
WXNSIC(国硅集成)
进入品牌官网国硅集成电路技术(无锡)有限公司成立于2020年11月17日,专注于车规级模拟IC芯片的研发与销售。主要产品线包括栅极驱动IC芯片、隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块。
国硅集成电路技术(无锡)有限公司成立于2020年11月17日,专注于车规级模拟IC芯片的研发与销售。主要产品线包括栅极驱动IC芯片、隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块。
描述250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管、集成LDO
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5000个/圆盘
总额¥0
近期成交4单
描述NSA20921是一款高压、高性能的D类音频功率放大器驱动芯片,针对超大输出功率的D类音频功放系统设计。集成有模拟功率放大器,PWM波调制电路,高、低压侧过流保护功能(针对高低压侧两个功率器件),防直通死区逻辑以及三个电压域(VAA~VSS/VCC~COM/VBV~VS),该产品采用灵活开放式的拓扑结构实现PWM调制功能。NSA20921集成了启动和关断期间的“咔哒”声消除功能,用于抑制PWM信号启动和关闭期间非必要的听觉噪声。配合一个功率桥电路及少许无源器件即可实现一个完整的D类音频功率放大器。
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4000个/圆盘
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近期成交3单
描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A
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4000个/圆盘
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近期成交4单
描述集成保护功能的数字音频功率放大器
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4000个/圆盘
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近期成交3单
描述双通道(双同)、拉/灌电流:2/2A,输入耐受低至-10V
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4000个/圆盘
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近期成交31单
描述NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压(1/6th VCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)D 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
4000个/圆盘
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近期成交4单
描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A
4000个/圆盘
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近期成交1单
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6000个/圆盘
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近期成交7单
描述250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.5/1.8A
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4000个/圆盘
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近期成交5单
描述250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器,可实现100%占空比
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4000个/圆盘
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近期成交19单
描述NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
4000个/圆盘
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近期成交4单
描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.26/0.6A
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4000个/圆盘
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近期成交11单
描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
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4000个/圆盘
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近期成交3单
描述NSG4420是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4420逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。
4000个/圆盘
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近期成交2单
描述集成保护功能的数字音频功率放大器
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交3单
描述集成保护功能的数字音频功率放大器
4000个/圆盘
总额¥0
描述650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.6/1.0A
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交14单
描述250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A、集成自举二极管(180ohm)
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交11单
描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
3000个/圆盘
总额¥0
近期成交2单
描述NSG4429是一款低电压功率MOSFET和IGBT反相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4429逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40°C至125°C温度范围内工作。
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交1单
描述NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压(1/6th VCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)D 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
4000个/圆盘
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近期成交2单
描述NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压(1/6thVCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)DP 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。
50个/管
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近期成交3单
描述100V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.6/1.0A
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3000个/圆盘
总额¥0
近期成交10单
描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A
4000个/圆盘
总额¥0
近期成交1单
描述250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.5/1.8A
SMT扩展库
4000个/圆盘
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近期成交26单
描述250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管
4000个/圆盘
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近期成交6单
描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A
4000个/圆盘
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近期成交3单
描述700V N+N半桥驱动、单输入(IN&/SD)、集成SD功能,拉/灌电流:4/4A
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4000个/圆盘
总额¥0
近期成交3单
描述NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。
4000个/圆盘
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