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国硅集成电路技术(无锡)有限公司成立于2020年11月17日,办公地点位于无锡市新吴区电腾路6号。 国硅集成电路技术(无锡)有限公司专注于车规级模拟IC芯片的研发与销售,包括25V~700V栅极驱动IC芯片、3300V/5000V隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块,为汽车电子、 光伏及储能、 数据中心和工业控制等市场领域的终端客户高可靠性功率模拟IC芯片。 公司拥有完整的自主研发体系并掌握多项国内领先的关键核心技术,国内首创四端口单片集成高压自举、自适应高压侧窄脉冲传输、增强型快速电平移位、互导型电容隔离信号传输、超高精度的片上集成双向过流保护等多项功率 IC 芯片核心技术,申请专利20余项,已获得授权专利6项,集成电路版图布局保护30余项,软件著作权项。 公司总部位于江苏无锡,公司宗旨是诚信对待、忠诚服务所有客户和合作伙伴,致力于建立合作共赢的长期协作关系。
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型号/品牌/封装 参数 类别/数据手册 价格阶梯(含税) 库存交期 数量 操作
  • NSG20652Q
  • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
  • 封装: QFN-24-EP(4x4)
  • 描述: 250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管、集成LDO
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    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: TSSOP-20
    • 描述: 250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.5/1.8A
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    • 灌电流(IOL): 1.8A
    • 拉电流(IOH): 1.5A
    • 工作电压: 8V~20V
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    • G2020
    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 1.5A
    • 拉电流(IOH): 1.2A
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    • NSG2008
    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: SOIC-8
    • 描述: 250V N+N半桥驱动、IN&/SD、拉/灌电流:0.29/0.6A、集成自举二极管(60ohm)
    • 驱动通道数: 2
    • 灌电流(IOL): 600mA
    • 拉电流(IOH): 290mA
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    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: TSSOP-20
    • 描述: 250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管
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    • NSG2024
    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A、集成自举二极管(180ohm)
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    • NSG2003
    • 品牌: WXNSIC(国硅集成)
    • 封装: SOP-8
    • 描述: 250V N+N半桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:0.29/0.6A、集成自举二极管(60ohm)
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