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首页 > 品牌列表 > WXNSIC(国硅集成) >
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国硅集成电路技术(无锡)有限公司成立于2020年11月17日,办公地点位于无锡市新吴区电腾路6号。 国硅集成电路技术(无锡)有限公司专注于车规级模拟IC芯片的研发与销售,包括25V~700V栅极驱动IC芯片、3300V/5000V隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块,为汽车电子、 光伏及储能、 数据中心和工业控制等市场领域的终端客户高可靠性功率模拟IC芯片。 公司拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,国内首创四端口单片集成高压自举、自适应高压侧窄脉冲传输、增强型快速电平移位、互导型电容隔离信号传输、超高精度的片上集成双向过流保护等多项功率 IC 芯片核心技术,申请专利20余项,已获得授权专利6项,集成电路版图布局保护30余项,软件著作权项。 公司总部位于江苏无锡,公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作伙伴,致力于建立合作共赢的长期协作关系。
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107
型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • 负载类型: MOSFET;IGBT
  • 驱动通道数: 2
  • 灌电流(IOL): 4A
  • 拉电流(IOH): 4A
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    • NSG20652Q
    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: QFN-24-EP(4x4)
    • 描述: 250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管、集成LDO
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 下降时间: 15ns
    • 工作温度: -40℃~+125℃
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 4A
    • 拉电流(IOH): 4A
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    • 工作电压: 10V~18V
    • 静态电流(Iq): 3mA
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    • 驱动配置: 三相
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 6
    • 灌电流(IOL): 1.8A
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    • 驱动配置: 高边
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
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    • 驱动配置: 高边
    • 负载类型: MOSFET
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
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    • 拉电流(IOH): 4A
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    • 驱动配置: 高边
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
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    • 工作电压: 10V~18V
    • 静态电流(Iq): 3mA
    • 工作温度: -40℃~+125℃
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    • 功放类型: D类功放
    • 工作电压: 10V~320V
    • 静态电流(Iq): 3mA
    • 工作温度: -40℃~+125℃
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    • 100+: 

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    • 广东仓: 970
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      ¥2.84
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    • 广东仓: 0
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 下降时间: 9ns
    • 工作温度: -40℃~+125℃
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    • 广东仓: 1832
      江苏仓: 0
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    • 4000个/圆盘
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    • 近期成交5单
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 1.5A
    • 拉电流(IOH): 1.2A
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  • SMT扩展库
    • 1+: 

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    • 广东仓: 3821
      江苏仓: 0
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    • 4000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • 近期成交19单
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    • 驱动配置: 高边
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 1
    • 灌电流(IOL): 600mA
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    • 广东仓: 2250
      江苏仓: 0
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    • 4000个/圆盘
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    • 驱动配置: 高边
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 上升时间(tr): 70ns
    • 下降时间: 30ns
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    • 1000+: 

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    • 广东仓: 2148
      江苏仓: 0
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    • 3000个/圆盘
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    • 近期成交7单
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    • 负载类型: MOSFET
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 2A
    • 拉电流(IOH): 2A
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    • 50+: 

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      ¥0.8424
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      ¥0.6969
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    • 广东仓: 2365
      江苏仓: 0
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    • 近期成交20单
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    • 驱动配置: 低边
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 1
    • 灌电流(IOL): 2A
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      ¥0.6847
    • 500+: 

      ¥0.5635
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    • 广东仓: 2925
      江苏仓: 0
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    • 近期成交26单
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      ¥3.37
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      ¥2.67
    • 30+: 

      ¥2.37
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      ¥1.99
    • 500+: 

      ¥1.82
    • 1000+: 

      ¥1.72
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    • 广东仓: 0
      江苏仓: 2556
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    • 4000个/圆盘
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 上升时间(tr): 40ns
    • 下降时间: 20ns
    • 工作温度: -40℃~+125℃
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      ¥3.3
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      ¥2.58
    • 1000+: 

      ¥2.44
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    • 广东仓: 2000
      江苏仓: 0
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    • 3000个/圆盘
    • 总额: ¥0
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    • NSG2007
    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:0.29/0.6A、集成自举二极管(60ohm)
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 600mA
    • 拉电流(IOH): 290mA
  • 领券
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    • 5+: 

      ¥1.056
    • 50+: 

      ¥0.8292
    • 150+: 

      ¥0.732
    • 500+: 

      ¥0.6107
    • 2500+: 

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    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流:0.29/0.6A、集成自举二极管(60ohm)
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 600mA
    • 拉电流(IOH): 290mA
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    • 驱动配置: 半桥
    • 负载类型: MOSFET
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    • 工作电压: 5V~40V
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 6
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    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 600mA
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    • 驱动配置: 高边
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
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    • 驱动配置: 半桥
    • 负载类型: IGBT
    • 上升时间(tr): 60ns
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    • NSG2005
    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.29/0.6A、集成自举二极管(60ohm)
    • 负载类型: MOSFET;IGBT
    • 驱动通道数: 2
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