710mΩ
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    • IGBT类型: FS(场截止)
    • 集射极击穿电压(Vces): 650V
    • 集电极电流(Ic): 60A
    • 功率(Pd): 375W
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 214A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.8mΩ
    • 功率(Pd): 330W
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  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
    • 第二阶梯9.5
    • 第三阶梯9.5
    • 第四阶梯9.5
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    • 第六阶梯9.5
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 68A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 8.4mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 100V
    • 连续漏极电流(Id): 76A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6.5mΩ
    • 功率(Pd): 91W
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    • 漏源电压(Vdss): 80V
    • 连续漏极电流(Id): 60A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 6mΩ
    • 功率(Pd): 74W
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    • 类型: 1个N沟道
    • 漏源电压(Vdss): 750V
    • 连续漏极电流(Id): 6A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 950mΩ
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    • 漏源电压(Vdss): 40V
    • 连续漏极电流(Id): 125A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 2.9mΩ
    • 功率(Pd): 310W
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  • 9.5 折
    • 订单数量按照以下:
    • 第一阶梯9.5
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    • 漏源电压(Vdss): 650V
    • 连续漏极电流(Id): 20A
    • 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 190mΩ
    • 功率(Pd): 126W
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      ¥3.951
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