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ANHI(安海)

ANHI(安海)

进入品牌官网

该品牌成立于2019年,接受济南市政府投资1.8亿元,主营业务为功率器件产品及模块的设计与生产、工艺开发、销售以及技术服务。主要生产MOSFET、超结MOSFET、IGBT和SIC MOSFET等功率器件。

  • 类目
    • 场效应管(MOSFET)
    • 碳化硅场效应管(MOSFET)
    • IGBT管/模块
    多选
  • 封装
    • TO-220F
    • TO-247
    • TO-263
    • TO-220
    • TO-252
    • TOLL-8L
    • DFN-8(5x6)
    • TO-247-4
    • DFN8x8
    • TO-251
    • DFN-8(8x8)
    • SOT-223-2
    • TO-263-7
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数100
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

1个N沟道 耐压:655V 电流:30A
ASA65R120EFD
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18722997
数量
1个N沟道
漏源电压
700V
连续漏极电流
30A
导通电阻
120mΩ@10V,14A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1001
  • 11.76
  • 9.95
  • 8.82
  • 7.66
  • 7.14
  • 6.91
现货最快4小时发货
广东仓
1001

50/

总额0

近期成交3单

耐压:700V 电流:11A
ASD65R350E
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440010
数量
1个N沟道
漏源电压
700V
连续漏极电流
11A
导通电阻
350mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 4.02
  • 3.38
  • 3.06
  • 2.82
  • 2.59
  • 2.48
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1426

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:800V 电流:8.5A
ASD80R750E
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18722989
数量
1个N沟道
漏源电压
800V
连续漏极电流
8.5A
导通电阻
750mΩ@10V,6A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2460
  • 4.58
  • 3.69
  • 3.24
  • 2.8
  • 2.53
  • 2.4
现货最快4小时发货
广东仓
2460

2500/圆盘

总额0

近期成交11单

1个N沟道 耐压:85V 电流:65A
AUN050N08BGL
品牌
ANHI(安海)
封装
DFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18723005
数量
1个N沟道
漏源电压
85V
连续漏极电流
65A
导通电阻
5mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.72
  • 2.4
  • 2.23
  • 2.07
  • 1.98
  • 1.93
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2599

5000/圆盘

总额0

近期成交7单

耐压:100V 电流:68A
AUN084N10
品牌
ANHI(安海)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440026
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
68A
导通电阻
8.4mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.88
  • 2.4
  • 2.15
  • 1.97
  • 1.8
  • 1.71
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4471

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:655V 电流:89A
ASW65R031EFD
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C19192887
数量
1个N沟道
漏源电压
655V
连续漏极电流
89A
导通电阻
31mΩ@10V,28A
  • 收藏
  • 对比
  • 25.65
  • 24.39
  • 23.62
  • 22.98
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
380

25/

总额0

近期成交5单

耐压:100V 电流:76A
AUN065N10
品牌
ANHI(安海)
封装
DFN-8(5x6)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440027
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
76A
导通电阻
6.5mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 3.08
  • 2.56
  • 2.3
  • 2.11
  • 1.92
  • 1.83
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
4492

5000/圆盘

总额0

近期成交1单

N沟道,电流:15A,耐压:700V
ASM65R280E
品牌
ANHI(安海)
封装
DFN-8(8x8)
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22470099
漏源电压
650V
连续漏极电流
15A
导通电阻
280mΩ@10V
耗散功率
126W

描述VDS=700V/Id=15A,Rds(on)=240mΩ/Qg=19.4nC /Ciss=953.8pF/Trr=237.7nS

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.64
  • 5.09
  • 4.79
  • 4.45
  • 4.3
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
898

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:750V 电流:6A
ASE70R950E
品牌
ANHI(安海)
封装
SOT223-2L
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440015
数量
1个N沟道
漏源电压
750V
连续漏极电流
6A
导通电阻
950mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.41
  • 1.99
  • 1.8
  • 1.62
  • 1.5
  • 1.43
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2054

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:650V 电流:15A
ASM65R265E
品牌
ANHI(安海)
封装
DFN8x8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440041
数量
1个N沟道
漏源电压
650V
连续漏极电流
15A
导通电阻
230mΩ
  • 收藏
  • 对比
  • 7.3
  • 6.57
  • 6.16
  • 5.7
  • 5.5
  • 5.4
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2906

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:700V 电流:80A
ASW65R041EFDA
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440017
数量
1个N沟道
漏源电压
700V
连续漏极电流
80A
导通电阻
41mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 29.96
  • 26.54
  • 24.51
  • 22.82
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
355

30/

总额0

近期成交1单

耐压:40V 电流:125A
AUD034N04LA
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7494990
数量
1个N沟道
漏源电压
40V
连续漏极电流
125A
导通电阻
2.9mΩ
  • 收藏
  • 对比
  • 3.33
  • 2.94
  • 2.75
  • 2.56
  • 2.53
  • 2.48
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2448

2500/圆盘

总额0

近期成交1单

耐压:650V 电流:11A
ASM60R330E
品牌
ANHI(安海)
封装
DFN8x8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440039
数量
1个N沟道
漏源电压
650V
连续漏极电流
11A
导通电阻
330mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.58
  • 4.77
  • 4.33
  • 3.92
  • 3.65
  • 3.53
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2527

3000/圆盘

总额0

近期成交1单

ASB65R120EFD
ASB65R120EFD
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C22470098
漏源电压
655V
连续漏极电流
30A
导通电阻
120mΩ@10V
阈值电压
5V@250uA

描述VDS=700V/Id=30A,Rds(on)=105mΩ/Qg=55.4nC /Ciss=2657pF/Trr=136.7nS

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 7.77
  • 7.11
  • 6.7
  • 6.28
  • 6.09
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
590

800/圆盘

总额0

近期成交1单

耐压:100V 电流:395A
AUR014N10
品牌
ANHI(安海)
封装
TOLL
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7494988
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
395A
导通电阻
1.2mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 13.25
  • 12.58
  • 12.18
  • 11.78
  • 11.59
  • 11.51
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1901

2000/圆盘

总额0

近期成交1单

耐压:100V 电流:123A
AUN063N10
品牌
ANHI(安海)
封装
DFN5x6-8
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440031
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
123A
导通电阻
6.3mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存38
  • 2.9
  • 2.44
  • 2.21
  • 2.04
  • 1.87
  • 1.79
现货最快4小时发货
广东仓
18
江苏仓
1608

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:60V 电流:290A
AUP023N06
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7494989
数量
1个N沟道
漏源电压
60V
连续漏极电流
290A
导通电阻
2.3mΩ
  • 收藏
  • 对比
  • 5.79
  • 5.21
  • 5.06
  • 4.7
  • 4.54
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
687

50/

总额0

近期成交1单

AUP034N06
AUP034N06
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18722999
漏源电压
60V
连续漏极电流
210A
导通电阻
3.4mΩ@10V,20A
耗散功率
230W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.97
  • 5.39
  • 5.07
  • 4.71
  • 4.55
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
998

50/

总额0

近期成交1单

耐压:500V 电流:30A
ASW50R130E
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7494991
数量
1个N沟道
连续漏极电流
30A
导通电阻
113mΩ
耗散功率
160W
  • 收藏
  • 对比
  • 8.33
  • 7.63
  • 7.19
  • 6.74
  • 6.54
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
797

25/

总额0

近期成交1单

耐压:1.2kV 电流:35A
ADQ120N080G2
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-247-4L
类目
碳化硅场效应管(MOSFET)
编号
C5440043
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 66.52
  • 59.34
  • 54.97
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
65

30/

总额0

近期成交2单

1个N沟道 耐压:655V 电流:30A
ASW65R120EFD
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18723001
数量
1个N沟道
漏源电压
655V
连续漏极电流
30A
导通电阻
120mΩ@10V,14A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 10.42
  • 9.54
  • 8.99
  • 8.42
  • 8.17
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
714

25/

总额0

近期成交4单

耐压:650V 电流:54A
ASW65R072EFDA
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-247
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C7494993
数量
1个N沟道
漏源电压
650V
连续漏极电流
54A
导通电阻
60mΩ
  • 收藏
  • 对比
  • 18.33
  • 17.44
  • 16.91
  • 15.7
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
354

25/

总额0

近期成交7单

1个N沟道 耐压:650V 电流:15A
ASA65R270E
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18723000
数量
1个N沟道
漏源电压
650V
连续漏极电流
15A
导通电阻
270mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.33
  • 4.79
  • 4.66
  • 4.33
  • 4.18
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
770

50/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:605V 电流:47A
ASA60R090EFDA
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-220F
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18722996
数量
1个N沟道
漏源电压
650V
连续漏极电流
47A
导通电阻
90mΩ@10V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存200
  • 14.02
  • 11.83
  • 10.47
  • 9.07
现货最快4小时发货
广东仓
200

50/

总额0

近期成交1单

1个N沟道 耐压:55V 电流:125A
AUD060N055
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-252
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18723004
数量
1个N沟道
漏源电压
55V
连续漏极电流
125A
导通电阻
6mΩ@10V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.39
  • 2.09
  • 1.96
  • 1.79
  • 1.72
  • 1.68
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
1200

2500/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:85V 电流:160A
AUB033N08BG
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440029
漏源电压
85V
连续漏极电流
160A
导通电阻
3.3mΩ
耗散功率
179W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 4.3
  • 3.62
  • 3.28
  • 3.02
  • 2.78
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
706

800/圆盘

总额0

近期成交2单

耐压:100V 电流:214A
AUB034N10
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440034
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
214A
导通电阻
3.4mΩ
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 6.07
  • 5.22
  • 4.76
  • 4.33
  • 4.04
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
652

800/圆盘

总额0

近期成交1单

耐压:650V 电流:20A
ASB65R220E
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18199767
漏源电压
650V
连续漏极电流
20A
导通电阻
220mΩ@10V,7A
耗散功率
126W
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存250
  • 6.85
  • 5.61
  • 4.93
  • 4.16
现货最快4小时发货
广东仓
230

800/圆盘

总额0

近期成交10单

1个N沟道 耐压:100V 电流:76A
AUP065N10
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-220
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C18722995
数量
1个N沟道
漏源电压
100V
连续漏极电流
76A
导通电阻
11mΩ@4.5V,20A
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 2.85
  • 2.53
  • 2.37
  • 2.21
  • 2.11
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
938

50/

总额0

近期成交1单

耐压:750V 电流:11A
ASB70R380E
品牌
ANHI(安海)
封装
TO-263
类目
场效应管(MOSFET)
编号
C5440009
漏源电压
750V
连续漏极电流
11A
耗散功率
83W
阈值电压
3.5V
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 4.55
  • 3.82
  • 3.46
  • 3.19
  • 2.93
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
788

800/圆盘

总额0