
GOSEMICON(顾邦半导体)
进入品牌官网深圳市顾邦半导体科技有限公司成立于2015年,起初专注于可穿戴智能设备和智能数据管理平台,随后转向功率半导体市场。主要生产功率半导体产品。
深圳市顾邦半导体科技有限公司成立于2015年,起初专注于可穿戴智能设备和智能数据管理平台,随后转向功率半导体市场。主要生产功率半导体产品。
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描述基准电压0.8V,软启可调,频率可调
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描述GBI1633是一款60V、3A的非同步降压DC-DC转换器,具备高效睡眠模式。支持4.5V至60V的宽输入电压范围,最高3A连续输出电流。集成150mΩ高侧功率MOSFET,支持可调开关频率200kHz至2.0MHz。轻载时采用脉冲跳过模式(PSM),静态电流低至100μA,关断电流1μA。具备多种保护功能,如逐周期电流限制、热关断保护、输出过压保护和输入欠压保护。采用8引脚eSOP-8L封装。
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描述GBI1430是一款40V, 3.5A的非同步降压转换器,具有集成的80mΩ高侧MOSFET。支持宽输入电压范围(4.0V至40V),最大输出电流为3.5A,具有高效率睡眠模式,可调开关频率范围为200kHz至2.5MHz,集成多种保护功能,如逐周期限流、热关断保护、输出过压保护和输入欠压保护。采用8引脚eSOP-8L封装。
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描述GBI1450是一款40V、5A的非同步降压DC-DC转换器,具有集成80mΩ高侧MOSFET。输入电压范围为4.0V至40V,适用于各种工业和汽车应用。该器件采用峰值电流模式控制,支持宽范围的可调开关频率,并具有多种保护功能。
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描述GBI1650是一款60V、5A非同步降压DC-DC转换器,具有高效率睡眠模式。支持宽输入电压范围(4.5V-60V),最大连续输出电流为5A,反馈参考电压为0.8V ± 1%,内置83mΩ高侧MOSFET,支持可调频率(100kHz至2.5MHz),具备频率扩展谱技术(FSS),适用于汽车应用。静态电流在睡眠模式下为120μA,关机电流为3.8μA,适合电池供电系统。集成多种保护功能,如逐周期限流和热关断保护。采用8引脚eSOP-8L封装。
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描述基准电压0.8V,带PG,频率可调
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描述GBI1400是一款40V、600mA的同步降压转换器,具有宽输入电压范围(5V至40V),内置400mΩ高侧和200mΩ低侧MOSFET,支持脉冲跳跃模式(PSM)以提高轻载效率。其静态电流在睡眠模式下为80uA,关断电流为1uA,适合电池供电系统。该器件还集成了多种保护功能,如逐周期限流和热关断保护,采用TSOT23-6L封装。
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描述双通道、低边高速MOSFET、GaN HEMT、IGBT驱动器,供电电压4.5~20V、拉/灌峰值电流5A
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描述N-channel 30V 1.3mΩ (Typ) Power MOSFET
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描述GBI1620是一款60V、2.5A的非同步降压DC-DC转换器,具有宽输入电压范围(4.5V至60V),集成150mΩ高侧MOSFET。该器件支持宽范围可调开关频率(200kHz至2.5MHz),具有低静态电流(100uA睡眠模式)和多种保护功能。
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描述Enhancement-mode 650V 140mΩ(Typ) GaN Power Transistor
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描述GBI1600是一款4-60V输入电压范围的非同步降压DC-DC转换器,最大输出电流为800mA。集成600mΩ高侧功率MOSFET,固定频率620kHz,具有脉冲跳跃模式和过温保护功能。
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描述1.1V-6.5V 3A High Accuracy Low Noise LDO Regulator
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近期成交25单
描述GBI5130 4A High Accuracy Low Noise LDO Regulator
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描述120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
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描述6.5V 2A Ultralow Noise High PSRR Fast Transient Response CMOS LDO Regulator
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近期成交7单
描述N-channel 30V 0.85mΩ (Typ) Power MOSFET
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近期成交89单
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近期成交4单
描述120V BOOT, 4A Peak, Half-Bridge Driver with Low Switching Loss
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