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WXNSIC(国硅集成)

WXNSIC(国硅集成)

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国硅集成电路技术(无锡)有限公司成立于2020年11月17日,专注于车规级模拟IC芯片的研发与销售。主要产品线包括栅极驱动IC芯片、隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块。

  • 类目
    • 栅极驱动芯片
    • 功率电子开关
    • 智能功率模块(IPM)
    • 音频功率放大器
    • 电池管理
    • 电荷泵
    • LCD驱动
    多选
  • 封装
    • SOP-8
    • SOP-16
    • SOT-23-5
    • SOP-14
    • DIP-8
    • SOT-23-6
    • TSSOP-20
    • SOP-23
    • DFN-8(2x3)
    • QFN-24-EP(4x4)
    • SOP-28
    • DFN-12(1.5x3)
    • DFN-8-EP(3x3)
    • DIP-14
    • QFN-16-EP(3x3)
    • QFN-24
    • QFN-24(4x4)
    • QFN-26(5x6)
    • QFN-48-EP(7x7)
    • SOP-10
    多选
综合排序
价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数131
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

  • 优惠券/标签

  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

集成自举的三相栅极驱动芯片
NSG20652Q
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
QFN-24-EP(4x4)
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414479
驱动配置
三相
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
1.5A
拉电流(IOH)
1.2A

描述250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管、集成LDO

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4746
  • 3.29
  • 2.56
  • 2.25
  • 1.87
  • 1.69
  • 1.59
现货最快4小时发货
广东仓
4746

5000/圆盘

总额0

近期成交4单

NSA20921
NSA20921
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-16
类目
音频功率放大器
编号
C49023240
功放类型
D类功放
静态电流(Iq)
3mA
工作温度
-40℃~+125℃
电源纹波抑制比(PSRR)
65dB

描述NSA20921是一款高压、高性能的D类音频功率放大器驱动芯片,针对超大输出功率的D类音频功放系统设计。集成有模拟功率放大器,PWM波调制电路,高、低压侧过流保护功能(针对高低压侧两个功率器件),防直通死区逻辑以及三个电压域(VAA~VSS/VCC~COM/VBV~VS),该产品采用灵活开放式的拓扑结构实现PWM调制功能。NSA20921集成了启动和关断期间的“咔哒”声消除功能,用于抑制PWM信号启动和关闭期间非必要的听觉噪声。配合一个功率桥电路及少许无源器件即可实现一个完整的D类音频功率放大器。

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  • 对比

SMT扩展库

  • 8.18
  • 6.81
  • 6.06
  • 5.21
  • 4.84
  • 4.67
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3976

4000/圆盘

总额0

近期成交3单

带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2127
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414524
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
600mA

描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2790
  • 4.55
  • 3.66
  • 3.22
  • 2.78
  • 2.52
  • 2.38
现货最快4小时发货
广东仓
2790

4000/圆盘

总额0

近期成交4单

NSA20957
NSA20957
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-16
类目
音频功率放大器
编号
C41414533
功放类型
D类功放
工作电压
10V~18V
静态电流(Iq)
3mA
工作温度
-40℃~+125℃

描述集成保护功能的数字音频功率放大器

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2098
  • 11.45
  • 9.64
  • 8.51
  • 7.35
  • 6.83
  • 6.6
现货最快4小时发货
广东仓
2098

4000/圆盘

总额0

近期成交3单

双通道2A超高速功率开关驱动器
NSG4427
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
功率电子开关
编号
C7421045
通道数
2
工作电压
4.5V~20V
工作温度
-40℃~+125℃

描述双通道(双同)、拉/灌电流:2/2A,输入耐受低至-10V

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4034
  • 1.2312
  • 0.9591
  • 0.8424
  • 0.6969
  • 0.6321
  • 0.5932
现货最快4小时发货
广东仓
4025
江苏仓
3675

4000/圆盘

总额0

近期成交31单

600V自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2153D
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473165
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
1.5A
拉电流(IOH)
1.2A

描述NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压(1/6th VCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)D 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。

  • 收藏
  • 对比
  • 2.92
  • 2.26
  • 1.98
  • 1.63
  • 1.48
  • 1.38
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3816

4000/圆盘

总额0

近期成交4单

带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21271
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414525
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
600mA

描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A

  • 收藏
  • 对比
  • 4.54
  • 3.63
  • 3.18
  • 2.73
  • 2.46
  • 2.32
现货最快4小时发货
广东仓
3940

4000/圆盘

总额0

近期成交1单

NSH505PQ
NSH505PQ
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
PQFN-26(5x6)
类目
智能功率模块(IPM)
编号
C48735684
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 1.67
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2972

6000/圆盘

总额0

近期成交7单

三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
G2060
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
TSSOP-20
类目
栅极驱动芯片
编号
C7421051
驱动配置
全桥
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
6
灌电流(IOL)
1.8A

描述250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.5/1.8A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4615
  • 2.1588
  • 1.6952
  • 1.4964
  • 1.2485
  • 1.1381
  • 1.0718
现货最快4小时发货
广东仓
4615

4000/圆盘

总额0

近期成交5单

快速、高压侧NMOS静态开关驱动器
NSG2000
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414507
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET
下降时间(tf)
30ns
工作温度
-40℃~+125℃

描述250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器,可实现100%占空比

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1916
  • 4.5
  • 3.6
  • 3.15
  • 2.71
  • 2.44
  • 2.3
现货最快4小时发货
广东仓
1889

4000/圆盘

总额0

近期成交19单

NSG21276
NSG21276
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414526
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
4A

描述NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

  • 收藏
  • 对比
  • 5.32
  • 4.29
  • 3.77
  • 3.26
  • 2.95
  • 2.79
现货最快4小时发货
广东仓
133
江苏仓
1500

4000/圆盘

总额0

近期成交4单

单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2101
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C7421061
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
600mA

描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.26/0.6A

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3707
  • 1.8085
  • 1.4154
  • 1.2469
  • 1.0367
  • 0.9431
现货最快4小时发货
广东仓
3695

4000/圆盘

总额0

近期成交11单

大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2186
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C7421060
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
4A

描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3124
  • 3.77
  • 3.04
  • 2.67
  • 2.31
  • 2.09
  • 1.98
现货最快4小时发货
广东仓
3120

4000/圆盘

总额0

近期成交3单

单通道低侧同相栅极驱动芯片
NSG4420
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473158
驱动配置
低边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
6A

描述NSG4420是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4420逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

  • 收藏
  • 对比
  • 4.45
  • 3.54
  • 3.09
  • 2.64
  • 2.37
  • 2.23
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2515

4000/圆盘

总额0

近期成交2单

NSA2092
NSA2092
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-16
类目
音频功率放大器
编号
C41414531
功放类型
D类功放
工作电压
10V~320V
静态电流(Iq)
3mA
工作温度
-40℃~+125℃

描述集成保护功能的数字音频功率放大器

  • 收藏
  • 对比
  • 8.74
  • 7.23
  • 6.4
  • 5.46
  • 5.04
现货最快4小时发货
广东仓
902

4000/圆盘

总额0

近期成交3单

NSA2093
NSA2093
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
QFN-48-EP(7x7mm)
类目
音频功率放大器
编号
C41414532
功放类型
D类功放
工作电压
10V~18V
静态电流(Iq)
3mA
工作温度
-40℃~+125℃

描述集成保护功能的数字音频功率放大器

  • 收藏
  • 对比
  • 31.62
  • 26.79
  • 23.92
  • 21.02
  • 19.69
  • 19.08
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3000

4000/圆盘

总额0

650V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG6000
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414489
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
1A

描述650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.6/1.0A

  • 收藏
  • 对比
  • 1.2906
  • 1.0134
  • 0.8946
  • 0.7464
  • 0.6804
现货最快4小时发货
广东仓
3975

4000/圆盘

总额0

近期成交14单

NSG2024
NSG2024
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414483
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET
灌电流(IOL)
4A
拉电流(IOH)
4A

描述250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A、集成自举二极管(180ohm)

  • 收藏
  • 对比
  • 2.0579
  • 1.6043
  • 1.4099
  • 1.1674
  • 1.0594
现货最快4小时发货
广东仓
2680

4000/圆盘

总额0

近期成交11单

大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21864
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-14
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414499
负载类型
MOSFET;IGBT
上升时间(tr)
40ns
下降时间(tf)
20ns
工作温度
-40℃~+125℃

描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A

  • 收藏
  • 对比
  • 4.54
  • 3.63
  • 3.18
  • 2.73
  • 2.46
  • 2.32
现货最快4小时发货
广东仓
1815

3000/圆盘

总额0

近期成交2单

单通道低侧反相栅极驱动芯片
NSG4429
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473159
驱动配置
低边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
6A

描述NSG4429是一款低电压功率MOSFET和IGBT反相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4429逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

  • 收藏
  • 对比
  • 4.87
  • 3.88
  • 3.38
  • 2.89
  • 2.59
  • 2.44
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2671

4000/圆盘

总额0

近期成交1单

NSG0462UQ
NSG0462UQ
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
QFN-16-EP(3x3)
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414784
驱动配置
三相;半桥
负载类型
MOSFET
驱动通道数
6
灌电流(IOL)
300mA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4942
  • 1.2908
  • 1.0388
  • 0.9308
  • 0.7961
  • 0.7361
现货最快4小时发货
广东仓
4940

5000/圆盘

总额0

近期成交6单

600V自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21531D
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473164
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
1.5A
拉电流(IOH)
1.2A

描述NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压(1/6th VCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)D 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。

  • 收藏
  • 对比
  • 3.14
  • 2.44
  • 2.14
  • 1.76
  • 1.59
  • 1.49
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2306

4000/圆盘

总额0

近期成交2单

自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2153DP
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
DIP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473162
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
1.5A

描述NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压(1/6thVCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)DP 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。

  • 收藏
  • 对比
  • 3.14
  • 2.44
  • 2.14
  • 1.76
  • 1.59
  • 1.49
现货最快4小时发货
广东仓
2000
江苏仓
52

50/

总额0

近期成交3单

单相高侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG10752
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOT-23-6
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414522
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
600mA
拉电流(IOH)
290mA

描述100V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.6/1.0A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1931
  • 3.33
  • 2.65
  • 2.36
  • 1.99
  • 1.83
  • 1.73
现货最快4小时发货
广东仓
1931

3000/圆盘

总额0

近期成交10单

带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2128
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414527
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
600mA

描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A

  • 收藏
  • 对比
  • 4.49
  • 3.6
  • 3.16
  • 2.72
  • 2.46
  • 2.32
现货最快4小时发货
广东仓
1890

4000/圆盘

总额0

近期成交1单

三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
G2061
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
TSSOP-20
类目
栅极驱动芯片
编号
C7421052
驱动配置
三相
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
6
灌电流(IOL)
1.8A

描述250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.5/1.8A

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近期成交26单

集成自举的三相栅极驱动芯片
NSG2065
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
TSSOP-20
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414477
驱动配置
三相;低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
1.5A
拉电流(IOH)
1.2A

描述250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管

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近期成交6单

700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21867
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414500
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
4A

描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A

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近期成交3单

大电流、高低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2184
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C7421059
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
4A

描述700V N+N半桥驱动、单输入(IN&/SD)、集成SD功能,拉/灌电流:4/4A

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近期成交3单

NSG21281
NSG21281
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414528
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
600mA

描述NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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