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WXNSIC(国硅集成)

WXNSIC(国硅集成)

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国硅集成电路技术(无锡)有限公司成立于2020年11月17日,专注于车规级模拟IC芯片的研发与销售。主要产品线包括栅极驱动IC芯片、隔离栅驱动IC芯片、电机驱动IC芯片、智能功率开关及智能模块。

  • 类目
    • 栅极驱动芯片
    • 功率电子开关
    • 智能功率模块(IPM)
    • 音频功率放大器
    • 电池管理
    • 电荷泵
    • LCD驱动
    多选
  • 封装
    • SOP-8
    • SOP-16
    • SOT-23-5
    • SOP-14
    • DIP-8
    • SOT-23-6
    • TSSOP-20
    • SOP-23
    • DFN-8(2x3)
    • QFN-24-EP(4x4)
    • SOP-28
    • DFN-12(1.5x2.4)
    • DFN-12(1.5x3)
    • DFN-8-EP(3x3)
    • DIP-14
    • QFN-16-EP(3x3)
    • QFN-24
    • QFN-24(4x4)
    • QFN-26(5x6)
    • QFN-48-EP(7x7)
    多选
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价格
总库存
销量
价格/库存筛选
自营结果数131
  • 型号/品牌/封装/类目

  • 参数/描述

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  • 价格梯度(含税)

  • 库存交期

  • 操作

集成自举的三相栅极驱动芯片
NSG20652Q
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
QFN-24-EP(4x4)
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414479
驱动配置
三相
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
1.5A
拉电流(IOH)
1.2A

描述250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管、集成LDO

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4688
  • 2.3
  • 2
  • 1.87
  • 1.7
  • 1.63
  • 1.59
现货最快4小时发货
广东仓
4688

5000/圆盘

总额0

近期成交7单

NSA20957
NSA20957
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-16
类目
音频功率放大器
编号
C41414533
功放类型
D类功放
工作电压
10V~18V
静态电流(Iq)
3mA
工作温度
-40℃~+125℃

描述集成保护功能的数字音频功率放大器

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2046
  • 8.62
  • 7.87
  • 7.4
  • 6.92
  • 6.7
  • 6.6
现货最快4小时发货
广东仓
2046

4000/圆盘

总额0

近期成交4单

NSA20921
NSA20921
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-16
类目
音频功率放大器
编号
C49023240
功放类型
D类功放
静态电流(Iq)
3mA
工作温度
-40℃~+125℃
电源纹波抑制比(PSRR)
65dB

描述NSA20921是一款高压、高性能的D类音频功率放大器驱动芯片,针对超大输出功率的D类音频功放系统设计。集成有模拟功率放大器,PWM波调制电路,高、低压侧过流保护功能(针对高低压侧两个功率器件),防直通死区逻辑以及三个电压域(VAA~VSS/VCC~COM/VBV~VS),该产品采用灵活开放式的拓扑结构实现PWM调制功能。NSA20921集成了启动和关断期间的“咔哒”声消除功能,用于抑制PWM信号启动和关闭期间非必要的听觉噪声。配合一个功率桥电路及少许无源器件即可实现一个完整的D类音频功率放大器。

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  • 对比

SMT扩展库

  • 8.18
  • 6.81
  • 6.06
  • 5.21
  • 4.84
  • 4.67
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3976

4000/圆盘

总额0

近期成交1单

NSH505PQ
NSH505PQ
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
PQFN-26(5x6)
类目
智能功率模块(IPM)
编号
C48735684
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  • 对比

SMT扩展库

  • 1.6
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2865

6000/圆盘

总额0

近期成交8单

600V自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2153D
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473165
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
1.5A
拉电流(IOH)
1.2A

描述NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压(1/6th VCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)D 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。

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  • 对比

SMT扩展库

  • 3.02
  • 2.37
  • 2.08
  • 1.73
  • 1.58
  • 1.48
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3801

4000/圆盘

总额0

近期成交4单

带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2127
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414524
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
600mA

描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2730
  • 3.29
  • 2.92
  • 2.73
  • 2.55
  • 2.44
  • 2.38
现货最快4小时发货
广东仓
2615

4000/圆盘

总额0

近期成交7单

双通道2A超高速功率开关驱动器
NSG532
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOT-23-6
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473175
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
工作电压
5V~20V
上升时间(tr)
30ns

描述NSG532是超高速、大电流功率芯片驱动器,在对功率开关的栅极进行充放电时,它具有匹配的上升和下降时间。NSG532在其额定功率和电压范围内的任何条件下都具有高度的锁存抵抗能力。当接地引脚上出现高达5V的噪声尖峰(任一极性)时,NSG532不会受到损坏。NSG532可以接受高达500mA的反向电流强制返回其输出,而不会造成损坏或逻辑混乱。所有端子均受到高达2.0 kV静电放电(ESD)的全面保护。

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4529
  • 0.8403
  • 0.6675
  • 0.5811
  • 0.5163
  • 0.4645
现货最快4小时发货
广东仓
4485

3000/圆盘

总额0

近期成交29单

三相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
G2060
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
TSSOP-20
类目
栅极驱动芯片
编号
C7421051
驱动配置
全桥
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
6
灌电流(IOL)
1.8A

描述250V 三相桥驱动、高侧同逻辑低侧反逻辑、拉/灌电流:1.5/1.8A

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4575
  • 2.1588
  • 1.6952
  • 1.4964
  • 1.2485
  • 1.1381
  • 1.0718
现货最快4小时发货
广东仓
4575

4000/圆盘

总额0

近期成交7单

带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21271
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414525
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
600mA

描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A

  • 收藏
  • 对比
  • 3.25
  • 2.87
  • 2.68
  • 2.49
  • 2.38
  • 2.32
现货最快4小时发货
广东仓
3940

4000/圆盘

总额0

近期成交3单

单通道低侧同相栅极驱动芯片
NSG4420
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473158
驱动配置
低边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
6A

描述NSG4420是一款低电压功率MOSFET和IGBT同相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4420逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在 -40°C至125°C温度范围内工作。

  • 收藏
  • 对比
  • 4.45
  • 3.54
  • 3.09
  • 2.64
  • 2.37
  • 2.23
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2415

4000/圆盘

总额0

近期成交2单

NSA2093
NSA2093
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
QFN-48-EP(7x7mm)
类目
音频功率放大器
编号
C41414532
功放类型
D类功放
工作电压
10V~18V
静态电流(Iq)
3mA
工作温度
-40℃~+125℃

描述集成保护功能的数字音频功率放大器

  • 收藏
  • 对比
  • 31.62
  • 26.79
  • 23.92
  • 21.02
  • 19.69
  • 19.08
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
3000

4000/圆盘

总额0

650V单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG6000
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414489
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
1A

描述650V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.6/1.0A

  • 收藏
  • 对比
  • 1.2906
  • 1.0134
  • 0.8946
  • 0.7464
  • 0.6804
现货最快4小时发货
广东仓
3900

4000/圆盘

总额0

近期成交12单

NSG2024
NSG2024
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414483
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET
灌电流(IOL)
4A
拉电流(IOH)
4A

描述250V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A、集成自举二极管(180ohm)

  • 收藏
  • 对比
  • 2.0579
  • 1.6043
  • 1.4099
  • 1.1674
  • 1.0594
现货最快4小时发货
广东仓
2630

4000/圆盘

总额0

近期成交8单

大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2186
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C7421060
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
4A

描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存2984
  • 2.56
  • 2.25
  • 2.1
  • 1.94
  • 1.85
  • 1.81
现货最快4小时发货
广东仓
2982

4000/圆盘

总额0

近期成交6单

快速、高压侧NMOS静态开关驱动器
NSG2000
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414507
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET
下降时间(tf)
30ns
工作温度
-40℃~+125℃

描述250V 快速、高压侧NMOS静态开关驱动器,可实现100%占空比

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存1593
  • 3.22
  • 2.84
  • 2.66
  • 2.47
  • 2.36
  • 2.3
现货最快4小时发货
广东仓
1593

4000/圆盘

总额0

近期成交21单

单通道低侧反相栅极驱动芯片
NSG4429
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473159
驱动配置
低边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
6A

描述NSG4429是一款低电压功率MOSFET和IGBT反相位栅驱动器。专有的闩锁免疫CMOS技术可以实现高鲁棒性的单芯片集成结构。NSG4429逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。输出驱动器具有宽VDD范围、带滞后的欠压锁定和输出电流缓冲级。可以在-40°C至125°C温度范围内工作。

  • 收藏
  • 对比
  • 4.87
  • 3.88
  • 3.38
  • 2.89
  • 2.59
  • 2.44
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2671

4000/圆盘

总额0

近期成交1单

NSG0462UQ
NSG0462UQ
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
QFN-16-EP(3x3)
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414784
驱动配置
三相;半桥
负载类型
MOSFET
驱动通道数
6
灌电流(IOL)
300mA
  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存4828
  • 1.1508
  • 0.8988
  • 0.7908
  • 0.6561
  • 0.5961
现货最快4小时发货
广东仓
4825

5000/圆盘

总额0

近期成交10单

单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2101
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C7421061
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
600mA

描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.26/0.6A

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  • 对比

SMT扩展库

SMT补贴嘉立创库存3607
  • 1.7484
  • 1.3553
  • 1.1868
  • 0.9766
  • 0.883
现货最快4小时发货
广东仓
3600

4000/圆盘

总额0

近期成交11单

带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2128
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414527
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
600mA

描述300V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.3/0.6A

  • 收藏
  • 对比
  • 3.17
  • 2.8
  • 2.61
  • 2.43
  • 2.32
  • 2.26
现货最快4小时发货
广东仓
1890

4000/圆盘

总额0

近期成交1单

600V自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21531D
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473164
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
1.5A
拉电流(IOH)
1.2A

描述NSG2153(1)D 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)D 的 CT 端在低电压(1/6th VCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)D 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)D 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)D 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)D 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。

  • 收藏
  • 对比
  • 3.25
  • 2.54
  • 2.24
  • 1.86
  • 1.7
  • 1.59
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2296

4000/圆盘

总额0

近期成交2单

带过流检测的单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21275
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C49023245
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
1.5A

描述NSG21275是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。其浮动通道可用于驱动高压侧N沟道功率MOSFET,浮地通道最高工作电压可达300V。采用SOIC8封装,可以在-40°C 至125°C 温度范围内工作。

  • 收藏
  • 对比

SMT扩展库

  • 5.15
  • 4.18
  • 3.7
  • 3.21
  • 2.93
  • 2.78
现货最快4小时发货
广东仓
0
江苏仓
2000

4000/圆盘

总额0

集成自举的三相栅极驱动芯片
NSG2065
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
TSSOP-20
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414477
驱动配置
三相;低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
1.5A
拉电流(IOH)
1.2A

描述250V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:1.2/1.5A、集成自举二极管

  • 收藏
  • 对比
  • 1.591
  • 1.3894
  • 1.303
  • 1.1952
  • 1.1472
现货最快4小时发货
广东仓
2600

4000/圆盘

总额0

近期成交5单

700V大电流高、低侧MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG21867
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414500
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
4A

描述700V N+N半桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:4/4A

  • 收藏
  • 对比
  • 2.78
  • 2.46
  • 2.3
  • 2.14
  • 2.04
  • 1.99
现货最快4小时发货
广东仓
1745

4000/圆盘

总额0

近期成交3单

NSG21281
NSG21281
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414528
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
600mA

描述NSG21281是一组带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

  • 收藏
  • 对比
  • 3.37
  • 2.99
  • 2.8
  • 2.61
  • 2.5
  • 2.44
现货最快4小时发货
广东仓
2250

4000/圆盘

总额0

NSA2092
NSA2092
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-16
类目
音频功率放大器
编号
C41414531
功放类型
D类功放
工作电压
10V~320V
静态电流(Iq)
3mA
工作温度
-40℃~+125℃

描述集成保护功能的数字音频功率放大器

  • 收藏
  • 对比
  • 6.47
  • 5.84
  • 5.5
  • 5.11
  • 4.93
现货最快4小时发货
广东仓
879

4000/圆盘

总额0

近期成交3单

单相高低侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG6002
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414491
驱动配置
低边;高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
1.1A

描述650V N+N半桥驱动、单输入(IN&/SD)、拉/灌电流:0.6/1.1A

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近期成交12单

单相高侧功率MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG10752
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOT-23-6
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414522
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
灌电流(IOL)
600mA
拉电流(IOH)
290mA

描述100V 单通道高侧驱动、拉/灌电流:0.6/1.0A

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自振荡半桥MOSFET/IGBT驱动芯片
NSG2153DP
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
DIP-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C46473162
驱动配置
半桥
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
2
灌电流(IOL)
1.5A

描述NSG2153(1)DP 是一款集成了 50% 占空比振荡器的 600V 半桥栅极驱动器,能够驱动 N 型 MOSFET 或 IGBT 器件。NSG2153(1)DP 的 CT 端在低电压(1/6thVCC)时能够同时关断高低侧输出。当 VCC 电压低于欠压阈值时,NSG2153(1)DP 会将 CT 端电压拉低,同时关闭高低侧输出。NSG2153(1)DP 具有很强的输出驱动能力,输出拉/灌电流脉冲峰值可以达到 +1.2A/-1.5A。NSG2153(1)DP 内置死区逻辑,防止高低侧功率 MOSFET 或 IGBT 器件直通。另外,NSG2153(1)DP 集成有自举二极管,用于对高侧进行自举充电。

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NSG21276
NSG21276
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOIC-8
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414526
驱动配置
高边
负载类型
MOSFET;IGBT
驱动通道数
1
灌电流(IOL)
4A

描述NSG21276是一款带过流检测的高电压、高速单通道高侧MOSFET/IGBT驱动芯片。采用高低压兼容工艺使得高侧栅驱动电路单芯片集成,逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。内置高侧过流保护电路,当检测到过流状态时,关断芯片输出,同时,一个漏极开路的FAULT端口输出错误信号。

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近期成交6单

带使能和故障报告的三相半桥IGBT驱动芯片
NSG21364
品牌
WXNSIC(国硅集成)
封装
SOP-28
类目
栅极驱动芯片
编号
C41414506
驱动配置
半桥
负载类型
IGBT
驱动通道数
6
灌电流(IOL)
350mA

描述700V 三相桥驱动、高低侧同逻辑、拉/灌电流:0.21/0.35A

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